Metal/Ferro-elektrik/Yarıiletken (Au/Bi4Ti3O12/n-Si) (MFS) Yapıların Hazırlanması ve Kompleks Dielektrik ile Elektrik Modülüsün 1 MHz için Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi
Abstract
Bu çalışmada ferro-elektrik (Bi4Ti3O12)
ara yüzeyli metal-yarıiletken (Au/n-Si) (MS) yapılar hazırlandı ve onların
kompleks dielektrik (e*=e’-j e’’) ile elektrik
Modulusu (M*=M’+jM’’) geniş bir sıcaklık aralığında (80-320 K) 1
MHz’ de detaylı olarak incelendi. Elde edilen deneysel sonuçlardan, bu
parametrelerin ve elektriksel iletkenliği (s) hem sıcaklığa hem de voltaja oldukça bağlı
olduğunu gösterdi. Hem e’-V hem de e’’-V grafiklerin
terslenim, tükenim ve yığılma bölgelerine sahip olduğu ve e’ile e’’değerlerindeki
değişim özellikle tükenim ve yığılma bölgesinde olmaktadır. Bu değişim, tükenim
bölgesinde ara yüzey durumlarının/tuzakların varlığına (Dit) ve
sıcaklığa atfedilirken yığılma bölgesindeki ise seri direnç (Rs) ve
ferroelektrik ara yüzey tabakanın varlığına atfedildi. Tükenim bölgesinde hem e’-V hem de e’’-V eğrilerinde
gözlenen pik (Bi4Ti3O12)/n-Si ara yüzeyinde ve
yarıiletkenin yasak enerji bandına yerleşmiş ara yüzey durumlarının özel bir
dağılımına ve sıcaklık ile dış dc elektrik alana atfedildi. e’, e’’,M’, M’’ve s değerlerinin azalan
sıcaklıkla azalması, düşük sıcaklıklarda yeterince serbest taşıyıcının mevcut
olmadığını ve artan sıcaklıkla daha çok sayıda yükün tuzaktan iletim bandına
geçmesine atfedildi.
Keywords
References
- [1] Altındal ¸ S, Parlaktürk F, Tataroğlu A, Parlak M, Sarmasov S N and Agasiev A A 2008 Vacuum 82 1246 [2] Gökçen M and Yıldırım M 2012 Chin. Phys. B21 128502 [3] Parlaktürk F, Altındal S¸ , Tataro˘glu A, Parlak M and Agasiev A A 2008 [4] Yang H, Ren Q, Zhang G, Chow Y T, Chan H P and Chu P L 2005 Opt. Laser Technol. 37 259 [5] Lin X, Guan Q F, Liu Y and Li H B 2010 Chin. Phys. B 19 107701 [6] Wu Y Y, Wang X H and Li L T 2010 Chin. Phys. B 19 037701 [7] Jo W, Cho H J, Noh T W, Cho Y S, Kwun S I, Byun Y T and Kim S H 1994 Ferroelectrics 152 139 [8] Scott J F 1998 Ferroelectrics Rev. 1 1 [9] Joshi P C, Krupanidhi S B and Mansingh A 1992 J. Appl. Phys. 72 5517 [10] Fouscova A and Cross L E 1968 J. Appl. Phys. 39 2268 [11] Simoes A Z, Gonzalez A H M, Riccardi C S, Souza E C, Moura F, Zaghete M A, Longo E and Varela J A 2004 J. Electroceram. 13 65 [12] Cui C E, Huang P and Xu T X 2006 Acta Phys. Sin. 55 1464 (in Chinese) [13] Lue Y G, Liang X L, Tan Y H, Zheng X J, Gong Y Q and He L 2011 Acta Phys. Sin. 60 027701 (in Chinese) [14] Shao T Q, Ren T L,Wei C G,Wang X N, Li C X, Liu J S, Liu L T, Zhu J and Li Z J 2003 Integr. Ferroelectr. 57 1241 [15] Xu Z, Goux L, Kaczer B, Vander Meeren H, Wouters D J and [16] Ishiwara H 2004 Top. Appl. Phys. 93 233 [17] BozgeyikMS, Cross J S, Ishiwara H and Shinozaki K 2010 Microelectron. Eng. 87 2173 [18] M Okuyama and Y Ishibashi 2005 Ferroelectric Thin Films Basic Properties and Device Physics for Memory Applications (New York: Springer) [19] Wu S Y 1974 IEEE Trans. Electron. Dev. ED-21 499 Microelectron. Eng. 85 81 [20] Tataroğlu A, Altındal S¸ , Aydemir U and Uslu H 2010 Optoelectron. Adv. Mat. 4 616 [21] Lin X, Guan Q F, Liu Y and Li H B 2010 Chin. Phys. B 19 107701 [22] Wu Y Y, Wang X H and Li L T 2010 Chin. Phys. B 19 037701 [23] Nicollian E H and Brews J R 1982 MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (New York: Wiley) [24] Walter T, Herberholz R, Muller C and Schock HW1996 J. Appl. Phys. 80 4411 [25] Nicollian E H and Goetzberger A 1967 Bell. System Tech. J. 46 1055 [26] Yıldırım M, Eroğlu A, Altındal S¸ and Durmus¸ P 2011 J. Optoelectron.Adv. M. 13 98 [27] Chattopadhyay P and Raychaudhuri B 1993 Solid State Electron. 36 605 [28] Dökme˙I and Altındal S¸ 2011 IEEE Trans. Electron Dev. 58 4042 [30] Altındal S¸ and Uslu H 2011 J. Appl. Phys. 109 074503 [31] Uslu H, Dokme ˙I, Afadiyeva I M and Altındal S¸ 2010 Surf. Interface Anal. 42 807 [32] Pakma O, Serin N, Serin T and Altındal S¸ 2009 J. Sol-Gel Sci. Technol. 50 28
Details
Primary Language
Turkish
Subjects
Engineering
Journal Section
Research Article
Authors
Perihan Durmuş
Gazi Üniversitesi
Türkiye
Publication Date
June 30, 2018
Submission Date
October 26, 2017
Acceptance Date
December 14, 2017
Published in Issue
Year 2018 Volume: 6 Number: 2
APA
Durmuş, P. (2018). Metal/Ferro-elektrik/Yarıiletken (Au/Bi4Ti3O12/n-Si) (MFS) Yapıların Hazırlanması ve Kompleks Dielektrik ile Elektrik Modülüsün 1 MHz için Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım Ve Teknoloji, 6(2), 336-344. https://doi.org/10.29109/http-gujsc-gazi-edu-tr.346777
AMA
1.Durmuş P. Metal/Ferro-elektrik/Yarıiletken (Au/Bi4Ti3O12/n-Si) (MFS) Yapıların Hazırlanması ve Kompleks Dielektrik ile Elektrik Modülüsün 1 MHz için Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi. GUJS Part C. 2018;6(2):336-344. doi:10.29109/http-gujsc-gazi-edu-tr.346777
Chicago
Durmuş, Perihan. 2018. “Metal/Ferro-Elektrik/Yarıiletken/(Au/Bi4Ti3O12/N-Si)/(MFS)/Yapıların/Hazırlanması/Ve/Kompleks/Dielektrik/Ile/Elektrik/Modülüsün/1/MHz/Için/Sıcaklığa/Bağlı/İncelenmesi”. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım Ve Teknoloji 6 (2): 336-44. https://doi.org/10.29109/http-gujsc-gazi-edu-tr.346777.
EndNote
Durmuş P (June 1, 2018) Metal/Ferro-elektrik/Yarıiletken (Au/Bi4Ti3O12/n-Si) (MFS) Yapıların Hazırlanması ve Kompleks Dielektrik ile Elektrik Modülüsün 1 MHz için Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji 6 2 336–344.
IEEE
[1]P. Durmuş, “Metal/Ferro-elektrik/Yarıiletken (Au/Bi4Ti3O12/n-Si) (MFS) Yapıların Hazırlanması ve Kompleks Dielektrik ile Elektrik Modülüsün 1 MHz için Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi”, GUJS Part C, vol. 6, no. 2, pp. 336–344, June 2018, doi: 10.29109/http-gujsc-gazi-edu-tr.346777.
ISNAD
Durmuş, Perihan. “Metal/Ferro-Elektrik/Yarıiletken/(Au/Bi4Ti3O12/N-Si)/(MFS)/Yapıların/Hazırlanması/Ve/Kompleks/Dielektrik/Ile/Elektrik/Modülüsün/1/MHz/Için/Sıcaklığa/Bağlı/İncelenmesi”. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji 6/2 (June 1, 2018): 336-344. https://doi.org/10.29109/http-gujsc-gazi-edu-tr.346777.
JAMA
1.Durmuş P. Metal/Ferro-elektrik/Yarıiletken (Au/Bi4Ti3O12/n-Si) (MFS) Yapıların Hazırlanması ve Kompleks Dielektrik ile Elektrik Modülüsün 1 MHz için Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi. GUJS Part C. 2018;6:336–344.
MLA
Durmuş, Perihan. “Metal/Ferro-Elektrik/Yarıiletken/(Au/Bi4Ti3O12/N-Si)/(MFS)/Yapıların/Hazırlanması/Ve/Kompleks/Dielektrik/Ile/Elektrik/Modülüsün/1/MHz/Için/Sıcaklığa/Bağlı/İncelenmesi”. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım Ve Teknoloji, vol. 6, no. 2, June 2018, pp. 336-44, doi:10.29109/http-gujsc-gazi-edu-tr.346777.
Vancouver
1.Perihan Durmuş. Metal/Ferro-elektrik/Yarıiletken (Au/Bi4Ti3O12/n-Si) (MFS) Yapıların Hazırlanması ve Kompleks Dielektrik ile Elektrik Modülüsün 1 MHz için Sıcaklığa Bağlı İncelenmesi. GUJS Part C. 2018 Jun. 1;6(2):336-44. doi:10.29109/http-gujsc-gazi-edu-tr.346777
