Tukey pencere fonksiyonu ile tasarlanan memristör elemanının FPAA tabanlı gerçekleştirimi
Öz
Anahtar Kelimeler
Destekleyen Kurum
Proje Numarası
Teşekkür
Kaynakça
- [1] Chua, L.: Memristor-the missing circuit element. IEEE Trans. Circuits Syst.I Regul. Pap., 18(5), 507-519 (1971).
- [2] Waser, R., Dittmann, R., Staikov, G., & Szot, K.: Redox Based resistive switching memories-nanoionic mechanisms, prospects, and challenges. Adv. Mater., 21(25-26), 2632-2663 (2009).
- [3] Schindler, C., Weides, M., Kozicki, M.N., Waser, R.: Low current resistive switching in Cu-SiO2 cells. Appl. Phys. Lett., 92, 1–4, (2008).
- [4] Jo, S.H., & Lu, W.: CMOS compatible nanoscale nonvolatile resistance switching memory. Nano Lett., 8(2), 392-397, (2008).
- [5] Jo, S.H., Kim, K.H., & Lu, W.: High-density crossbar arrays based on a Si memristive system. Nano Lett., 9(2), 870-874 (2009).
- [6] Wang, S.Y., Huang, C.W., Lee, D.Y., Tseng, T.Y., &Chang, T.C.: Multilevel resistive switching in Ti/Cux O/Pt memory devices. J. Appl. Phys., 108(11), 114110, (2010).
- [7] Strukov, D.B., Snider, G.S., Start, D.R., & Williams, R.S: The missing memristor found. Nature, 453(7191), 80-83 (2008).
- [8] Kavehei, O., Iqbal, A., Kim, Y. S., Eshraghian, K., Al-Sarawi, S. F., &Abbott, D.: The fourth element: characteristics, modelling and electromagnetic theory of the memristor. Proc. R. Soc. A Math. Phys. Eng. Sci., 466(2120), 2175-2202, (2010).
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
Mühendislik
Bölüm
Araştırma Makalesi
Yazarlar
Jean Luck Randrıanantenaına
Türkiye
Nimet Korkmaz
0000-0002-7419-1538
Türkiye
Recai Kılıç
Türkiye
Yayımlanma Tarihi
30 Aralık 2022
Gönderilme Tarihi
9 Mayıs 2022
Kabul Tarihi
25 Ağustos 2022
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2022 Cilt: 38 Sayı: 3