Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine

Abdulkadir Korkut; Arife Gençer İmer

Research Article

Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine

Year 2017, Volume: 29 Issue: 2, 1 - 6, 01.10.2017

Abstract

Değişik yüzey alanlarına sahip beş (5) adet Pd/n-GaP diyot üretildi. Diyotlar farklı ışık akı değerlerinde kar be-yazı floresans lambayla aydınlatıldı. Schottky diyotlara ait elektriksel veri değerleri toplandı, bu veriler kullanı-larak parametreler hesaplandı. Işık altında Schottky diyotlara ait Schottky sığaları elde edildi. Schottky sığası-nın ışık akısına ve diyotun etkin yüzey alanına göre kayda değer şekilde değiştiği görüldü.

Keywords

Schottky sığası, Schottky diyot, Aydınlanma

References

1. Pikhtin, A.N., Tarasov, S.A. and Kloth, B. (2003). Ag-GaP Schottky photodiodes for UV sensors, IEEE Transactions on Electron Devices, 50(1): 215- 217.
2. Sun, X., Li, D., Li, Z., Song, H., Jiang, H., Chen, Y., Miao, G. and Zhang, Z. (2015). High spectral respon-se of selfdriven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, Scientific Report Nature, 5:1-7, Makale numarası:16819.
3. Sharma, B.L. (1984). Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Plenum Press, London, UK, 385s.
4. Schroder, D.K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley&Sons Inc. Pubs, America, 796s.
5. Caferov, T. (2000). Katıhal Elektroniği. Yıldız Teknik Üni Vakfı, Yay.No:2000-002., İstanbul, 234s.
6. Sze, S.M. (1981). Physics of Semiconductor Devic-es. John Wiley&Sons, Singapore, 874s.
7. Shur, M. (1990). Physics of Semiconductor Devices. Prentice-Hall, Inc., New Jersey, 682s.
8. Rhoderick, E.H. and Williams, R.H. (1988). Metal-Semiconductor Contacts. Oxford University Press, Oxford, 257s.
9. Gencer, A.I. and Ocak, Y.S. (2016). Effect of light intensity and temperature on the current voltage characteristics of al/sy/p-si organic–inorganic hetero-juncion. Journal of Electronic Materials, DOI: 10.1007/s11664-016-4649-4.
10. Korkut, A. (2015). Temiz hava ortamına maruz bırakılmış n-Si ve n-GaP yarıiletkenlerden üretilmiş schottky diyotların karakteristiklerine arayüzey oksit tabaka kalınlığının etkisi. Doktora Tezi. Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 201s.
11. Aydoğan, Ş. (2015). Katıhal Elektroniği. Nobel Yayıncılık, Ankara, 63s.

Year 2017, Volume: 29 Issue: 2, 1 - 6, 01.10.2017

Abdulkadir Korkut Arife Gençer İmer

Abstract

References

1. Pikhtin, A.N., Tarasov, S.A. and Kloth, B. (2003). Ag-GaP Schottky photodiodes for UV sensors, IEEE Transactions on Electron Devices, 50(1): 215- 217.
2. Sun, X., Li, D., Li, Z., Song, H., Jiang, H., Chen, Y., Miao, G. and Zhang, Z. (2015). High spectral respon-se of selfdriven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, Scientific Report Nature, 5:1-7, Makale numarası:16819.
3. Sharma, B.L. (1984). Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Plenum Press, London, UK, 385s.
4. Schroder, D.K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley&Sons Inc. Pubs, America, 796s.
5. Caferov, T. (2000). Katıhal Elektroniği. Yıldız Teknik Üni Vakfı, Yay.No:2000-002., İstanbul, 234s.
6. Sze, S.M. (1981). Physics of Semiconductor Devic-es. John Wiley&Sons, Singapore, 874s.
7. Shur, M. (1990). Physics of Semiconductor Devices. Prentice-Hall, Inc., New Jersey, 682s.
8. Rhoderick, E.H. and Williams, R.H. (1988). Metal-Semiconductor Contacts. Oxford University Press, Oxford, 257s.
9. Gencer, A.I. and Ocak, Y.S. (2016). Effect of light intensity and temperature on the current voltage characteristics of al/sy/p-si organic–inorganic hetero-juncion. Journal of Electronic Materials, DOI: 10.1007/s11664-016-4649-4.
10. Korkut, A. (2015). Temiz hava ortamına maruz bırakılmış n-Si ve n-GaP yarıiletkenlerden üretilmiş schottky diyotların karakteristiklerine arayüzey oksit tabaka kalınlığının etkisi. Doktora Tezi. Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 201s.
11. Aydoğan, Ş. (2015). Katıhal Elektroniği. Nobel Yayıncılık, Ankara, 63s.

There are 11 citations in total.

Details

Journal Section	FBD
Authors	Abdulkadir Korkut Arife Gençer İmer This is me
Publication Date	October 1, 2017
Submission Date	September 23, 2017
Published in Issue	Year 2017 Volume: 29 Issue: 2

Cite

APA	Korkut, A., & İmer, A. G. (2017). Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi, 29(2), 1-6.
AMA	Korkut A, İmer AG. Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi. October 2017;29(2):1-6.
Chicago	Korkut, Abdulkadir, and Arife Gençer İmer. “Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/N-GaP Schottky Diyotun Elektrik-Sel Sığa Değişimi Üzerine”. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi 29, no. 2 (October 2017): 1-6.
EndNote	Korkut A, İmer AG (October 1, 2017) Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi 29 2 1–6.
IEEE	A. Korkut and A. G. İmer, “Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine”, Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi, vol. 29, no. 2, pp. 1–6, 2017.
ISNAD	Korkut, Abdulkadir - İmer, Arife Gençer. “Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/N-GaP Schottky Diyotun Elektrik-Sel Sığa Değişimi Üzerine”. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi 29/2 (October 2017), 1-6.
JAMA	Korkut A, İmer AG. Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi. 2017;29:1–6.
MLA	Korkut, Abdulkadir and Arife Gençer İmer. “Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/N-GaP Schottky Diyotun Elektrik-Sel Sığa Değişimi Üzerine”. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi, vol. 29, no. 2, 2017, pp. 1-6.
Vancouver	Korkut A, İmer AG. Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi. 2017;29(2):1-6.