Bu çalışmada, Bi1.75Pb0.25Sr2Ca2Cu3-xSnxO10+δ cam seramik yapısı; (x=0.0, 0.3, 0.5) Cu3-x-Snx yer değiştirmesine bağlı olarak, frekans bağımlı (100 Hz-2 MHz) kapasite ve iletkenlik ölçümleri 75 K ve 125 K sıcaklık değerlerinde alınmıştır. Dielektrik sabitin reel kısmı (ε'), sanal dielektrik sabit (ε''), dielektrik kayıp (tanδ) ve alternatif akım elektriksel iletkenlik (σac) frekans bağımlılığı, kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri kullanılarak analiz edilmiştir. Sn katkısı, negatif kapasite etkisi yaratmış ve Sn katkı oranının artışıyla kapasite etkisinde bir azalma gözlemlenmiştir. Gözlemlenen negatif kapasite etkisinin, Sn katkısı tarafından oluşturulan polarizasyon etkisinden kaynaklandığı düşünülmektedir. Negatif dielektrik sabiti ve sanal negatif dielektrik sabiti, negatif kapasite değerlerinden hesaplanmıştır. Katkılanmamış örnekler pozitif kapasite özelliği gösterirken, Sn eklenen örneklerde negatif kapasite özelliği gözlemlenmiştir. Aynı zamanda, örneklerin dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklıkla bağımlı olduğu bulunmuştur.
In this study, Bi1.75Pb0.25Sr2Ca2Cu3-xSnxO10+δ glass ceramic structure; (x = 0.0, 0.3, 0.5) depending on Cu3-x-Snx displacement, frequency-dependent (100 Hz-2 MHz), capacitance-conductance measurements were taken at 75 K and 125 K temperature values. Dielectric constant reel part (ε'), imaginary dielectric constant (ε''), dielectric loss (tanδ) and ac electrical conductivity (σac) frequency dependence were analyzed using the capacitance–voltage (C–V) and conductance-voltage (G-V) measurements. Sn doping had a negative capacitive effect and a decrease in capacitive effect was observed with the addition of Sn doping rate. The observed negative capacitance effect is believed to arise from the polarization effect generated by the Sn dopant. The negative dielectric constant and the virtual negative dielectric constant were calculated from the negative capacitance values. While the undoped sample exhibits a positive capacitance characteristic, the addition of Sn dopant to the samples results in the observation of a negative capacitance property. At the same time, it was found that the dielectric properties of the samples were dependent on frequency and temperature.
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Konular | Malzeme Karekterizasyonu, Malzeme Üretim Teknolojileri |
Bölüm | Makaleler |
Yazarlar | |
Erken Görünüm Tarihi | 26 Mart 2025 |
Yayımlanma Tarihi | 28 Mart 2025 |
Gönderilme Tarihi | 18 Aralık 2024 |
Kabul Tarihi | 5 Mart 2025 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2025 Cilt: 18 Sayı: 1 |