EN
TR
GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI
Öz
Bu çalışmada X bandında çalışan, yüksek verimli F sınıfı güç kuvvetlendiricisi Galyum Nitrit Yüksek Elektron Hareketlilikli Tranzistor (High Electron Mobility Transistor, GaN tHEMT) kullanılarak tasarlanmıştır. Bu tasarımda kullanılan Triquint TGF2023-1-01 tranzistoru için Modelithics geliştirdiği doğrusal olmayan tranzistor modeli kullanılmıştır. Tasarlanan devrenin daha geniş frekans bandından çalışmasını sağlamak için kapasitif elemanlar radyal yapılı mikroşerit hatlar ile gerçeklenmiştir. Tasarım sonucunda 8.2 GHz merkez frekansında elde edilen en yüksek verim %62, güç kazancı ise 9.3dB’dir. Tasarlanan devre geniş bantlı iletişim sistemlerinde (170MHz) kullanılmaya uygun olarak bant içerisindeki verimi %60’ın üzerindedir. Çalışma sonunda GaN HEMT kullanarak yüksek çıkış gücüne sahip yüksek verimli kuvvetlendirici elde edilmiştir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Gao, S., “High Efficiency Class F RF/Microwave Power Amplifiers”, MTTs Microwave Magazine, Cilt 7, Sayı 1, 40–48, 2006.
- Moore, A. ve Jimenez, J., “GaN RF Technology for Dummies, Triquint Special Edition”, John Wiley & Sons, Hoboken NJ, 2014.
- Triquint TGF2023-2-01 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT Datasheet, Triquint internet sitesi (www.triquint.com), 2013.
- Colantonio, P., Giannini, F. ve Limiti, E., “High Efficiency RF and Microwave Solid State Power Amplifier", John Wiley & Sons, GB, 2009.
- Raab, F.H., “Class F Power Amplifiers with Maximally Flat Waveforms”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech., Sayı 45, s.2007-2012, Kasım 1997.
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
-
Bölüm
-
Yayımlanma Tarihi
7 Nisan 2015
Gönderilme Tarihi
7 Nisan 2015
Kabul Tarihi
-
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2015 Cilt: 8 Sayı: 1
APA
Ceylan, O., Ceylan, O., Yağcı, H., Yağcı, H. B., & Paker, S. (2015). GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, 8(1), 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566
AMA
1.Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015;8(1):33-49. doi:10.20854/befmbd.31566
Chicago
Ceylan, Osman, Osman Ceylan, Hasan Yağcı, Hasan Bülent Yağcı, ve Selçuk Paker. 2015. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8 (1): 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566.
EndNote
Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S (01 Haziran 2015) GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8 1 33–49.
IEEE
[1]O. Ceylan, O. Ceylan, H. Yağcı, H. B. Yağcı, ve S. Paker, “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”, BUJSE, c. 8, sy 1, ss. 33–49, Haz. 2015, doi: 10.20854/befmbd.31566.
ISNAD
Ceylan, Osman - Ceylan, Osman - Yağcı, Hasan - Yağcı, Hasan Bülent - Paker, Selçuk. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi 8/1 (01 Haziran 2015): 33-49. https://doi.org/10.20854/befmbd.31566.
JAMA
1.Ceylan O, Ceylan O, Yağcı H, Yağcı HB, Paker S. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 2015;8:33–49.
MLA
Ceylan, Osman, vd. “GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI”. Beykent Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi, c. 8, sy 1, Haziran 2015, ss. 33-49, doi:10.20854/befmbd.31566.
Vancouver
1.Osman Ceylan, Osman Ceylan, Hasan Yağcı, Hasan Bülent Yağcı, Selçuk Paker. GaN HEMT İLE YÜKSEK VERİMLİ X BAND F SINIFI GÜÇ KUVVETLENDİRİCİSİ TASARIMI. BUJSE. 01 Haziran 2015;8(1):33-49. doi:10.20854/befmbd.31566
