Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması
Öz
Yüksek sıcaklık ve vakum altında
metal ve yarı iletkenlerin sıkı kontak edilmesi durumunda oluşan metal-yarı
iletken kontaklar üzerinde hala çok sayıda teorik ve deneysel çalışma yapılıyor
olmasına rağmen metal ve yarı
iletken arasındaki bariyerin oluşumu ve iletimi mekanizmaları henüz tam olarak
aydınlatılmamıştır. Bu yapılar hakkında yapılan ilk detaylı çalışmalar W.
Schottky tarafından yapıldığından, bu metal-yarı iletken kontaklar genellikle
Schottky diyotlar/yapılar olarak bilinir. Geçmişten günümüze farklı fiziksel,
kimyasal ve elektriksel özelliklere sahip çeşitli malzemeler kullanılarak
arayüzey tabakalar olmaksızın veya yalıtkan, polimer ve ferroelektrik gibi
arayüzey tabakalar içeren Schottky yapıların performansı arttırılmaya
çalışılmıştır. Çok yüksek frekanslarda ve düşük ileri ön gerilimde
çalışabilmesi ve çok hızlı anahtarlama
kabiliyeti gibi diğer diyotlarda bulunmayan özellikleri, elektronik
teknolojideki yaygın kullanımı ve gelişime açık teknolojiye sahip olması bilim
insanlarını Schottky yapıları üzerinde çalışmaya teşvik etmektedir. Bu
çalışmada, metal yarıiletken ve arayüzey tabakasına sahip metal yarıiletken
Schottky yapıların bu alanda yapılan bilimsel çalışmalar da göz önüne alınarak
incelenmesi, zaman içindeki gelişiminin gözlenmesi ile birlikte dünya ve
Türkiye’de bu alanda yapılan akademik çalışmaların istatistiksel analizi
yapılmıştır. Sonuçta, Türkiye'nin bilimsel çalışmalar bakımından dünyanın
neresinde olduğunu açığa çıkartmak amaçlanmıştır. Aynı zamanda farklı MY
yapılar üzerine yapılmış bilimsel çalışmaların Türkiye ve dünyada ne oranda
karşılık gördüğü de ortaya konulmuştur. Web of Science veri tabanında Science
Citation Index (SCI) tarafından taranan ve hem Türkiye’de hem de tüm dünyada
yapılan akademik çalışmaların analizi veri madenciliği ile otomatik veri
toplama yöntemleri ve Structured Query Language (SQL) sunucu yönetim stüdyosu
programı kullanılarak yapılmıştır. İstatistiksel analiz sonuçları her alanda
Schottky yapılar üzerine Türkiye ve dünyada yapılan akademik çalışmaların
nerede ise her sene artış
gösterdiğini göstermektedir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- [1] Sze S. M., Kwok K. Ng., “Physics of Semiconductor Devices” 3rd ed., John Wiley & Sons, 9780470068328, New Jersey, (2007).
- [2] Rhoderick E. H. and Williams R. H., “Metal Semicondutor Contacts”, 2nd ed., Oxford Press, 0198593368, USA, (1988).
- [3] Northrop D. C. and Rhoderick E. H, “The Physics of Shottky barriers, in Impedance Devices”, Solid State Electronics, 4: 37-73, (1978).
- [4] Sharma B. L., “Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications”, Plenum Press, 9781468446555, New York, (1984).
- [5] Soylu M. and Yakuphanoglu F., “Photovoltaic and interface state density properties of the Au/n-GaAs Schottky barrier solar cell”, Thin Solid Films, 519: 1950-1954, (2011).
- [6] Farag A. A. M., Yahia I. S. And Fadel M., “Electrical and photovoltaic characteristics of Au/n-CdS Schottky diode”, Int. J. Hydrogen Energ., 34: 4906-4913, (2009).
- [7] Sharma A. T., Shahnawaz, Kumar S., Katharria Y. S and Kanjilal D., “Barrier modification of Au/n-GaAs Schottky diode by swift heavy ion irradiation”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 263: 424, (2007).
- [8] Demirezen S., Özavcı E. and Altındal Ş., “The effect of frequency and temperature on capacitance/conductance–voltage (C/G–V) characteristics of Au/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs)”, Materials Science in Semiconductor Processing, 23: 1-6, (2014).
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
Mühendislik
Bölüm
Derleme
Yazarlar
Yayımlanma Tarihi
1 Aralık 2018
Gönderilme Tarihi
16 Mart 2018
Kabul Tarihi
-
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2018 Cilt: 21 Sayı: 4
Cited By
Investigation of Interface States, Series Resistance and Barrier Height Variation with Frequency in Al/WO3/p-Si (MOS) Capacitors
Journal of the Institute of Science and Technology
https://doi.org/10.21597/jist.1529537Comparison of electrical properties of pure and copper-doped diamond-like carbon interfacial-layered Schottky devices under different temperature conditions
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
https://doi.org/10.1007/s10854-025-14360-7