Research Article

Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi

Volume: 11 Number: 4 December 15, 2021
EN TR

Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi

Abstract

İçten dışa eş-eksenli silindirik 𝐴𝑙𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥1𝐺𝑎1−𝑥1𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥2𝐺𝑎1−𝑥2𝐴𝑠 katmanlarından oluşan bir kuantum telindeki ağır-deşik ve hafif-deşik eksitonlarının bağlanma enerjileri dış elektrik alan etkisi altında elde edilmiştir. Hesaplamalar sayısal olarak 4. Derece Runge-Kutta ve varyasyonel yaklaşım yöntemlerinin birleşimi kullanılarak yapılmıştır. Eksiton bağlanma enerjileri yapıdaki GaAs tel kalınlıklarına ve uygulanan dış elektrik alan şiddetine bağlı olarak bulunmuştur. Sonuçlar eksiton bağlanma enerjilerinin belli yapısal parametre değerlerinde teknolojide kullanışlı olabileceği düşünülen keskin değişimler gösterdiği ve elektrik alanın da bağlanma enerjileri üzerinde önemli etkilere sahip olduğu gözlenmiştir.

Keywords

References

  1. Aktas S, Boz FK, 2008.The binding energy of hydrogenic impurity in multilayered spherical quantum dot. Physica E, 40: 753–758.
  2. Aktas S, Boz FK, Bilekkaya A, Okan SE, 2009. The electronic properties of a coaxial square GaAs/AlxGa1_xAs quantum well wire in an electric field. Physica E, 41: 1572–1576.
  3. Aktas S, Boz FK, Dalgic SS, 2005. Electric and magnetic field effects on the binding energy of a hydrogenic donor impurity in a coaxial quantum well wire. Physica E, 28: 96–105.
  4. Akturk A, Sahin M, Koc F, Erdinc A, 2014. A detailed investigation of electronic and optical properties of the exciton, the biexciton and charged excitons in a multi-shell quantum dot nanocrystal. Journal of Physics D- Applied Physics, 47:28.
  5. Boz FK, Aktas S, Bilekkaya A, Okan SE, 2010. The multilayered spherical quantum dot under a magnetic field. Applied Surface Science, 256: 3832–3836.
  6. Boz FK, Aktas S, 2005. Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in coaxial GaAs/AlxGa1−xAs quantum well wires. Superlattices and Microstructures, 37: 281–291.
  7. Boz FK, Aktas S, Bilekkaya A, Okan SE, 2009. Geometric effects on energy states of a hydrogenic impurity in multilayered spherical quantum dot. Applied Surface Science, 255: 6561–6564.
  8. Chafaia A, Essaoudi I, Ainanea A, Dujardin F, Ahuja R, 2019. Binding energy of an exciton in a GaN/AlN nanodot: Role of size and external electric field. Physica B: Condensed Matter, 559: 23–28.

Details

Primary Language

Turkish

Subjects

Metrology, Applied and Industrial Physics

Journal Section

Research Article

Publication Date

December 15, 2021

Submission Date

January 26, 2021

Acceptance Date

June 10, 2021

Published in Issue

Year 2021 Volume: 11 Number: 4

APA
Bilekkaya, A. (2021). Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. Journal of the Institute of Science and Technology, 11(4), 2782-2789. https://doi.org/10.21597/jist.868773
AMA
1.Bilekkaya A. Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. J. Inst. Sci. and Tech. 2021;11(4):2782-2789. doi:10.21597/jist.868773
Chicago
Bilekkaya, Abdullah. 2021. “Eş-Eksenli Al, As Ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi”. Journal of the Institute of Science and Technology 11 (4): 2782-89. https://doi.org/10.21597/jist.868773.
EndNote
Bilekkaya A (December 1, 2021) Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. Journal of the Institute of Science and Technology 11 4 2782–2789.
IEEE
[1]A. Bilekkaya, “Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi”, J. Inst. Sci. and Tech., vol. 11, no. 4, pp. 2782–2789, Dec. 2021, doi: 10.21597/jist.868773.
ISNAD
Bilekkaya, Abdullah. “Eş-Eksenli Al, As Ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi”. Journal of the Institute of Science and Technology 11/4 (December 1, 2021): 2782-2789. https://doi.org/10.21597/jist.868773.
JAMA
1.Bilekkaya A. Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. J. Inst. Sci. and Tech. 2021;11:2782–2789.
MLA
Bilekkaya, Abdullah. “Eş-Eksenli Al, As Ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi”. Journal of the Institute of Science and Technology, vol. 11, no. 4, Dec. 2021, pp. 2782-9, doi:10.21597/jist.868773.
Vancouver
1.Abdullah Bilekkaya. Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. J. Inst. Sci. and Tech. 2021 Dec. 1;11(4):2782-9. doi:10.21597/jist.868773