The binding energies of the heavy-hole and light-hole excitons in a cylindrical quantum wires composed of coaxial 𝐴𝑙𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥1𝐺𝑎1−𝑥1𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥2𝐺𝑎1−𝑥2𝐴𝑠 layers from inside to outside are calculated under the external electric fields. The numerical calculations were carried out by combining 4th order Runge-Kutta method and variational approaches. The exciton binding energies were found as functions of inner GaAs wire thicknesses and the external electric field strengths. The results show that, the exciton binding energies exhibit sharp changes at the certain values of structural parameters and the electric field has significant effects on the binding energies. These properties are thought to be useful technological applications.
İçten dışa eş-eksenli silindirik 𝐴𝑙𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥1𝐺𝑎1−𝑥1𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥2𝐺𝑎1−𝑥2𝐴𝑠 katmanlarından oluşan bir kuantum telindeki ağır-deşik ve hafif-deşik eksitonlarının bağlanma enerjileri dış elektrik alan etkisi altında elde edilmiştir. Hesaplamalar sayısal olarak 4. Derece Runge-Kutta ve varyasyonel yaklaşım yöntemlerinin birleşimi kullanılarak yapılmıştır. Eksiton bağlanma enerjileri yapıdaki GaAs tel kalınlıklarına ve uygulanan dış elektrik alan şiddetine bağlı olarak bulunmuştur. Sonuçlar eksiton bağlanma enerjilerinin belli yapısal parametre değerlerinde teknolojide kullanışlı olabileceği düşünülen keskin değişimler gösterdiği ve elektrik alanın da bağlanma enerjileri üzerinde önemli etkilere sahip olduğu gözlenmiştir.
Primary Language | Turkish |
---|---|
Subjects | Metrology, Applied and Industrial Physics |
Journal Section | Fizik / Physics |
Authors | |
Publication Date | December 15, 2021 |
Submission Date | January 26, 2021 |
Acceptance Date | June 10, 2021 |
Published in Issue | Year 2021 |