Öz
B4C Takviyeli Al-Si tozları, düşük enerjili döner bilyeli öğütme (Rotating Ball Mill) cihazında oda sıcaklığında 4 farklı bileşim olarak alaşımlandırılmıştır. Bilyeli öğütme, (Tablo 1). 10 g toz karışımı, 1/4" çaplı 68 adet ve 3/8" çaplı 38 adet paslanmaz çelik bilye 250 ml kapasiteli şişede 100 dev/dak da 3 saat karıştırılmıştır. Bilyenin toz kütleye oranı yaklaşık 23:1 dir. Öğütme işlemi, öğütme esnasında metaller arası bileşiklerin oluşmasını önlemek için argon gazı atmosferinde gerçekleştirilmiştir.
Bu işlem, düşük enerjili öğütme işleminin, nihai mikroyapı ve malzemelerin özellikleri üzerindeki olası etkilerini gözlemlemek için gerçekleştirilmiştir. Mekanik olarak alaşımlanmış toz karışımları, koruyucu gaz atmosferinde billet üretmek üzere sinterlenmiştir. Daha sonra billetler parlatılmıştır, sinterlenmiş billetlerin mikro yapıları, taramalı elektron mikroskopu (SEM) ve optik mikroskop (OM) ile araştırılmıştır. Toz karışımları, fazların incelenmesi için X-ışını kırınımı (XRD) ile analiz edilmiştir. SiC parçacıklarının kompozit matriste düzgün şekilde dağılmış olduğu görülmüştür. Öğütme ile kristal boyutundaki azalmadan dolayı matris tanelerinin boyutu azaldığı, sertliğinin ve dolayısıyla gevrekliğinin artığı tespit edilmiştir.