Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması
Abstract
İndiyum (In) omik kontaklı n-Si yarıiletkeni üzerinde döndürme kaplama yöntemi ile bakır ftalosiyanin (CuPc) organik ince film biriktirilmiştir. Doğrultucu kontak oluşturmak için altın (Au) metali ısısal buharlaştırma tekniği yardımı ile oluşturulmuştur. Sonuçta Au/CuPc/n-Si/In Schottky diyot yapısı üretilmiştir. İdealite faktörü, Schottky engel yüksekliği, doyma akımı, seri direnç ve şönt direnci gibi diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) ölçümleri yardımıyla araştırılmıştır. Au ve n-Si arasında biriktirilen CuPc ince filmi iyi bir doğrultma özelliği göstermiştir. Bu analizde, Schottky engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri oda sıcaklığında sırasıyla 0.757 eV ve 2.49 olarak belirlenmiştir. Sonuçlar, üretilen diyodun çeşitli optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir.
Keywords
Bakır ftalosiyanin,Schottky engel diyot,akım-gerilim,engel yüksekliği,idealite faktörü
Supporting Institution
GİRESUN ÜNİVERSİTESİ
Project Number
FEN-BAP-C-09112017-163
References
- Akgül, K.B. (2015). Aynı şartlar altında üretilen özdeş Au/n-Si (100) Schottky diyotlarda karakteristik parametrelerin belirlenmesi. Yüksek Lisans Tezi, Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.
- Akkılıç, K., Ocak, Y., Kılıçoğlu, T., Ilhan, S. And Temel, H. (2010). Calculation of current–voltage characteristics of a Cu (II) complex/n-Si/AuSb Schottky diode. Current Applied Physics, 10, 337-341.
- Aydin, M.E., Yakuphanoglu, F., Eom, J.-H. and Hwang, D.-H. (2007). Electrical characterization of Al/MEH-PPV/p-Si Schottky diode by current-voltage and capacitance-voltage methods. Physica B, 387, 239.
- Baraz, N., Yücedağ, İ., Demir, A., Ersöz, G., Altındal, Ş. and Kandaz, M. (2017). Controlling the electrical characteristics of Au/n‐Si structure with and without (biphenyl‐CoPc) and (OHSubs‐ZnPc) interfacial layers at room temperature. Polymers Advanced Technologies, 28, 952-957.
- Bao, Z., Lovinger, A.J. and Dodabalapur, A. (1996). “Organic field‐effect transistors with high mobility based on copper phthalocyanine. Applied Physics Letters, 69, 3066.
- Bohlin, K.H. (1986). Genaralized Norde plot including determination of the ideality factor. Journal of Applied Physics, 60, 1223-1224.
- Capelli, R., Toffanin, S., Generali, G., Usta, H., Facchetti, A. and Muccini, M. (2010). Organic light-emitting transistors with an efficiency that outperforms the equivalent light-emitting diodes. Nature Materials, 9, 496.
- Chen, X., Taguchi, D., Manaka, T. and Iwamoto, M. (2013). Study of blocking effect of Cu-phthalocyanine layer in zinc oxide/pentacene/CuPc/C60/Al organic solar cells by electric field-induced optical second harmonic generation measurement. Organic Electronics, 14, 320-325.
- Clark, J. and Lanzani, G. (2010). Organic photonics for communications. Nature Photonics, 4, 438.
- El-Nahass, M.M., Abd-ül-Rahman, K.F. and Darwish A.A.A. (2007). Fabrication and electrical characterization of p-NiPc/n-Si heterojunction. Microelectronics Journal, 38, 91-95.
