Research Article

MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi

Volume: 9 Number: 1 March 1, 2019
EN TR

MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi

Abstract

Bu çalışmada sadece MOSFET’lerden oluşan endüktans benzetimi devresi sunulmuştur. Ana yapı olarak sadece iki transistordan ve bir topraklı kapasiteden meydana gelmiştir. Kutuplanması yapılmış tüm yapı ise sadece beş transistordan oluşmaktadır. Devrede harici kapasite yerine MOS-kapasite kullanılmıştır. Devrenin endüktans değeri elektronik olarak ayarlanmaktadır. Devrenin serimi Cadence programı yardımıyla çizilmiş ve serim sonrası benzetimler makaleye eklenmiştir. Ayrıca sunulan endüktans benzetiminin performansını belirtmek amacıyla ikinci dereceden gerilim-modlu band-geçiren filtre devresi kurulmuştur. Benzetim sonuçları teorik sonuçlar ile uyum içinde olduğu görülmektedir.

Keywords

References

  1. Alpaslan H, Yuce E, 2011. Bandwidth expansion methods of inductance simulator circuits and voltage-mode biquads. Journal of Circuits, Systems and Computers, 20(3):557–572.
  2. Chang CM, Wang HY, Chien CC, 1994. Realization of series impedance functions using one CCII +. International Journal of Electronics, 76(1):83–85.
  3. Cicekoglu MO, 1998, Active simulation of grounded inductors with CCII+s and grounded passive elements. International Journal of Electronics, 85(4):455–462.
  4. Kacar F, Yesil A, 2010. Novel grounded parallel inductance simulators realization using a minimum number of active and passive components. Microelectronics Journal, 41(10):632–638.
  5. Kacar F, Yesil A, Minaei S, Kuntman H, 2014. Positive/negative lossy/lossless grounded inductance simulators employing single VDCC and only two passive elements. AEU - International Journal of Electronics and Communications, 68(1):73–78.
  6. Konal M, Kacar F, 2017. MOS Only Grounded Active Inductor Circuits and Their Filter Applications. Journal of Circuits, Systems and Computers, 26(6), 1750098.
  7. Minaei S, Yuce E, 2012. A simple CMOS-based inductor simulator and frequency performance improvement techniques. AEU - International Journal of Electronics and Communications, 66(11): 884–891.
  8. Pathak JK, Singh AK, Senani R, 2016. New canonic lossy inductor using a single CDBA and its application. International Journal of Electronics, 103(1):1–13

Details

Primary Language

Turkish

Subjects

Electrical Engineering

Journal Section

Research Article

Publication Date

March 1, 2019

Submission Date

May 29, 2018

Acceptance Date

September 5, 2018

Published in Issue

Year 2019 Volume: 9 Number: 1

APA
Babacan, Y., & Yesıl, A. (2019). MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi. Journal of the Institute of Science and Technology, 9(1), 30-38. https://doi.org/10.21597/jist.428412
AMA
1.Babacan Y, Yesıl A. MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi. J. Inst. Sci. and Tech. 2019;9(1):30-38. doi:10.21597/jist.428412
Chicago
Babacan, Yunus, and Abdullah Yesıl. 2019. “MOSFET Tabanlı Kayıplı Endüktans Benzetimi”. Journal of the Institute of Science and Technology 9 (1): 30-38. https://doi.org/10.21597/jist.428412.
EndNote
Babacan Y, Yesıl A (March 1, 2019) MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi. Journal of the Institute of Science and Technology 9 1 30–38.
IEEE
[1]Y. Babacan and A. Yesıl, “MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi”, J. Inst. Sci. and Tech., vol. 9, no. 1, pp. 30–38, Mar. 2019, doi: 10.21597/jist.428412.
ISNAD
Babacan, Yunus - Yesıl, Abdullah. “MOSFET Tabanlı Kayıplı Endüktans Benzetimi”. Journal of the Institute of Science and Technology 9/1 (March 1, 2019): 30-38. https://doi.org/10.21597/jist.428412.
JAMA
1.Babacan Y, Yesıl A. MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi. J. Inst. Sci. and Tech. 2019;9:30–38.
MLA
Babacan, Yunus, and Abdullah Yesıl. “MOSFET Tabanlı Kayıplı Endüktans Benzetimi”. Journal of the Institute of Science and Technology, vol. 9, no. 1, Mar. 2019, pp. 30-38, doi:10.21597/jist.428412.
Vancouver
1.Yunus Babacan, Abdullah Yesıl. MOSFET tabanlı kayıplı Endüktans benzetimi. J. Inst. Sci. and Tech. 2019 Mar. 1;9(1):30-8. doi:10.21597/jist.428412