Research Article

PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Volume: 2 Number: 2 June 15, 2010
Bünyamin Şahin , Sedat Ağan
TR EN

PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Abstract

Yaptığımız bu deneysel çalışmada; SiOx yapı içerisinde oluşturulmuş Ge ve SiGe nanokristalleinin optiksel ve elektriksel özelliklerini TEM, Raman ve Fotoışıma spekroskopileri teknikleri yardımıyla araştırdık. SiOx yapı içerisindeki Ge nanokristaller farklı tavlama sürelerinde Plazma ile hızlandırılmış kimyasal buharlatırma tekniği (PECVD yardımıyla oluşturuldu. Çalışmamızın amacı SiOx yapı içerisindeki Ge ve SiGe nanokristallerin boyut ve boyut dağılımlarını tavlama sürecine bağlı olarak araştırmaktır. TEM, Raman ve Fotoışıma ölçümleri yardımıyla nanokristallerin karakteri

Keywords

Kuantum nokta yapı,PECVD,TEM,Fotoışıma,Silikon oksit

References

  1. [1] Wang Y Q , Kong G L at al. PPl. Phys.Lett. 202-281 (2002 ) [2] Shlimak I, Vagner and Safarov V I 2000 Proc. 25th Int. Conf. On the Phiysics of Semiconductors (Osake:Springer) [3] Optical properties of semiconductor nanocrystal, Gaponenko S. V., Cambridge University press (1998) [4] Nishii J. Kintaka K. Hosono H. Kawazone H. Kato M and Muta K Phys. Rev. B 60 7166 (1999) [5] Oha R, Sugiyama N and Uchida K IEDM Tech. Dig. 557 (2002) [6] Kanoun M, Souifi A, Baron T, Mazen F. Appl Phys Lett;84:5079 (2004). [7] Dana A., Ağan S., Tokay S., Aydınlı A., Finstand T. G. Phys. Sat. Sol. C 4,No.2,288-291 (2007). [8] Ağan S., Dana A. , Aydınlı A. , J. Phys. Condes. Matter. 18, 5037- 5045 (2006). [9] Brongersma M. L., Polman A., . Min K.S., Boer E., Tambo T. and AtwaterH.A. , Appl. Phys. Lett. 72 2577 (1998). [10] Neufeld E., Wang S., Apetz R., Buchal Ch., Carius R., White C. W. and Thomas D. K. , Thın Solid Films,294 238 (1997). [11] Wilkinson A. R., and Elliman R. G., Phys. Rev. B 68 155302 (2003). [12] Ağan. S,.Çelik-Aktaş A,.Zuo J.M, Dana A., Aydınlı A. Appl. Phys. A 83, 107-110 (2006). [13] Fuji M., Hayashi S. and Yamamoto K., Appl. Phys. Lett. 57 2692 (1990). [14] Fuji M., Hayashi S. and Yamamoto K., Jpn. J. Appl. Phys. 30 687 (1991) [15] K. Eberl, O.G. Schmit, R. Duschl, O. Kienzle, E. Ernst and Y. Rau, Thin Solid Films, 369, 33 (2000). [16] Talalaev G. , Cirlin G. E., Tonkikh A. A., Zakharov N. D. , Werner, Gösele P. U., Tomm J. W. and Elsaesser T. , Nanoscale Res. Lett, 1 (2) 137 (2006).
APA
Şahin, B., & Ağan, S. (2010). PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi. International Journal of Engineering Research and Development, 2(2), 43-47. https://izlik.org/JA35TE83PU
AMA
1.Şahin B, Ağan S. PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi. IJERAD. 2010;2(2):43-47. https://izlik.org/JA35TE83PU
Chicago
Şahin, Bünyamin, and Sedat Ağan. 2010. “PECVD Tekniği Ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge Ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman Ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri Ile İncelenmesi”. International Journal of Engineering Research and Development 2 (2): 43-47. https://izlik.org/JA35TE83PU.
EndNote
Şahin B, Ağan S (June 1, 2010) PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi. International Journal of Engineering Research and Development 2 2 43–47.
IEEE
[1]B. Şahin and S. Ağan, “PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi”, IJERAD, vol. 2, no. 2, pp. 43–47, June 2010, [Online]. Available: https://izlik.org/JA35TE83PU
ISNAD
Şahin, Bünyamin - Ağan, Sedat. “PECVD Tekniği Ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge Ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman Ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri Ile İncelenmesi”. International Journal of Engineering Research and Development 2/2 (June 1, 2010): 43-47. https://izlik.org/JA35TE83PU.
JAMA
1.Şahin B, Ağan S. PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi. IJERAD. 2010;2:43–47.
MLA
Şahin, Bünyamin, and Sedat Ağan. “PECVD Tekniği Ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge Ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman Ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri Ile İncelenmesi”. International Journal of Engineering Research and Development, vol. 2, no. 2, June 2010, pp. 43-47, https://izlik.org/JA35TE83PU.
Vancouver
1.Bünyamin Şahin, Sedat Ağan. PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi. IJERAD [Internet]. 2010 Jun. 1;2(2):43-7. Available from: https://izlik.org/JA35TE83PU