In this study, the
structural, morphological, optical and photovoltaic properties of La-(%1)-doped ZnS quantum dots (QDs) synthesized at room temperature using successive
ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method were investigated by x-ray
diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) optical absorption and
incident photon-to-electron conversion efficiency (IPCE),respectively.
It was observed that
the particle size and energy band gap of La-doped ZnS QDs were changed compared
to pure ZnS due to the La additive.Furthermore,
photovoltaic properties of La-doped ZnS QDs were investigated by IPCE
measurement for the first time in this current study. Thus, this study suggests
that La-doped ZnS QDs can be used as promising sensitizers in solar cell
applications.
Zinc sullfide photovoltaic characterization doping SILAR method
Bu çalışmada, ardışık iyonik tabaka adsorpsiyon ve reaksiyonu (SILAR)
yöntemi kullanılarak oda sıcaklığında sentezlenen La (%1)-katkılı ZnS
kuantum noktalarının (QDs) yapısal, morfolojikyüzeysel, optik ve
fotovoltaik özellikleri sırasıyla x- ray kırınımı (XRD), taramalı elektron
mikroskobu (SEM), opticabsorpsiyon optik absorpsiyon ve
gelen fotonun elektrik akımına dönüşüm verimi (IPCE) gibi ölçümler yapılarak
incelendi.
La katkı maddesinden dolayı La katkılı ZnS QD’lara ait
parçacık boyutu ve enerji band bant aralığının saf
ZnS’ye kıyasla değiştiği gözlemlendi. Ayrıca, ilk defa bu mecvcut mevcut çalışmada,
IPCE ölçümü yapılarak La katkılı ZnS QD’lara ait fotovoltaik özellikler
incelendi. Böylece, La katkılı ZnS QD’ların güneş pil uygulamalarında
umut verici hassaslaştırıcılar olarak kullanılabileceği bu çalışmada
önerilmektedir.
Çinko sülfür fotovoltaik karakterizasyon katkılama SILAR metod
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Araştırma Makalesi |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 1 Aralık 2018 |
Gönderilme Tarihi | 6 Nisan 2018 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2018 Cilt: 20 Sayı: 2 |