Araştırma Makalesi

Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması

Cilt: 10 Sayı: 1 15 Haziran 2020
Serkan Eymur , Nihat Tuğluoğlu *
PDF İndir
Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi Kapak Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
EN TR

Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması

Öz

İndiyum (In) omik kontaklı n-Si yarıiletkeni üzerinde döndürme kaplama yöntemi ile bakır ftalosiyanin (CuPc) organik ince film biriktirilmiştir. Doğrultucu kontak oluşturmak için altın (Au) metali ısısal buharlaştırma tekniği yardımı ile oluşturulmuştur. Sonuçta Au/CuPc/n-Si/In Schottky diyot yapısı üretilmiştir. İdealite faktörü, Schottky engel yüksekliği, doyma akımı, seri direnç ve şönt direnci gibi diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) ölçümleri yardımıyla araştırılmıştır. Au ve n-Si arasında biriktirilen CuPc ince filmi iyi bir doğrultma özelliği göstermiştir. Bu analizde, Schottky engel yüksekliği ve idealite faktörü değerleri oda sıcaklığında sırasıyla 0.757 eV ve 2.49 olarak belirlenmiştir. Sonuçlar, üretilen diyodun çeşitli optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir.

Anahtar Kelimeler

Bakır ftalosiyanin,Schottky engel diyot,akım-gerilim,engel yüksekliği,idealite faktörü

Destekleyen Kurum

GİRESUN ÜNİVERSİTESİ

Proje Numarası

FEN-BAP-C-09112017-163

Kaynakça

  1. Akgül, K.B. (2015). Aynı şartlar altında üretilen özdeş Au/n-Si (100) Schottky diyotlarda karakteristik parametrelerin belirlenmesi. Yüksek Lisans Tezi, Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.
  2. Akkılıç, K., Ocak, Y., Kılıçoğlu, T., Ilhan, S. And Temel, H. (2010). Calculation of current–voltage characteristics of a Cu (II) complex/n-Si/AuSb Schottky diode. Current Applied Physics, 10, 337-341.
  3. Aydin, M.E., Yakuphanoglu, F., Eom, J.-H. and Hwang, D.-H. (2007). Electrical characterization of Al/MEH-PPV/p-Si Schottky diode by current-voltage and capacitance-voltage methods. Physica B, 387, 239.
  4. Baraz, N., Yücedağ, İ., Demir, A., Ersöz, G., Altındal, Ş. and Kandaz, M. (2017). Controlling the electrical characteristics of Au/n‐Si structure with and without (biphenyl‐CoPc) and (OHSubs‐ZnPc) interfacial layers at room temperature. Polymers Advanced Technologies, 28, 952-957.
  5. Bao, Z., Lovinger, A.J. and Dodabalapur, A. (1996). “Organic field‐effect transistors with high mobility based on copper phthalocyanine. Applied Physics Letters, 69, 3066.
  6. Bohlin, K.H. (1986). Genaralized Norde plot including determination of the ideality factor. Journal of Applied Physics, 60, 1223-1224.
  7. Capelli, R., Toffanin, S., Generali, G., Usta, H., Facchetti, A. and Muccini, M. (2010). Organic light-emitting transistors with an efficiency that outperforms the equivalent light-emitting diodes. Nature Materials, 9, 496.
  8. Chen, X., Taguchi, D., Manaka, T. and Iwamoto, M. (2013). Study of blocking effect of Cu-phthalocyanine layer in zinc oxide/pentacene/CuPc/C60/Al organic solar cells by electric field-induced optical second harmonic generation measurement. Organic Electronics, 14, 320-325.
  9. Clark, J. and Lanzani, G. (2010). Organic photonics for communications. Nature Photonics, 4, 438.
  10. El-Nahass, M.M., Abd-ül-Rahman, K.F. and Darwish A.A.A. (2007). Fabrication and electrical characterization of p-NiPc/n-Si heterojunction. Microelectronics Journal, 38, 91-95.

Ayrıntılar

Birincil Dil

Türkçe

Konular

-

Bölüm

Araştırma Makalesi

Yazarlar

Yayımlanma Tarihi

15 Haziran 2020

Gönderilme Tarihi

31 Mart 2020

Kabul Tarihi

21 Nisan 2020

Yayımlandığı Sayı

Yıl 2020 Cilt: 10 Sayı: 1

DOI

https://doi.org/10.31466/kfbd.711892

IZ

https://izlik.org/JA77RY73SZ

Kaynak Göster

RIS / Bibtex
APA
Eymur, S., & Tuğluoğlu, N. (2020). Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması. Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi, 10(1), 230-242. https://doi.org/10.31466/kfbd.711892
AMA
1.Eymur S, Tuğluoğlu N. Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması. KFBD. 2020;10(1):230-242. doi:10.31466/kfbd.711892
Chicago
Eymur, Serkan, ve Nihat Tuğluoğlu. 2020. “Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması”. Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi 10 (1): 230-42. https://doi.org/10.31466/kfbd.711892.
EndNote
Eymur S, Tuğluoğlu N (01 Haziran 2020) Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması. Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi 10 1 230–242.
IEEE
[1]S. Eymur ve N. Tuğluoğlu, “Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması”, KFBD, c. 10, sy 1, ss. 230–242, Haz. 2020, doi: 10.31466/kfbd.711892.
ISNAD
Eymur, Serkan - Tuğluoğlu, Nihat. “Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması”. Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi 10/1 (01 Haziran 2020): 230-242. https://doi.org/10.31466/kfbd.711892.
JAMA
1.Eymur S, Tuğluoğlu N. Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması. KFBD. 2020;10:230–242.
MLA
Eymur, Serkan, ve Nihat Tuğluoğlu. “Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması”. Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi, c. 10, sy 1, Haziran 2020, ss. 230-42, doi:10.31466/kfbd.711892.
Vancouver
1.Serkan Eymur, Nihat Tuğluoğlu. Au/CuPc/n-Si/In Schottky Diyotunun Üretilmesi ve Akım-Gerilim Karakteristiklerinden Diyot Parametrelerinin Araştırılması. KFBD. 01 Haziran 2020;10(1):230-42. doi:10.31466/kfbd.711892


Karadeniz Fen Bilimleri Dergisinde yayınlanan makaleler Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International kapsamında lisanslanmıştır.