Research Article

Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi

Volume: 7 Number: 3 September 27, 2019

Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi

Abstract

Gelişmekte olan teknoloji ile birlikte optoelektronik, enerji çevrimi, nanomedikal uygulamaları ve katalizör malzemeler gibi pek çok alanda teknolojinin minyatürleşmesi sebebiyle nano-boyutta malzeme üretiminin gerekliliği önem kazanmıştır. Bu sebeple son zamanlarda yapılan bilimsel çalışmalar atomik-boyutta ince film kaplama ve büyütme teknolojilerine odaklanmışlardır. Tam da bu noktada, atomik-boyutta üstün kaliteli kaplamalar yapmaya imkân sağlayan atomik katman biriktirme (ALD) ince film üretim tekniği devreye girmektedir. Bu çalışmada, ALD tekniği hakkında temel bilgi verilmiş, ALD kullanılarak 200 ºC taban sıcaklığında silisyum yongalar üzerine ZnO, TiO2 ve Al2O3 ince filmler kaplanmıştır. Homojen yüzeyli ince film kaplamaların yapılabilmesi için öncelikle deneysel parametreler değiştirilerek farklı tekrarlarda üretimler gerçekleştirilmiştir ve en uygun deney koşulları belirlenmiştir. Detaylı karakterizasyon işlemleri en uygun üretim koşulları altında kaplama homojenliği sağlayabilmiş ZnO, TiO2 ve Al2O3 ince filmler için yapılmıştır. Üretilen filmlerin homojen bir yapıya sahip olup olmadığını belirlemek için spektroskopik elipsometri tekniği kullanılarak çeşitli noktalarından kalınlıkları saptanmıştır. Ayrıca kristal yapıları hakkında bilgi edinmek adına X-ışını kırınım desenleri incelenmiştir. 

Keywords

Thanks

Bu çalışma, 07/2015-08 ve 07/2016-11 numaralı Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri desteğine ve Okyay Technology R&D tarafından desteklendi.

References

  1. Kaynaklar (References)
  2. [1] Lin, Y, S., Cheng, P, H., Huang, K, W., Lin, H, C., Chen, M, J, Atomic layer deposition of sub-10 nm high-K gate dielectrics on top-gated MoS2 transistors without surface functionalization, Appl, Surf, Sci, 443(421-428), (2018).
  3. [2] Kim, H., Park, T., Park, S., Leem, M., Ahn, W., Lee, H., Kim, Y, Ultrathin monolithic HfO2 formed by Hf-seeded atomic layer deposition on MoS2: Film characteristics and its transistor application, Thin Solid Films, 673(112–118), (2019).
  4. [3] Walker, B., Pradhan, A, K., Xiao, B, Low temperature fabrication of high performance ZnO thin film transistors with high-k dielectrics, Solid-State Electron, 111(58-61), (2015).
  5. [4] Groner, M, D., and George, S, M, (2003). High-k dielectrics grown by atomic layer deposition: Capacitor and gate applications, Interlayer Dielectrics for Semiconductor Technologies, Academic Press (327-348). [5] Jakschik, S., Schroeder, U., Hecht, T., Krueger, D., Dollinger, D., Bergmaier, A., Luhmann, C., Bartha, J,W, Physical characterization of thin ALD–Al2O3 films, Appl, Surf, Sci., 211(1-4) (352-359), (2003).
  6. [6] Yu, Y., Yang, F., Mao, S., Zhu, S., Jia, Y., Yuan, L., Salmen, M., Sun, B, Effect of anodic oxidation time on resistive switching memory behavior based on amorphous TiO2 thin films device, Chem, Phys, Lett., 706(477–482), (2018).
  7. [7] Mroczynski, R., Taube, A., Gierałtowska, S., Guziewicz, E., Godlewski, M, Application of deposited by ALD HfO2 and Al2O3 layers in double-gate dielectric stacks for non-volatile semiconductor memory (NVSM) device, Appl, Surf, Sci., 258(8366–8370), (2012).
  8. [8] Kameshwar K, Yadavallia, Alexei O, Orlova, Gregory L, Snidera, Jeffrey Elam, Aluminum oxide tunnel barriers for single electron memory devices, Microelectron, J., 36(272–276), (2005),

Details

Primary Language

Turkish

Subjects

Engineering

Journal Section

Research Article

Authors

Meryem Polat Gönüllü This is me
Türkiye

Publication Date

September 27, 2019

Submission Date

July 17, 2019

Acceptance Date

August 6, 2019

Published in Issue

Year 2019 Volume: 7 Number: 3

APA
Ateş, H., & Polat Gönüllü, M. (2019). Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım Ve Teknoloji, 7(3), 649-660. https://doi.org/10.29109/gujsc.593292
AMA
1.Ateş H, Polat Gönüllü M. Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi. GUJS Part C. 2019;7(3):649-660. doi:10.29109/gujsc.593292
Chicago
Ateş, Hakan, and Meryem Polat Gönüllü. 2019. “Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi”. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım Ve Teknoloji 7 (3): 649-60. https://doi.org/10.29109/gujsc.593292.
EndNote
Ateş H, Polat Gönüllü M (September 1, 2019) Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji 7 3 649–660.
IEEE
[1]H. Ateş and M. Polat Gönüllü, “Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi”, GUJS Part C, vol. 7, no. 3, pp. 649–660, Sept. 2019, doi: 10.29109/gujsc.593292.
ISNAD
Ateş, Hakan - Polat Gönüllü, Meryem. “Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi”. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji 7/3 (September 1, 2019): 649-660. https://doi.org/10.29109/gujsc.593292.
JAMA
1.Ateş H, Polat Gönüllü M. Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi. GUJS Part C. 2019;7:649–660.
MLA
Ateş, Hakan, and Meryem Polat Gönüllü. “Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi”. Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım Ve Teknoloji, vol. 7, no. 3, Sept. 2019, pp. 649-60, doi:10.29109/gujsc.593292.
Vancouver
1.Hakan Ateş, Meryem Polat Gönüllü. Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi. GUJS Part C. 2019 Sep. 1;7(3):649-60. doi:10.29109/gujsc.593292

Cited By

                                TRINDEX     16167        16166    21432    logo.png

      

    e-ISSN:2147-9526