Bu çalışmada, Bis(TSC)-Ph ve yeni Bis(Rh)-Ph organik malzemeleri sentezlendi ve diyot uygulamaları için arayüzey elemanı olarak kullanıldı. Al/Bis(TSC)-Ph/p-Si ve Al/ Bis(Rh)-Ph/p-Si Schottky diyotları termal buharlaştırma ve döndürme metodları ile fabrikasyonları yapıldı. Oda sıcaklığında 30kHz ile 5MHz aralığında çeşitli frekanslarda kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G-V) ölçümleri kullanılarak elektriksel parametreler incelendi. Aygıt performansında frekansın etkisi incelendi ve her bir diyot için karşılaştırıldı. Akseptör konsantrasyonu (Na), arayüzey durumları (Nss), Fermi seviyesi (Ef) ve bariyer yüksekliği (Φb) gibi bazı temel parametreler C-2-V ölçümlerinden hesaplandı. Bu sonuçlara göre, beklendiği gibi, rodanin grubunu içeren Bis (Rh)-Ph organik katmanının C-V ve G-V performansları için Bis (TSC)-Ph'den daha uygun olduğu tespit edilmiştir.
In the present study, organic materials Bis(TSC)-Ph and novel Bis(Rh)-Ph were synthesized and used such as interfacial layer for diode applications. Al/ Bis(TSC)-Ph/p type Si and Al/ Bis(Rh)-Ph/p type Si Schottky diodes were fabricated with spin coating and thermal evaporation methods. The electrical parameters were investigated by using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements at various frequencies from 30 kHz to 5 Mhz at room temperature. The effect of frequency on device performance was examined and compared with each other. The some basically parameters such as acceptor concentration (Na), interface states (Nss), Fermi level (Ef) and barrier height (𝛷𝐵) were also calculated from C-2-V measurements. According to these results, as expected, it was determined that Bis(Rh)-Ph organic layer, which is containing the rhodanine group, is more suitable than Bis(TSC)-Ph for C-V and G-V performances.
Primary Language | English |
---|---|
Subjects | Metrology, Applied and Industrial Physics |
Journal Section | Fizik / Physics |
Authors | |
Publication Date | September 1, 2019 |
Submission Date | March 3, 2019 |
Acceptance Date | April 8, 2019 |
Published in Issue | Year 2019 Volume: 9 Issue: 3 |