Öz
In this study a GaN HEMT X Band Class F Power Amplifier is presented. Center frequency of the amplifier is 8.2GHz and amplifier has 62% peak efficiency with 9.3dB power gain. Modelithics advanced GaN HEMT nonlinear transistor model is used at design process. Radial stubs are preferred to increase bandwidth. Amplifier has 170MHz bandwidth above 60% efficiency. Therefore, proposed amplifier is suitable for high data rate communication systems
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.
- Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.
- Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.
- Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.
- Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.
Öz
Bu çalışmada X bandında çalışan, yüksek verimli F sınıfı güç kuvvetlendiricisi Galyum Nitrit Yüksek Elektron Hareketlilikli Tranzistor (High Electron Mobility Transistor, GaN tHEMT) kullanılarak tasarlanmıştır. Bu tasarımda kullanılan Triquint TGF2023-1-01 tranzistoru için Modelithics geliştirdiği doğrusal olmayan tranzistor modeli kullanılmıştır. Tasarlanan devrenin daha geniş frekans bandından çalışmasını sağlamak için kapasitif elemanlar radyal yapılı mikroşerit hatlar ile gerçeklenmiştir. Tasarım sonucunda 8.2 GHz merkez frekansında elde edilen en yüksek verim %62, güç kazancı ise 9.3dB’dir. Tasarlanan devre geniş bantlı iletişim sistemlerinde (170MHz) kullanılmaya uygun olarak bant içerisindeki verimi %60’ın üzerindedir. Çalışma sonunda GaN HEMT kullanarak yüksek çıkış gücüne sahip yüksek verimli kuvvetlendirici elde edilmiştir.
Anahtar Kelimeler
GaN X Band Güç Kuvvetlendiricisi F Sınıfı Dairesel Yapılı Hat
Kaynakça
- Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.
- Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.
- Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.
- Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.
- Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.
Ayrıntılar
| Birincil Dil | Türkçe |
|---|---|
| Bölüm | Makaleler |
| Yazarlar | |
| Yayımlanma Tarihi | 7 Nisan 2015 |
| Yayımlandığı Sayı | Yıl 2015 |
Kaynak Göster
Bu eser Creative Commons Atıf 4.0 Uluslararası Lisansı ile lisanslanmıştır.