Araştırma Makalesi

Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi

Cilt: 11 Sayı: 4 15 Aralık 2021
PDF İndir
EN TR

Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi

Öz

İçten dışa eş-eksenli silindirik 𝐴𝑙𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥1𝐺𝑎1−𝑥1𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐴𝑙𝑥2𝐺𝑎1−𝑥2𝐴𝑠 katmanlarından oluşan bir kuantum telindeki ağır-deşik ve hafif-deşik eksitonlarının bağlanma enerjileri dış elektrik alan etkisi altında elde edilmiştir. Hesaplamalar sayısal olarak 4. Derece Runge-Kutta ve varyasyonel yaklaşım yöntemlerinin birleşimi kullanılarak yapılmıştır. Eksiton bağlanma enerjileri yapıdaki GaAs tel kalınlıklarına ve uygulanan dış elektrik alan şiddetine bağlı olarak bulunmuştur. Sonuçlar eksiton bağlanma enerjilerinin belli yapısal parametre değerlerinde teknolojide kullanışlı olabileceği düşünülen keskin değişimler gösterdiği ve elektrik alanın da bağlanma enerjileri üzerinde önemli etkilere sahip olduğu gözlenmiştir.

Anahtar Kelimeler

Kaynakça

  1. Aktas S, Boz FK, 2008.The binding energy of hydrogenic impurity in multilayered spherical quantum dot. Physica E, 40: 753–758.
  2. Aktas S, Boz FK, Bilekkaya A, Okan SE, 2009. The electronic properties of a coaxial square GaAs/AlxGa1_xAs quantum well wire in an electric field. Physica E, 41: 1572–1576.
  3. Aktas S, Boz FK, Dalgic SS, 2005. Electric and magnetic field effects on the binding energy of a hydrogenic donor impurity in a coaxial quantum well wire. Physica E, 28: 96–105.
  4. Akturk A, Sahin M, Koc F, Erdinc A, 2014. A detailed investigation of electronic and optical properties of the exciton, the biexciton and charged excitons in a multi-shell quantum dot nanocrystal. Journal of Physics D- Applied Physics, 47:28.
  5. Boz FK, Aktas S, Bilekkaya A, Okan SE, 2010. The multilayered spherical quantum dot under a magnetic field. Applied Surface Science, 256: 3832–3836.
  6. Boz FK, Aktas S, 2005. Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in coaxial GaAs/AlxGa1−xAs quantum well wires. Superlattices and Microstructures, 37: 281–291.
  7. Boz FK, Aktas S, Bilekkaya A, Okan SE, 2009. Geometric effects on energy states of a hydrogenic impurity in multilayered spherical quantum dot. Applied Surface Science, 255: 6561–6564.
  8. Chafaia A, Essaoudi I, Ainanea A, Dujardin F, Ahuja R, 2019. Binding energy of an exciton in a GaN/AlN nanodot: Role of size and external electric field. Physica B: Condensed Matter, 559: 23–28.

Ayrıntılar

Birincil Dil

Türkçe

Konular

Metroloji,Uygulamalı ve Endüstriyel Fizik

Bölüm

Araştırma Makalesi

Yayımlanma Tarihi

15 Aralık 2021

Gönderilme Tarihi

26 Ocak 2021

Kabul Tarihi

10 Haziran 2021

Yayımlandığı Sayı

Yıl 2021 Cilt: 11 Sayı: 4

Kaynak Göster

APA
Bilekkaya, A. (2021). Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. Journal of the Institute of Science and Technology, 11(4), 2782-2789. https://doi.org/10.21597/jist.868773
AMA
1.Bilekkaya A. Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. Iğdır Üniv. Fen Bil Enst. Der. 2021;11(4):2782-2789. doi:10.21597/jist.868773
Chicago
Bilekkaya, Abdullah. 2021. “Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi”. Journal of the Institute of Science and Technology 11 (4): 2782-89. https://doi.org/10.21597/jist.868773.
EndNote
Bilekkaya A (01 Aralık 2021) Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. Journal of the Institute of Science and Technology 11 4 2782–2789.
IEEE
[1]A. Bilekkaya, “Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi”, Iğdır Üniv. Fen Bil Enst. Der., c. 11, sy 4, ss. 2782–2789, Ara. 2021, doi: 10.21597/jist.868773.
ISNAD
Bilekkaya, Abdullah. “Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi”. Journal of the Institute of Science and Technology 11/4 (01 Aralık 2021): 2782-2789. https://doi.org/10.21597/jist.868773.
JAMA
1.Bilekkaya A. Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. Iğdır Üniv. Fen Bil Enst. Der. 2021;11:2782–2789.
MLA
Bilekkaya, Abdullah. “Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi”. Journal of the Institute of Science and Technology, c. 11, sy 4, Aralık 2021, ss. 2782-9, doi:10.21597/jist.868773.
Vancouver
1.Abdullah Bilekkaya. Eş-eksenli Al, As ve Ga Alaşım Katmanlarından Oluşan Silindirik Kuantum Tellerinde Eksiton Bağlanma Enerjilerinin Dış Elektrik Alanlar Altında İncelenmesi. Iğdır Üniv. Fen Bil Enst. Der. 01 Aralık 2021;11(4):2782-9. doi:10.21597/jist.868773