Araştırma Makalesi
Yıl 2017,
Cilt: 29 Sayı: 2, 1 - 6, 01.10.2017
Öz
Değişik yüzey alanlarına sahip beş (5) adet Pd/n-GaP diyot üretildi. Diyotlar farklı ışık akı değerlerinde kar be-yazı floresans lambayla aydınlatıldı. Schottky diyotlara ait elektriksel veri değerleri toplandı, bu veriler kullanı-larak parametreler hesaplandı. Işık altında Schottky diyotlara ait Schottky sığaları elde edildi. Schottky sığası-nın ışık akısına ve diyotun etkin yüzey alanına göre kayda değer şekilde değiştiği görüldü.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- 1. Pikhtin, A.N., Tarasov, S.A. and Kloth, B. (2003). Ag-GaP Schottky photodiodes for UV sensors, IEEE Transactions on Electron Devices, 50(1): 215- 217.
- 2. Sun, X., Li, D., Li, Z., Song, H., Jiang, H., Chen, Y., Miao, G. and Zhang, Z. (2015). High spectral respon-se of selfdriven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, Scientific Report Nature, 5:1-7, Makale numarası:16819.
- 3. Sharma, B.L. (1984). Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Plenum Press, London, UK, 385s.
- 4. Schroder, D.K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley&Sons Inc. Pubs, America, 796s.
- 5. Caferov, T. (2000). Katıhal Elektroniği. Yıldız Teknik Üni Vakfı, Yay.No:2000-002., İstanbul, 234s.
- 6. Sze, S.M. (1981). Physics of Semiconductor Devic-es. John Wiley&Sons, Singapore, 874s.
- 7. Shur, M. (1990). Physics of Semiconductor Devices. Prentice-Hall, Inc., New Jersey, 682s.
- 8. Rhoderick, E.H. and Williams, R.H. (1988). Metal-Semiconductor Contacts. Oxford University Press, Oxford, 257s.
- 9. Gencer, A.I. and Ocak, Y.S. (2016). Effect of light intensity and temperature on the current voltage characteristics of al/sy/p-si organic–inorganic hetero-juncion. Journal of Electronic Materials, DOI: 10.1007/s11664-016-4649-4.
- 10. Korkut, A. (2015). Temiz hava ortamına maruz bırakılmış n-Si ve n-GaP yarıiletkenlerden üretilmiş schottky diyotların karakteristiklerine arayüzey oksit tabaka kalınlığının etkisi. Doktora Tezi. Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 201s.
- 11. Aydoğan, Ş. (2015). Katıhal Elektroniği. Nobel Yayıncılık, Ankara, 63s.
Yıl 2017,
Cilt: 29 Sayı: 2, 1 - 6, 01.10.2017
Öz
Kaynakça
- 1. Pikhtin, A.N., Tarasov, S.A. and Kloth, B. (2003). Ag-GaP Schottky photodiodes for UV sensors, IEEE Transactions on Electron Devices, 50(1): 215- 217.
- 2. Sun, X., Li, D., Li, Z., Song, H., Jiang, H., Chen, Y., Miao, G. and Zhang, Z. (2015). High spectral respon-se of selfdriven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, Scientific Report Nature, 5:1-7, Makale numarası:16819.
- 3. Sharma, B.L. (1984). Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Plenum Press, London, UK, 385s.
- 4. Schroder, D.K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley&Sons Inc. Pubs, America, 796s.
- 5. Caferov, T. (2000). Katıhal Elektroniği. Yıldız Teknik Üni Vakfı, Yay.No:2000-002., İstanbul, 234s.
- 6. Sze, S.M. (1981). Physics of Semiconductor Devic-es. John Wiley&Sons, Singapore, 874s.
- 7. Shur, M. (1990). Physics of Semiconductor Devices. Prentice-Hall, Inc., New Jersey, 682s.
- 8. Rhoderick, E.H. and Williams, R.H. (1988). Metal-Semiconductor Contacts. Oxford University Press, Oxford, 257s.
- 9. Gencer, A.I. and Ocak, Y.S. (2016). Effect of light intensity and temperature on the current voltage characteristics of al/sy/p-si organic–inorganic hetero-juncion. Journal of Electronic Materials, DOI: 10.1007/s11664-016-4649-4.
- 10. Korkut, A. (2015). Temiz hava ortamına maruz bırakılmış n-Si ve n-GaP yarıiletkenlerden üretilmiş schottky diyotların karakteristiklerine arayüzey oksit tabaka kalınlığının etkisi. Doktora Tezi. Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 201s.
- 11. Aydoğan, Ş. (2015). Katıhal Elektroniği. Nobel Yayıncılık, Ankara, 63s.
Toplam 11 adet kaynakça vardır.
Ayrıntılar
| Bölüm | FBD |
|---|---|
| Yazarlar | |
| Yayımlanma Tarihi | 1 Ekim 2017 |
| Gönderilme Tarihi | 23 Eylül 2017 |
| Yayımlandığı Sayı | Yıl 2017 Cilt: 29 Sayı: 2 |