Termoelektrik yarıiletkenlerin P-N elektriksel iletkenlik tipinin belirlenmesine yönelik çok fonksiyonlu prob tasarımı
Öz
Bu
çalışmada, termoelektrik (TE) yarıiletkenlerin P-N elektriksel iletkenlik
tiplerinin belirlenmesi amacıyla, temelini Seebeck etkisine dayanan Hot-Probe
metodunun oluşturduğu çok fonksiyonlu bir prob tasarlanmış ve gerçekleştirilmiştir.
Tip belirleme işlemi, TE yarıiletkenin yüzeyleri arasında sıcaklık farkının (DT) oluşturulmasıyla üretilen Seebeck geriliminin
(termoemk) pozitif veya negatif genlikli olma durumuna göre yapılmaktadır.
Geliştirilen prob sayesinde, hem sıcaklık farkının oluşturulmasına yönelik
gerekli ısıtma hem de termoemk gerilimi ve sıcaklık ölçümü yapılabilmektedir.
Deneysel çalışma sonuçlarına göre; geliştirilen prob ile termoemk ölçümlerinin
0-30 mV aralığında ± 0.1 mV doğrulukta, sıcaklık ölçümlerinin ise 0-75 °C aralığında ± 1 °C doğrulukta yapılabildiği anlaşılmıştır. Sonuç
olarak, geliştirilen çok fonksiyonlu prob ile TE yarıiletkenlerin elektriksel
iletkenlik tipleri P veya N olarak pratik, hızlı ve güvenilir bir şekilde
belirlenebilmektedir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Akter N, Afrin S, Hossion A, Kabir K, Akter S, Mahmood ZH. “Evaluation of majority charge carrier and impurity concentration using Hot Probe method for mono crystalline Silicon (100) wafer”. International Journal of Advances in Materials Science and Engineering (IJAMSE), 4(4), 13-21, 2015.
- Akter N, Hossion MA, Hoq M, Rana SM, Anzan-Uz-Zaman M, Mia MNH, Kabir MA, Mahmood ZH. “Electrical characterization and doping uniformity measurement during crystalline silicon solar cell fabrication using hot probe method”. Engineering International, 2(1), 38-42, 2014.
- Axelevitch A, Golan G. “Hot-Probe method for evaluation of majority charged carriers concentration in semiconductor thin films”. Facta Universitatis Series: Electronics and Energetics, 26(3), 187-195, 2013.
- Kumar SR, Kasiviswanathan S. “A hot probe setup for the measurement of Seebeck coefficient of thin wires and thin films using integral method”. The Review of Scientific Instruments, 79(2), 024302-1-4, 2008.
- Golan G, Axelevitch A, Gorenstein G, Manevych V. “Hot-Probe method for evaluation of impurities concentration in semiconductors”. Microelectronics Journal, 37(9), 910-915, 2006.
- Zhou Y, Wang Y, Zhang J, Li Q. “Hot Probe Method for Measuring Thermal Conductivity of Copper Nano-particles/Paraffin Composite Phase Change Materials”. Key Engineering Materials, 561, 428-434, 2013.
- Neamen DA. Semiconductor Physics & Devices: Basic Principles. 4th ed. New York, USA, Mcgraw-Hill, 2012.
- Matsumura T, Sato Y. “A theoretical study on van der pauw measurement values of inhomogeneous compound semiconductor thin films”. Journal of Modern Physics, 1(5), 340-347, 2010.
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
Mühendislik
Bölüm
Araştırma Makalesi
Yayımlanma Tarihi
22 Nisan 2019
Gönderilme Tarihi
2 Şubat 2018
Kabul Tarihi
-
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2019 Cilt: 25 Sayı: 2