Son zamanlarda, nanopartiküllerin üretiminde kullanılan bilinen yöntemlerin yanı sıra yeşil sentez yönteminin kullanılması araştırmacılar tarafından büyük ilgi görmüştür. Bu çalışmada ilk kez literatürde, karanlık koşullar altında Luria-Bertani OG1 besiyerinde özel bir bakteri kullanarak yeni bir yeşil sentez yöntemi yaklaşımıyla selen katkılı grafen oksit nanoparçacıklarının (GO: Se-NPs) üretilmesi sağlandı. Bu işlemden sonra biyosentezlenmiş GO: Se-NPs solisyonu elde edildi. Bu çözelti p-Si altlık üzerine damlatıldı ve tavlama ile GO: Se ince filmi oluşturuldu. İnce film numunelerinin karakterizasyonu, ultraviyole görünür spektrofotometre (UV-VIS), X-ışını difraksiyonu (XRD), alan emisyon taramalı elektron mikroskobu (FE-SEM) ile beraber olan enerji dağılımlı X-ışını spektroskopisi (EDS) teknikleri kullanılarak yapıldı. UV-VIS ölçümleri, GO: Se ince filminin bant aralık enerjisinin (1.70 eV) olduğu ortaya konmuş ve bu değer ilk kez bu çalışma ile literature girmiştir. XRD ölçümlerinde GO: Se / p-Si yapısının çok kristalli bir yapıya sahip olduğu görülmüştür. Diğer taraftan, FE-SEM görüntüsü ise nanometre ölçeğine sahip tabakalı ve kristal yapıların oldukça düzenli ve homojen bir şekilde dağıldıklarını göstermektedir. Öte yandan, akım- gerilimi (I-V) ölçümleri, Ag doğrultucu ve Al omik kontaklı GO: Se / p-Si hetero-yapısının bir diyot davranışı gösterdiğini
kanıtlamıştır.
Recently, nanoparticle production through the use of green synthesis
method as well as the known methods used in the production of nanoparticles has
attracted a great deal of interest by researchers. In this recent research, it
was first, achieved to produce graphene oxide: selenium nanoparticles (GO:
Se-NPs) employing a new approach of green synthesis method using special
bacteria OG1 in Luria-Bertani medium under dark conditions in literature.
Applying this method, biosynthesized GO: Se-NPs solution was obtained. GO: Se
thin film was formed dropping this solution on the p-Si substrate, and then it
was annealed. Optical, structural, morphological, chemical composision
properties of GO: Se nanostructural thin film was determined by commonly
preferred as UV-VIS, XRD, and FE-SEM with EDS techniques. UV-VIS measurements
showed that the band gap energy, Eg, of the GO: Se thin film is 1.70 eV and
this value is firstly determined with this study in literature. XRD
measurements revealed that GO: Se/p-Si structure has a particle nano size
polycrystal structure. FE-SEM measurements have indicated that GO: Se thin film
has a typically nano sheeted structure and distribution of the grains which are
very homogeneous and uniform. Furthermore, Current-Voltage (I-V) measurements
proved that GO: Se/p-Si heterostructure with rectifying contact of Ag and ohmic
contact of Al exhibits a diode characteristic behavior.
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Makaleler |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 31 Aralık 2019 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2019 Sayı: 17 |