Atomik Katman Biriktirme Tekniğine Genel Bakış: Zno, Tio2 Ve Al2o3 Filmlerin Üretimi
Öz
Gelişmekte olan teknoloji ile birlikte optoelektronik, enerji çevrimi, nanomedikal uygulamaları ve katalizör malzemeler gibi pek çok alanda teknolojinin minyatürleşmesi sebebiyle nano-boyutta malzeme üretiminin gerekliliği önem kazanmıştır. Bu sebeple son zamanlarda yapılan bilimsel çalışmalar atomik-boyutta ince film kaplama ve büyütme teknolojilerine odaklanmışlardır. Tam da bu noktada, atomik-boyutta üstün kaliteli kaplamalar yapmaya imkân sağlayan atomik katman biriktirme (ALD) ince film üretim tekniği devreye girmektedir. Bu çalışmada, ALD tekniği hakkında temel bilgi verilmiş, ALD kullanılarak 200 ºC taban sıcaklığında silisyum yongalar üzerine ZnO, TiO2 ve Al2O3 ince filmler kaplanmıştır. Homojen yüzeyli ince film kaplamaların yapılabilmesi için öncelikle deneysel parametreler değiştirilerek farklı tekrarlarda üretimler gerçekleştirilmiştir ve en uygun deney koşulları belirlenmiştir. Detaylı karakterizasyon işlemleri en uygun üretim koşulları altında kaplama homojenliği sağlayabilmiş ZnO, TiO2 ve Al2O3 ince filmler için yapılmıştır. Üretilen filmlerin homojen bir yapıya sahip olup olmadığını belirlemek için spektroskopik elipsometri tekniği kullanılarak çeşitli noktalarından kalınlıkları saptanmıştır. Ayrıca kristal yapıları hakkında bilgi edinmek adına X-ışını kırınım desenleri incelenmiştir.
Anahtar Kelimeler
Teşekkür
Kaynakça
- Kaynaklar (References)
- [1] Lin, Y, S., Cheng, P, H., Huang, K, W., Lin, H, C., Chen, M, J, Atomic layer deposition of sub-10 nm high-K gate dielectrics on top-gated MoS2 transistors without surface functionalization, Appl, Surf, Sci, 443(421-428), (2018).
- [2] Kim, H., Park, T., Park, S., Leem, M., Ahn, W., Lee, H., Kim, Y, Ultrathin monolithic HfO2 formed by Hf-seeded atomic layer deposition on MoS2: Film characteristics and its transistor application, Thin Solid Films, 673(112–118), (2019).
- [3] Walker, B., Pradhan, A, K., Xiao, B, Low temperature fabrication of high performance ZnO thin film transistors with high-k dielectrics, Solid-State Electron, 111(58-61), (2015).
- [4] Groner, M, D., and George, S, M, (2003). High-k dielectrics grown by atomic layer deposition: Capacitor and gate applications, Interlayer Dielectrics for Semiconductor Technologies, Academic Press (327-348). [5] Jakschik, S., Schroeder, U., Hecht, T., Krueger, D., Dollinger, D., Bergmaier, A., Luhmann, C., Bartha, J,W, Physical characterization of thin ALD–Al2O3 films, Appl, Surf, Sci., 211(1-4) (352-359), (2003).
- [6] Yu, Y., Yang, F., Mao, S., Zhu, S., Jia, Y., Yuan, L., Salmen, M., Sun, B, Effect of anodic oxidation time on resistive switching memory behavior based on amorphous TiO2 thin films device, Chem, Phys, Lett., 706(477–482), (2018).
- [7] Mroczynski, R., Taube, A., Gierałtowska, S., Guziewicz, E., Godlewski, M, Application of deposited by ALD HfO2 and Al2O3 layers in double-gate dielectric stacks for non-volatile semiconductor memory (NVSM) device, Appl, Surf, Sci., 258(8366–8370), (2012).
- [8] Kameshwar K, Yadavallia, Alexei O, Orlova, Gregory L, Snidera, Jeffrey Elam, Aluminum oxide tunnel barriers for single electron memory devices, Microelectron, J., 36(272–276), (2005),
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
Mühendislik
Bölüm
Araştırma Makalesi
Yayımlanma Tarihi
27 Eylül 2019
Gönderilme Tarihi
17 Temmuz 2019
Kabul Tarihi
6 Ağustos 2019
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2019 Cilt: 7 Sayı: 3
Cited By
Insight of mechanical and morphological properties of ALD- Al2O3 films in point of structural properties
Applied Physics A
https://doi.org/10.1007/s00339-021-04601-xThe Effect of Annealing Technique on ZnO Film Properties
GAZI UNIVERSITY JOURNAL OF SCIENCE
https://doi.org/10.35378/gujs.872959The Attitude of ZnO/Al2O3 Film Produced by Ultrasonic Spray Pyrolysis Under Thermal Annealing
Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji
https://doi.org/10.29109/gujsc.1137863Dynamics in between Structural and Electrical Properties of as Grown ZnO Thin Films by Thermal ALD
Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji
https://doi.org/10.29109/gujsc.1348409
