Araştırma Makalesi
BibTex RIS Kaynak Göster

Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine

Yıl 2017, Cilt: 29 Sayı: 2, 1 - 6, 01.10.2017

Abdulkadir Korkut , Arife Gençer İmer

Öz

Değişik yüzey alanlarına sahip beş (5) adet Pd/n-GaP diyot üretildi. Diyotlar farklı ışık akı değerlerinde kar be-yazı floresans lambayla aydınlatıldı. Schottky diyotlara ait elektriksel veri değerleri toplandı, bu veriler kullanı-larak parametreler hesaplandı. Işık altında Schottky diyotlara ait Schottky sığaları elde edildi. Schottky sığası-nın ışık akısına ve diyotun etkin yüzey alanına göre kayda değer şekilde değiştiği görüldü.

Anahtar Kelimeler

Schottky sığası Schottky diyot Aydınlanma

Kaynakça

  • 1. Pikhtin, A.N., Tarasov, S.A. and Kloth, B. (2003). Ag-GaP Schottky photodiodes for UV sensors, IEEE Transactions on Electron Devices, 50(1): 215- 217.
  • 2. Sun, X., Li, D., Li, Z., Song, H., Jiang, H., Chen, Y., Miao, G. and Zhang, Z. (2015). High spectral respon-se of selfdriven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, Scientific Report Nature, 5:1-7, Makale numarası:16819.
  • 3. Sharma, B.L. (1984). Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Plenum Press, London, UK, 385s.
  • 4. Schroder, D.K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley&Sons Inc. Pubs, America, 796s.
  • 5. Caferov, T. (2000). Katıhal Elektroniği. Yıldız Teknik Üni Vakfı, Yay.No:2000-002., İstanbul, 234s.
  • 6. Sze, S.M. (1981). Physics of Semiconductor Devic-es. John Wiley&Sons, Singapore, 874s.
  • 7. Shur, M. (1990). Physics of Semiconductor Devices. Prentice-Hall, Inc., New Jersey, 682s.
  • 8. Rhoderick, E.H. and Williams, R.H. (1988). Metal-Semiconductor Contacts. Oxford University Press, Oxford, 257s.
  • 9. Gencer, A.I. and Ocak, Y.S. (2016). Effect of light intensity and temperature on the current voltage characteristics of al/sy/p-si organic–inorganic hetero-juncion. Journal of Electronic Materials, DOI: 10.1007/s11664-016-4649-4.
  • 10. Korkut, A. (2015). Temiz hava ortamına maruz bırakılmış n-Si ve n-GaP yarıiletkenlerden üretilmiş schottky diyotların karakteristiklerine arayüzey oksit tabaka kalınlığının etkisi. Doktora Tezi. Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 201s.
  • 11. Aydoğan, Ş. (2015). Katıhal Elektroniği. Nobel Yayıncılık, Ankara, 63s.

Yıl 2017, Cilt: 29 Sayı: 2, 1 - 6, 01.10.2017

Abdulkadir Korkut , Arife Gençer İmer

Öz

Kaynakça

  • 1. Pikhtin, A.N., Tarasov, S.A. and Kloth, B. (2003). Ag-GaP Schottky photodiodes for UV sensors, IEEE Transactions on Electron Devices, 50(1): 215- 217.
  • 2. Sun, X., Li, D., Li, Z., Song, H., Jiang, H., Chen, Y., Miao, G. and Zhang, Z. (2015). High spectral respon-se of selfdriven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, Scientific Report Nature, 5:1-7, Makale numarası:16819.
  • 3. Sharma, B.L. (1984). Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Plenum Press, London, UK, 385s.
  • 4. Schroder, D.K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley&Sons Inc. Pubs, America, 796s.
  • 5. Caferov, T. (2000). Katıhal Elektroniği. Yıldız Teknik Üni Vakfı, Yay.No:2000-002., İstanbul, 234s.
  • 6. Sze, S.M. (1981). Physics of Semiconductor Devic-es. John Wiley&Sons, Singapore, 874s.
  • 7. Shur, M. (1990). Physics of Semiconductor Devices. Prentice-Hall, Inc., New Jersey, 682s.
  • 8. Rhoderick, E.H. and Williams, R.H. (1988). Metal-Semiconductor Contacts. Oxford University Press, Oxford, 257s.
  • 9. Gencer, A.I. and Ocak, Y.S. (2016). Effect of light intensity and temperature on the current voltage characteristics of al/sy/p-si organic–inorganic hetero-juncion. Journal of Electronic Materials, DOI: 10.1007/s11664-016-4649-4.
  • 10. Korkut, A. (2015). Temiz hava ortamına maruz bırakılmış n-Si ve n-GaP yarıiletkenlerden üretilmiş schottky diyotların karakteristiklerine arayüzey oksit tabaka kalınlığının etkisi. Doktora Tezi. Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 201s.
  • 11. Aydoğan, Ş. (2015). Katıhal Elektroniği. Nobel Yayıncılık, Ankara, 63s.
Toplam 11 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Bölüm Araştırma Makalesi
Yazarlar

Abdulkadir Korkut

Arife Gençer İmer Bu kişi benim

Gönderilme Tarihi 23 Eylül 2017
Yayımlanma Tarihi 1 Ekim 2017
Yayımlandığı Sayı Yıl 2017 Cilt: 29 Sayı: 2

Kaynak Göster

APA Korkut, A., & İmer, A. G. (2017). Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi, 29(2), 1-6.
AMA Korkut A, İmer AG. Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi. Ekim 2017;29(2):1-6.
Chicago Korkut, Abdulkadir, ve Arife Gençer İmer. “Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine”. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi 29, sy. 2 (Ekim 2017): 1-6.
EndNote Korkut A, İmer AG (01 Ekim 2017) Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi 29 2 1–6.
IEEE A. Korkut ve A. G. İmer, “Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine”, Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi, c. 29, sy. 2, ss. 1–6, 2017.
ISNAD Korkut, Abdulkadir - İmer, Arife Gençer. “Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine”. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi 29/2 (Ekim2017), 1-6.
JAMA Korkut A, İmer AG. Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi. 2017;29:1–6.
MLA Korkut, Abdulkadir ve Arife Gençer İmer. “Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine”. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi, c. 29, sy. 2, 2017, ss. 1-6.
Vancouver Korkut A, İmer AG. Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine. Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi. 2017;29(2):1-6.