Araştırma Makalesi
BibTex RIS Kaynak Göster

Investigation of Some Electrical Parameters of Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPS) Schottky Barrier Diodes Using Frequency Dependent Capacitance-Voltage (C-V) Characteristics

Yıl 2014, Cilt: 2 Sayı: 1, 227 - 234, 05.09.2014

Öz

The frequency dependent capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPS) Schottky barrier diode were investigated in the frequency range of 1kHz-1MHz at room temperature. The results show that the values of capacitance increases while the frequency decreases. Furthermore, the electrical parameters, such as diffusion potential (VD), doping concentration of donor atoms (ND), Fermi energy level (EF), depletion layer width (WD), maximum electric field (Em), barrier height (ΦB), Schottky barrier lowering (ΔΦB), were determined from the analysis of frequency dependent C-V measurements. As a result of this study, the basic electrical parameters of Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes deduced from C-V analysis are improved due to the P3HT:PCBM interfacial organic layer when compared with those of Au/n-Si (MS) Schottky barrier diodes.

Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi

Yıl 2014, Cilt: 2 Sayı: 1, 227 - 234, 05.09.2014

Öz

Bu çalışmada Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında 1kHz-1MHz frekans aralığında incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir. Ayrıca, difüzyon potansiyeli (VD), donör taşıyıcı yoğunluğu (ND), Fermi enerjisi (EF), tüketim tabakasının genişliği (WD) maksimum elektrik alan (Em), potansiyel bariyer yüksekliği (ΦB), Schottky engel alçalması (ΔΦB) gibi elektriksel parametreler frekansa bağlı C-V ölçümlerinin analizinden elde edilmiştir. Bu çalışmanın sonucunda, C-V analizinden elde edilen Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun temel elektriksel parametreleri, Au/n-Si (MY) Schottky bariyer diyotunkiler ile kıyaslandığında P3HT:PCBM arayüzey organik tabaka sayesinde geliştirilmiştir.

Toplam 0 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Birincil Dil Türkçe
Konular Mühendislik
Bölüm Makaleler
Yazarlar

Engin Yağlıoğlu Bu kişi benim

Özge Tüzün Özmen Bu kişi benim

Yayımlanma Tarihi 5 Eylül 2014
Yayımlandığı Sayı Yıl 2014 Cilt: 2 Sayı: 1

Kaynak Göster

APA Yağlıoğlu, E., & Özmen, Ö. T. (2014). Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. Duzce University Journal of Science and Technology, 2(1), 227-234.
AMA Yağlıoğlu E, Özmen ÖT. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DÜBİTED. Mart 2014;2(1):227-234.
Chicago Yağlıoğlu, Engin, ve Özge Tüzün Özmen. “Au/P3HT:PCBM/N-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri Ile İncelenmesi”. Duzce University Journal of Science and Technology 2, sy. 1 (Mart 2014): 227-34.
EndNote Yağlıoğlu E, Özmen ÖT (01 Mart 2014) Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. Duzce University Journal of Science and Technology 2 1 227–234.
IEEE E. Yağlıoğlu ve Ö. T. Özmen, “Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi”, DÜBİTED, c. 2, sy. 1, ss. 227–234, 2014.
ISNAD Yağlıoğlu, Engin - Özmen, Özge Tüzün. “Au/P3HT:PCBM/N-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri Ile İncelenmesi”. Duzce University Journal of Science and Technology 2/1 (Mart 2014), 227-234.
JAMA Yağlıoğlu E, Özmen ÖT. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DÜBİTED. 2014;2:227–234.
MLA Yağlıoğlu, Engin ve Özge Tüzün Özmen. “Au/P3HT:PCBM/N-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri Ile İncelenmesi”. Duzce University Journal of Science and Technology, c. 2, sy. 1, 2014, ss. 227-34.
Vancouver Yağlıoğlu E, Özmen ÖT. Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi. DÜBİTED. 2014;2(1):227-34.