Araştırma Makalesi

Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot

Cilt: 10 Sayı: 4 15 Aralık 2020
PDF İndir
EN TR

Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot

Öz

Bu çalışmada alt Bragg yansıtıcısına sahip yakın kızılötesi bölgede ışıma yapan p-i-n diyotun tasarımı, fabrikasyon detayları ve elektro-optik özellikleri incelenmektedir. İncelenen ışık yayan aygıtın aktif ışıma bölgesi 20 adet GaInNAs/GaNAs (7 nm /13 nm) kuantum kuyusu sisteminden oluşmaktadır. Alt dielektrik aynası ise 15 adet GaAs/AlAs Bragg yansıtıcı çiftlerinin üst üste tabakasal olarak büyütülmesinden oluşmaktır. Aygıtın ışıma merkez dalgaboyu 1310 nm olup, spektral yarı genişliği 14.4 nm’dir. Işıma eşik akımı 20 nA olan aygıtın, 200 mA sürülen akım varlığında maksimum ışıma gücü 38 mW’dır. Bu çalışmada, yakın kızılötesi bölgede ışıma yapan aygıt üretilmesinin ve karakterize edilmesinin yanı sıra sadece alt Bragg yansıtıcı kullanılarak bile geleneksel ışık yayan diyotlara göre ışıma spektral genişliğinin ve ışıma profilinin iyileştirilebileceğini gösterilmiştir.

Anahtar Kelimeler

Destekleyen Kurum

İstanbul Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Koordinasyon Birimi

Proje Numarası

FBA-2018-32506

Teşekkür

Bu çalışma, İstanbul Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Koordinasyon Birimi (Proje Kodu: FBA-2018-32506) tarafından desteklenmiştir. Değerli yorumları için Prof. Dr. Ayşe Erol’a ve ışıma gücü ölçümlerinin gerçekleştirilmesi için laboratuvarının olanaklarını kullanmamı sağlayan York Üniversitesi’nden Dr. Yue Wang’a teşekkür ederim.

Kaynakça

  1. Balkan N, Erol A, Sarcan F, Al-Ghuraibawi LFF, Nordin MS, 2015. Dilute nitride resonant cavity enhanced photodetector with internal gain for the λ ∼ 1.3 μm optical communications window. Superlattices and Microstructures, 86: 467–471.
  2. Chaqmaqchee FAI, Balkan N, Herrero JMU, 2012. Top-Hat HELLISH-VCSOA for optical amplification and wavelength conversion for 0.85 to 1.3μm operation. Nanoscale Research Letters, 7(1): 1–6.
  3. Chaqmaqhee FAI, Mazzucato S, Oduncu M, Balkan N, Su Y, Gunes, M, Hugues M, Hopkinson M, 2011. GaInNAs-based Hellish-vertical cavity semiconductor optical amplifier for 1.3 μm operation. Nanoscale Research Letters, 6: 104.
  4. Dorsaz J, Carlin JF, Zellweger CM, Gradecak S, Ilegems M, 2004. InGaN/GaN resonant-cavity LED including an AlInN/GaN Bragg mirror. Physica Status Solidi Applied Research 201(12): 2675–2678.
  5. Erol, A, Akalin, E, Sarcan, F, Donmez, O, Akyuz, S, Arikan, CM, Puustinen, J, Guina, M, 2012. Excitation energy-dependent nature of Raman scattering spectra in GaInNAs/GaAs quantum well structures. Nanoscale Research Letters, 7: 656.
  6. Horng RH, Wang WK, Huang SY, Wuu DS, 2006. Effect of resonant cavity in wafer-bonded Green InGaN LED with dielectric and silver mirrors. IEEE Photonics Technology Letters, 18(3): 457-459.
  7. Kaschner A, Lüttgert T, Born H, Hoffmann A, Egoro AY, Riechert H, 2002. Recombination mechanisms in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells. Applied Physics Letters, 78(10): 1391-1393.
  8. Larson MC, Kondow M, Kitatani T, Nakahara K, Tamura K, Inoue H, Uomi K, 1998. GaInNAs-GaAs long-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser diodes. IEEE Photonics Technology Letters, 10(2): 188-190.

Ayrıntılar

Birincil Dil

Türkçe

Konular

Metroloji,Uygulamalı ve Endüstriyel Fizik

Bölüm

Araştırma Makalesi

Yayımlanma Tarihi

15 Aralık 2020

Gönderilme Tarihi

31 Mayıs 2020

Kabul Tarihi

24 Temmuz 2020

Yayımlandığı Sayı

Yıl 2020 Cilt: 10 Sayı: 4

Kaynak Göster

APA
Sarcan, F. (2020). Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot. Journal of the Institute of Science and Technology, 10(4), 2559-2564. https://doi.org/10.21597/jist.746002
AMA
1.Sarcan F. Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot. Iğdır Üniv. Fen Bil Enst. Der. 2020;10(4):2559-2564. doi:10.21597/jist.746002
Chicago
Sarcan, Fahrettin. 2020. “Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot”. Journal of the Institute of Science and Technology 10 (4): 2559-64. https://doi.org/10.21597/jist.746002.
EndNote
Sarcan F (01 Aralık 2020) Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot. Journal of the Institute of Science and Technology 10 4 2559–2564.
IEEE
[1]F. Sarcan, “Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot”, Iğdır Üniv. Fen Bil Enst. Der., c. 10, sy 4, ss. 2559–2564, Ara. 2020, doi: 10.21597/jist.746002.
ISNAD
Sarcan, Fahrettin. “Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot”. Journal of the Institute of Science and Technology 10/4 (01 Aralık 2020): 2559-2564. https://doi.org/10.21597/jist.746002.
JAMA
1.Sarcan F. Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot. Iğdır Üniv. Fen Bil Enst. Der. 2020;10:2559–2564.
MLA
Sarcan, Fahrettin. “Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot”. Journal of the Institute of Science and Technology, c. 10, sy 4, Aralık 2020, ss. 2559-64, doi:10.21597/jist.746002.
Vancouver
1.Fahrettin Sarcan. Dağıtılmış Alt Bragg Dielektrik Yansıtıcılı Işık Yayan Diyot. Iğdır Üniv. Fen Bil Enst. Der. 01 Aralık 2020;10(4):2559-64. doi:10.21597/jist.746002