Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri

Cilt: 4 Sayı: 1 1 Haziran 2015
M Benhaliliba , Ys Ocak , H Mokhtari , Ce Benouis , Ms Aida
PDF İndir
Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi Kapak Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
EN TR

Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri

Öz

Anahtar Kelimeler

Ultrasonik Püskürtme Proliz,ZnO film,I-V karakteristiği,Karanlık ve Aydınlık Pozlama,Doğrultma özelliği

Kaynakça

  1. M. Benhaliliba, C.E. Benouis, M.S. Aida, F. Yakuphanoglu, A. Sanchez Juarez, J. Sol-Gel Sci. Technol. (2010)doi 10.1007/s10971-010-2258-x.
  2. C.E. Benouis, M. Benhaliliba, A. Sanchez Juarez, M.S. Aida, F. Chami, F. 302 Yakuphanoglu, J. Alloys Compd. 490 (2010) 62-67.
  3. Y.S.Ocak, M. Kulakci, R. Turan, T. Kilicoglu, O. Gullu, Journal of Alloys and Compounds 509 (2011) 6631-6634.
  4. Gwang-Hee Nam, Seong-Ho Baek, Il-Kyu Park, Journal of Alloys and Compounds 613 (2014) 37-41.
  5. Y. Liu, J. Yu, P.T. Lai, International Journal of Hydrogen Energy 39 (2014) 10313-10319. [6] Y. S. Ocak, Journal of Alloys and Compounds 513 (2012) 130-134.
  6. M. Benhaliliba, C.E. Benouis, A. Tiburcio-Silver, Y.S. Ocak , EPJ Web of Conferences 44 03003 (2013) DOI: 10.1051/ epjconf/2013 44 03003.
  7. M. Benhaliliba, C.E. Benouis, Z. Mouffak, Y.S. Ocak, A. Tiburcio-Silver, M.S. Aida, A.A. Garcia, A. Tavira, A. Sanchez Juarez, Superlattices and Microstructures 63 (2013) 228-239.
  8. J. Herrán, I. Fernández, R. Tena-Zaera, E. Ochoteco, G. Cabanero, H. Grande, Sensors and Actuators B 174 (2012) 274-278.
  9. U. Ozgur, Y.I. Alivov, C. Liu, et al., J. Appl. Phys. 98 (2005) 041301.
  10. Sze, S.M., Kwok k. Ng 2007, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York.

Ayrıntılar

Birincil Dil

Türkçe

Konular

-

Bölüm

-

Yazarlar

M Benhaliliba Bu kişi benim

H Mokhtari Bu kişi benim

Ce Benouis Bu kişi benim

Yayımlanma Tarihi

1 Haziran 2015

Gönderilme Tarihi

-

Kabul Tarihi

-

Yayımlandığı Sayı

Yıl 2015 Cilt: 4 Sayı: 1

DOI

https://doi.org/10.1007/s10971-010-2258-x.

IZ

https://izlik.org/JA63AS72LB

Kaynak Göster

RIS / Bibtex
APA
Benhaliliba, M., Ocak, Y., Mokhtari, H., Benouis, C., & Aida, M. (2015). Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 4(1), 55-58. https://doi.org/10.1007/s10971-010-2258-x.
AMA
1.Benhaliliba M, Ocak Y, Mokhtari H, Benouis C, Aida M. Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. DÜFED. 2015;4(1):55-58. doi:10.1007/s10971-010-2258-x.
Chicago
Benhaliliba, M, Ys Ocak, H Mokhtari, Ce Benouis, ve Ms Aida. 2015. “Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri”. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 4 (1): 55-58. https://doi.org/10.1007/s10971-010-2258-x.
EndNote
Benhaliliba M, Ocak Y, Mokhtari H, Benouis C, Aida M (01 Haziran 2015) Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 4 1 55–58.
IEEE
[1]M. Benhaliliba, Y. Ocak, H. Mokhtari, C. Benouis, ve M. Aida, “Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri”, DÜFED, c. 4, sy 1, ss. 55–58, Haz. 2015, doi: 10.1007/s10971-010-2258-x.
ISNAD
Benhaliliba, M - Ocak, Ys - Mokhtari, H - Benouis, Ce - Aida, Ms. “Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri”. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi 4/1 (01 Haziran 2015): 55-58. https://doi.org/10.1007/s10971-010-2258-x.
JAMA
1.Benhaliliba M, Ocak Y, Mokhtari H, Benouis C, Aida M. Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. DÜFED. 2015;4:55–58.
MLA
Benhaliliba, M, vd. “Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri”. Dicle Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, c. 4, sy 1, Haziran 2015, ss. 55-58, doi:10.1007/s10971-010-2258-x.
Vancouver
1.M Benhaliliba, Ys Ocak, H Mokhtari, Ce Benouis, Ms Aida. Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diyotunun Güneş Pili Uygulamaları İçin Mikroelektronik Parametreleri. DÜFED. 01 Haziran 2015;4(1):55-8. doi:10.1007/s10971-010-2258-x.

DUFED is indexed/abstracted/enlisted in

Google Scholar | CABI - CAB Abstracts and Global Health | CAS Chemical Abstracts Service | ROAD Directory of Open Access Scholarly Resources | Index Copernicus | CiteFactor Academic Scientific Journals | BASE Bielefeld Academic Search Engine | Open AIRE | IJIFACTOR | ASOS Index | Paperity Open Science Aggregated | I2OR International Institute of Organized Research | SJIF Scientific Journal Impact Factor | Advanced Science Index | DRJI Directory of Research Journals Indexing | SOBİAD | AcarIndex | SIS Scientific Indexing Services | Crossref | Harman Türkiye Akademik Arşivi | AccessOn | Dimensions | Wizdom | OUCI The Open Ukrainian Citation Index | WorldCat | Scilit | ASCI Asian Science Citation Index

  cc.logo.large.png       Creative Commons License

DUFED is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License. 

28576
DUFED is a diamond open-access journal which means that all content is freely available without charge to the user or his/her institution. Users are allowed to read, download, copy, distribute, print, search, or link to the full texts of the articles, or use them for any other lawful purpose, without asking prior permission from the publisher or the author. This is in accordance with the BOAI definition of open access. In addition, authors are not charged article processing fees or publication fees - no fees whatsoever. Importantly, authors retain the copyright of their work and allow it to be shared and reused, provided that it is correctly cited.

 https://doi.org/10.55007/dufed.xxxxxxx