In this study, we find a strong link depending on the preparation annealing ambient conditions between structural disorders-defects and characteristic transition temperature parameters (offset, Tc offset and onset, Tc onset) of bulk Bi2.1Sr2.0Ca1.1Cu2.0Oy system for the first time. The superconducting samples are prepared at various annealing temperatures intervals 830°C -850°C with the temperature step of 10°C for annealing time ranging between 24 h and 48 h via traditional solid-state reaction route. The temperature-dependent resistivity measurements are conducted at temperature range of 30-140 K. The most ideal annealing ambient is obtained to be the combination of annealing temperature of 840 °C and annealing time of 24 h because of the enhancement in the formation possibility of strong cooper-pairs and optimization of itinerant charge carrier concentrations in the valence band. Similarly, the positive contributions are observed in the overlapping mechanism of wave functions between Cu-3d and O-2p electrons and especially logarithmic distribution of electronic state densities. The optimum annealing ambient makes the Bi-2212 system refine the structural problems and especially connectivity between the grains in the crystal structure. Conversely, the excess annealing ambient leads to increase considerably the grain misorientation, defects and grain boundary couplings due to the induced permanent problems in the crystal system. The highest correlated model shows that the Bi-2212 superconducting compounds with the minimum structural disorders in the short-range-ordered antiferromagnetic Cu-O2 layers exhibit the maximum Tc onset and Tc offset values of about 85.347 K (R2adj=0.9882) and 87.421 K (R2adj=0. 97465).
Bi-2212 superconducting ceramic compound Optimum annealing ambient structural disorders-defects.
-
-
-
Bu çalışmada, katı Bi-2212 süperiletken sisteminin yapısal bozukluklar-kusurlar ve kritik geçiş sıcaklıkları (başlangıç, Tc başlangıç ve ofset, Tc ofset) arasındaki ilişki hazırlık tavlama ortam koşullarına bağlı olarak ilk kez güçlü bir ilişki kurduk. Süperiletken malzemeler, geleneksel katı hal reaksiyon yolu ile 24 saat ila 48 saat arasında değişen tavlama süresi için 10°C sıcaklık adımı ile 830 °C - 850 °C arasındaki farklı tavlama sıcaklık aralıklarında hazırlandı. Sıcaklığa bağlı direnç ölçümleri 30-140 K sıcaklık aralığında yapıldı. Tüm deneysel ve teorik bulgular, tavlama ortamının temel karakteristik özellikleri önemli bir şekilde etkilediğini göstermektedir. En iyi tavlama ortamı, aktif elektron-fonon bağlantı özelliklerinin oluşum olasılığındaki artış ve gezici yük taşıyıcı konsantrasyonlarının optimizasyonu nedeniyle 840 °C 'lik tavlama sıcaklığının ve 24 saatlik sürenin kombinasyonu olduğu bulunmuştur. Benzer şekilde, Cu-3d ve O-2p elektronları arasındaki dalga fonksiyonlarının örtüşme mekanizmasında ve özellikle elektronik durum yoğunluklarının logaritmik dağılımında pozitif katkılar gözlendi. Ayrıca, uygun koşullardaki tavlama ortamı, Bi-2212 sisteminin kristal yapı kalitesini ve kristal yapıdaki taneler arasındaki etkileşimin iyileştirilmesini sağlamaktadır. Tersine, aşırı tavlama ortamı, kristal sistemdeki kalıcı kristal yapı problemlerinin önemli ölçüde artmasına neden olur. Ayrıca, en yüksek ilişkili model, kısa menzilli antiferromanyetik Cu-O2 katmanlarındaki minimum yapısal bozukluklara sahip Bi-2212 süper iletken malzemelerinin, maksimum Tc başlangıç ve Tc ofset değerleri sırasıyla yaklaşık 85.347 K (R2adj=0.9882) ve 87.421 K (r2adj=0.97465) olarak belirlenmiştir.
Bi-2212 süper iletken seramik bileşiği Optimum tavlama ortamı yapısal bozukluklar-kusurlar.
-
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Araştırma Makalesi |
Yazarlar | |
Proje Numarası | - |
Yayımlanma Tarihi | 7 Haziran 2021 |
Gönderilme Tarihi | 3 Şubat 2021 |
Kabul Tarihi | 5 Nisan 2021 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2021 Cilt: 10 Sayı: 2 |