CdS filmleri, optoelektronikde ve heteroeklem güneş pillerinde kullanılmaktadır. Bu çalışmada, CdS ve In katkılı CdS filmleri (% 2, 8) ultrasonik kimyasal püskürtme tekniğiyle 300±5 C’de cam tabanlar üzerine depolanmıştır. Filmlerin elektriksel özdirençleri dört uç tekniği kullanılarak belirlenmiştir. Filmlerin kalınlıkları ve optik özellikleri spektroskopik elipsometre (SE) cihazı ile incelenmiştir. UV spektrofotometre cihazı ile geçirgenlik ve soğurma spektrumları alınmıştır. Atomik kuvvet mikroskobu (AKM) ile CdS filmlerinin yüzey topografisi üzerine In katkısının etkisi incelenmiştir
CdS:In filmleri atomik kuvvet mikroskobu UV spektrofotometre
CdS films have been used in optoelectronic devices and heterojunction solar cells. In this work, CdS and In doped CdS films (at the In percentages of 2 and 8) have been deposited onto glass substrates at 300±5 C by ultrasonic spray pyrolysis technique. Electrical resistivity of films has been determined by four-probe technique. Optical properties and thicknesses of the films have been examined by spectroscopic ellipsometry (SE). Transmission and absorbance spectra have been taken by UV spectrophotometer. Atomic force microscope (AFM) images have been taken to see the effect of In doping on surface topography
Diğer ID | JA22DB44KP |
---|---|
Bölüm | Araştırma Makalesi |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 1 Aralık 2012 |
Gönderilme Tarihi | 1 Aralık 2012 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2012 Cilt: 14 Sayı: 2 |