Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi
Öz
Bu çalışmada yüklü ve yüksüz arsenik katkılı bor
(AsBn; n=1-9) topaklarının geometrileri, büyüme desenleri ve
kararlılıklarının incelenmesi için yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT)
kullanıldı. Bu anlamda en kararlı izomerlerin atom başsına bağlanma enerjileri,
birinci ve ikinci dereceden enerji farklarının yanında HOMO-LUMO enerji
farkları incelendi. Çalışılan bu aralıkta yüklü ve yüksüz topaklar için arsenik
atomunun sistemin dış yüzeyine yerleştiği görülmektedir. Bunun yanında katkılanan
arsenik atomu yüklü ve yüksüz sistemin kararlılığını arttırmaktadır. Nötral ve
katyonik topaklar için ikinci dereceden enerji farkları maksimum pikleri en
kararlı yapıların n=4, 6 ve 8 durumlarında, anyonik topaklar için ise n=5 ve 8
durumlarında görülmektedir. Bunun yanında arsenik katkılı bor topaklarında bor
atomlarının sayısının artması ile HOMO-LUMO enerji farklarının genellikle
azalmaktadır.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Ahmed, R., Javad Hashemifar, S., Akbarzadeh, H., Ahmed, M., Fazal-e-Aleem, "Ab initio study of structural and electronic properties of III-arsenide binary compounds", Computational Materials Science, 39, 580–586, 2007.
- Zaoui, A., Kacimi, S., Yakoubi, A., Abbar, B. Bouhafs, B., "Optical properties of BP, BAs and BSb compounds under hydrostatic pressure", Physica B-Condensed Matter, 367, 195–204, 2005.
- Touat, D., Ferhat, M., Zaoui, A., "Dynamical behaviour in the boron III-V group: A first-principles study", Journal of Physics-Condensed Matter, 18, 3647–3654, 2006.
- Cui, S., Feng, W., Hu, H., Feng, Z., Wang, Y., "First-principles study of zinc-blende to rocksalt phase transition in BP and BAs", Computational Materıals Science, 44, 1386–1389, 2009.
- Surh, M.P., Louie, S.G., Cohen, M.L., "Quasi-Particle Energies For Cubıc BN, BP, and BAs", Physical Review B, 43, 9126–9132, 1991.
- Golikova, O.A., "Boron and Boron-based semiconductors", Physica Status Solidi (a), 51, 11–40, 1979.
- Vasiliev, I., Ogut, S., Chelikowsky, J.R., "Ab initio calculations for the polarizabilities of small semiconductor clusters", Physical Review Letters, 78, 4805–4808, 1997.
- Lv, B., Lan, Y., Wang, X., Zhang, Q., Hu, Y., Jacobson, A.J. Broido, D., Chen, G., Ren, Z., Chu, C.-W., "Experimental study of the proposed super-thermal-conductor: BAs", Applied Physics Letters, 106, 2015.
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
Mühendislik
Bölüm
Araştırma Makalesi
Yazarlar
İskender Muz
*
0000-0002-6882-5119
Türkiye
Yayımlanma Tarihi
30 Aralık 2017
Gönderilme Tarihi
27 Kasım 2017
Kabul Tarihi
6 Aralık 2017
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2017 Cilt: 6 Sayı: 2