Ag/pentasen/Cu MIM Yapısının Optoelektronik Özelliklerinin İncelenmesi
Öz
Ag/pentasen/Cu MIM yapısı (metal-insulator-metal) termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak başarılı bir şekilde üretilmiştir. Üretilen yapının temel I-V karakterizasyonu karanlık ve 20, 40, 60, 80, 100 mW.cm-2 ışık şiddetinde incelenmiştir. MIM yapısının diyot parametreleri; idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕb), ters doyma akımı (I0), seri direnç (Rs) ve Shunt direnç (Rsh) değerleri hem karanlık hem de farklı ışık şiddetlerinde belirlenmiştir. Karanlık ortamda sırasıyla n, ϕb, I0, Rs ve Rsh değerleri 7.95, 0.31 eV, 1.95x10-6 A, 3.13x104 Ω ile 3.85 x104 Ω olduğu belirlenmiştir. Ayrıca üretilen MIM yapısının fotodedektör parametreleri; fotoakım (Iph), duyarlılık (R) ve özgül dedektiflik (D*) değerleri de farklı ışık şiddetlerinde incelenmiştir ve maksimum değerlerin sırasıyla 7.85x10-5 A, 6.09x10-3 A.W-1 ve 1.86x107 Jones olduğu belirlenmiştir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Aktas, S., Ünal, F., Kurt, M. S., Koç, M. M., Arslan, T., Aslan, N., & Coşkun, B. (2023). Investigation of fundamental electrical and optoelectronic properties of an organic- and carbon-based MnPc/GC photodiode with high photosensitivity. Physica Scripta. Retrieved from http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1402-4896/aceb41
- Çakar, M., & Türüt, A. (2003). The conductance and capacitance-frequency characteristics of the organic compound (pyronine-B)/p-Si structures. Synthetic Metals, 138(3), 549-554. doi:10.1016/S0379-6779(02)01249-3
- Çaldıran, Z., Şinoforoğlu, M., Metin, Ö., Aydoğan, Ş., & Meral, K. (2015). Space charge limited current mechanism (SCLC) in the graphene oxide–Fe3O4 nanocomposites/n-Si heterojunctions. Journal of Alloys and Compounds, 631, 261-265. doi:https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.01.117
- Goykhman, I., Desiatov, B., Khurgin, J., Shappir, J., & Levy, U. (2011). Locally oxidized silicon surface-plasmon Schottky detector for telecom regime. Nano Letters, 11(6), 2219-2224.
- Gundlach, D., Kuo, C.-C., Nelson, S., & Jackson, T. (1999). Organic thin film transistors with field effect mobility> 2 cm/sup 2//Vs. Paper presented at the 1999 57th Annual Device Research Conference Digest (Cat. No. 99TH8393).
- Gündüz, B., Turan, N., Kaya, E., & Çolak, N. (2013). The photo-electrical properties of the p-Si/Fe(II)–polymeric complex/Au diode. Synthetic Metals, 184, 73-82. doi:https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2013.10.002
- Kaur, D., & Kumar, M. (2021). A strategic review on gallium oxide based deep‐ultraviolet photodetectors: recent progress and future prospects. Advanced optical materials, 9(9), 2002160.
- Kim, S., Choi, Y., Kim, K., Kim, J., & Im, S. (2003). Fabrication of p-pentacene/n-Si organic photodiodes and characterization of their photoelectric properties. Applied Physics Letters, 82(4), 639-641.
- Lee, J., Hwang, D. K., Park, C. H., Kim, S. S., & Im, S. (2004). Pentacene-based photodiode with Schottky junction. Thin Solid Films, 451-452, 12-15. doi:https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.10.086
- Lin, K.-T., Chen, H.-L., Lai, Y.-S., & Yu, C.-C. (2014). Silicon-based broadband antenna for high responsivity and polarization-insensitive photodetection at telecommunication wavelengths. Nature Communications, 5(1), 3288.
kapsamında lisanslanmıştır.