Araştırma Makalesi

Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi

Cilt: 6 Sayı: 2 30 Aralık 2017
PDF İndir
TR EN

Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi

Öz

Bu çalışmada yüklü ve yüksüz arsenik katkılı bor (AsBn; n=1-9) topaklarının geometrileri, büyüme desenleri ve kararlılıklarının incelenmesi için yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) kullanıldı. Bu anlamda en kararlı izomerlerin atom başsına bağlanma enerjileri, birinci ve ikinci dereceden enerji farklarının yanında HOMO-LUMO enerji farkları incelendi. Çalışılan bu aralıkta yüklü ve yüksüz topaklar için arsenik atomunun sistemin dış yüzeyine yerleştiği görülmektedir. Bunun yanında katkılanan arsenik atomu yüklü ve yüksüz sistemin kararlılığını arttırmaktadır. Nötral ve katyonik topaklar için ikinci dereceden enerji farkları maksimum pikleri en kararlı yapıların n=4, 6 ve 8 durumlarında, anyonik topaklar için ise n=5 ve 8 durumlarında görülmektedir. Bunun yanında arsenik katkılı bor topaklarında bor atomlarının sayısının artması ile HOMO-LUMO enerji farklarının genellikle azalmaktadır.

Anahtar Kelimeler

Kaynakça

  1. Ahmed, R., Javad Hashemifar, S., Akbarzadeh, H., Ahmed, M., Fazal-e-Aleem, "Ab initio study of structural and electronic properties of III-arsenide binary compounds", Computational Materials Science, 39, 580–586, 2007.
  2. Zaoui, A., Kacimi, S., Yakoubi, A., Abbar, B. Bouhafs, B., "Optical properties of BP, BAs and BSb compounds under hydrostatic pressure", Physica B-Condensed Matter, 367, 195–204, 2005.
  3. Touat, D., Ferhat, M., Zaoui, A., "Dynamical behaviour in the boron III-V group: A first-principles study", Journal of Physics-Condensed Matter, 18, 3647–3654, 2006.
  4. Cui, S., Feng, W., Hu, H., Feng, Z., Wang, Y., "First-principles study of zinc-blende to rocksalt phase transition in BP and BAs", Computational Materıals Science, 44, 1386–1389, 2009.
  5. Surh, M.P., Louie, S.G., Cohen, M.L., "Quasi-Particle Energies For Cubıc BN, BP, and BAs", Physical Review B, 43, 9126–9132, 1991.
  6. Golikova, O.A., "Boron and Boron-based semiconductors", Physica Status Solidi (a), 51, 11–40, 1979.
  7. Vasiliev, I., Ogut, S., Chelikowsky, J.R., "Ab initio calculations for the polarizabilities of small semiconductor clusters", Physical Review Letters, 78, 4805–4808, 1997.
  8. Lv, B., Lan, Y., Wang, X., Zhang, Q., Hu, Y., Jacobson, A.J. Broido, D., Chen, G., Ren, Z., Chu, C.-W., "Experimental study of the proposed super-thermal-conductor: BAs", Applied Physics Letters, 106, 2015.

Ayrıntılar

Birincil Dil

Türkçe

Konular

Mühendislik

Bölüm

Araştırma Makalesi

Yayımlanma Tarihi

30 Aralık 2017

Gönderilme Tarihi

27 Kasım 2017

Kabul Tarihi

6 Aralık 2017

Yayımlandığı Sayı

Yıl 2017 Cilt: 6 Sayı: 2

Kaynak Göster

APA
Muz, İ. (2017). Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi, 6(2), 447-456. https://doi.org/10.17100/nevbiltek.358208
AMA
1.Muz İ. Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi. 2017;6(2):447-456. doi:10.17100/nevbiltek.358208
Chicago
Muz, İskender. 2017. “Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi”. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi 6 (2): 447-56. https://doi.org/10.17100/nevbiltek.358208.
EndNote
Muz İ (01 Aralık 2017) Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi 6 2 447–456.
IEEE
[1]İ. Muz, “Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi”, Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi, c. 6, sy 2, ss. 447–456, Ara. 2017, doi: 10.17100/nevbiltek.358208.
ISNAD
Muz, İskender. “Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi”. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi 6/2 (01 Aralık 2017): 447-456. https://doi.org/10.17100/nevbiltek.358208.
JAMA
1.Muz İ. Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi. 2017;6:447–456.
MLA
Muz, İskender. “Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi”. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi, c. 6, sy 2, Aralık 2017, ss. 447-56, doi:10.17100/nevbiltek.358208.
Vancouver
1.İskender Muz. Yüklü ve Yüksüz Arsenik Katkılı Bor Topaklarının Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi. Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi. 01 Aralık 2017;6(2):447-56. doi:10.17100/nevbiltek.358208

Dergimizin tarandığı indeksler


 

12300          20980     20978