Yarıiletkeni Işıkla Etkileşen Pd/n-GaP Schottky Diyotun Elektrik-sel Sığa Değişimi Üzerine

Öz

Değişik yüzey alanlarına sahip beş (5) adet Pd/n-GaP diyot üretildi. Diyotlar farklı ışık akı değerlerinde kar be-yazı floresans lambayla aydınlatıldı. Schottky diyotlara ait elektriksel veri değerleri toplandı, bu veriler kullanı-larak parametreler hesaplandı. Işık altında Schottky diyotlara ait Schottky sığaları elde edildi. Schottky sığası-nın ışık akısına ve diyotun etkin yüzey alanına göre kayda değer şekilde değiştiği görüldü.

Anahtar Kelimeler

• Schottky sığası,Schottky diyot,Aydınlanma

Kaynakça

1. 1. Pikhtin, A.N., Tarasov, S.A. and Kloth, B. (2003). Ag-GaP Schottky photodiodes for UV sensors, IEEE Transactions on Electron Devices, 50(1): 215- 217.
2. 2. Sun, X., Li, D., Li, Z., Song, H., Jiang, H., Chen, Y., Miao, G. and Zhang, Z. (2015). High spectral respon-se of selfdriven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, Scientific Report Nature, 5:1-7, Makale numarası:16819.
3. 3. Sharma, B.L. (1984). Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Plenum Press, London, UK, 385s.
4. 4. Schroder, D.K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley&Sons Inc. Pubs, America, 796s.
5. 5. Caferov, T. (2000). Katıhal Elektroniği. Yıldız Teknik Üni Vakfı, Yay.No:2000-002., İstanbul, 234s.
6. 6. Sze, S.M. (1981). Physics of Semiconductor Devic-es. John Wiley&Sons, Singapore, 874s.
7. 7. Shur, M. (1990). Physics of Semiconductor Devices. Prentice-Hall, Inc., New Jersey, 682s.
8. 8. Rhoderick, E.H. and Williams, R.H. (1988). Metal-Semiconductor Contacts. Oxford University Press, Oxford, 257s.

9. 9. Gencer, A.I. and Ocak, Y.S. (2016). Effect of light intensity and temperature on the current voltage characteristics of al/sy/p-si organic–inorganic hetero-juncion. Journal of Electronic Materials, DOI: 10.1007/s11664-016-4649-4.
10. 10. Korkut, A. (2015). Temiz hava ortamına maruz bırakılmış n-Si ve n-GaP yarıiletkenlerden üretilmiş schottky diyotların karakteristiklerine arayüzey oksit tabaka kalınlığının etkisi. Doktora Tezi. Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 201s.
11. 11. Aydoğan, Ş. (2015). Katıhal Elektroniği. Nobel Yayıncılık, Ankara, 63s.