Derleme

Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması

Cilt: 21 Sayı: 4 1 Aralık 2018
PDF İndir
TR EN

Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması

Öz

Yüksek sıcaklık ve vakum altında metal ve yarı iletkenlerin sıkı kontak edilmesi durumunda oluşan metal-yarı iletken kontaklar üzerinde hala çok sayıda teorik ve deneysel çalışma yapılıyor olmasına rağmen metal ve yarı iletken arasındaki bariyerin oluşumu ve iletimi mekanizmaları henüz tam olarak aydınlatılmamıştır. Bu yapılar hakkında yapılan ilk detaylı çalışmalar W. Schottky tarafından yapıldığından, bu metal-yarı iletken kontaklar genellikle Schottky diyotlar/yapılar olarak bilinir. Geçmişten günümüze farklı fiziksel, kimyasal ve elektriksel özelliklere sahip çeşitli malzemeler kullanılarak arayüzey tabakalar olmaksızın veya yalıtkan, polimer ve ferroelektrik gibi arayüzey tabakalar içeren Schottky yapıların performansı arttırılmaya çalışılmıştır. Çok yüksek frekanslarda ve düşük ileri ön gerilimde çalışabilmesi ve çok hızlı anahtarlama kabiliyeti gibi diğer diyotlarda bulunmayan özellikleri, elektronik teknolojideki yaygın kullanımı ve gelişime açık teknolojiye sahip olması bilim insanlarını Schottky yapıları üzerinde çalışmaya teşvik etmektedir. Bu çalışmada, metal yarıiletken ve arayüzey tabakasına sahip metal yarıiletken Schottky yapıların bu alanda yapılan bilimsel çalışmalar da göz önüne alınarak incelenmesi, zaman içindeki gelişiminin gözlenmesi ile birlikte dünya ve Türkiye’de bu alanda yapılan akademik çalışmaların istatistiksel analizi yapılmıştır. Sonuçta, Türkiye'nin bilimsel çalışmalar bakımından dünyanın neresinde olduğunu açığa çıkartmak amaçlanmıştır. Aynı zamanda farklı MY yapılar üzerine yapılmış bilimsel çalışmaların Türkiye ve dünyada ne oranda karşılık gördüğü de ortaya konulmuştur. Web of Science veri tabanında Science Citation Index (SCI) tarafından taranan ve hem Türkiye’de hem de tüm dünyada yapılan akademik çalışmaların analizi veri madenciliği ile otomatik veri toplama yöntemleri ve Structured Query Language (SQL) sunucu yönetim stüdyosu programı kullanılarak yapılmıştır. İstatistiksel analiz sonuçları her alanda Schottky yapılar üzerine Türkiye ve dünyada yapılan akademik çalışmaların nerede ise her sene artış gösterdiğini göstermektedir.

Anahtar Kelimeler

Kaynakça

  1. [1] Sze S. M., Kwok K. Ng., “Physics of Semiconductor Devices” 3rd ed., John Wiley & Sons, 9780470068328, New Jersey, (2007).
  2. [2] Rhoderick E. H. and Williams R. H., “Metal Semicondutor Contacts”, 2nd ed., Oxford Press, 0198593368, USA, (1988).
  3. [3] Northrop D. C. and Rhoderick E. H, “The Physics of Shottky barriers, in Impedance Devices”, Solid State Electronics, 4: 37-73, (1978).
  4. [4] Sharma B. L., “Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications”, Plenum Press, 9781468446555, New York, (1984).
  5. [5] Soylu M. and Yakuphanoglu F., “Photovoltaic and interface state density properties of the Au/n-GaAs Schottky barrier solar cell”, Thin Solid Films, 519: 1950-1954, (2011).
  6. [6] Farag A. A. M., Yahia I. S. And Fadel M., “Electrical and photovoltaic characteristics of Au/n-CdS Schottky diode”, Int. J. Hydrogen Energ., 34: 4906-4913, (2009).
  7. [7] Sharma A. T., Shahnawaz, Kumar S., Katharria Y. S and Kanjilal D., “Barrier modification of Au/n-GaAs Schottky diode by swift heavy ion irradiation”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 263: 424, (2007).
  8. [8] Demirezen S., Özavcı E. and Altındal Ş., “The effect of frequency and temperature on capacitance/conductance–voltage (C/G–V) characteristics of Au/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs)”, Materials Science in Semiconductor Processing, 23: 1-6, (2014).

Ayrıntılar

Birincil Dil

Türkçe

Konular

Mühendislik

Bölüm

Derleme

Yayımlanma Tarihi

1 Aralık 2018

Gönderilme Tarihi

16 Mart 2018

Kabul Tarihi

-

Yayımlandığı Sayı

Yıl 2018 Cilt: 21 Sayı: 4

Kaynak Göster

APA
Tan, S. O. (2018). Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması. Politeknik Dergisi, 21(4), 977-989. https://doi.org/10.2339/politeknik.426648
AMA
1.Tan SO. Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması. Politeknik Dergisi. 2018;21(4):977-989. doi:10.2339/politeknik.426648
Chicago
Tan, Serhat Orkun. 2018. “Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması”. Politeknik Dergisi 21 (4): 977-89. https://doi.org/10.2339/politeknik.426648.
EndNote
Tan SO (01 Aralık 2018) Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması. Politeknik Dergisi 21 4 977–989.
IEEE
[1]S. O. Tan, “Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması”, Politeknik Dergisi, c. 21, sy 4, ss. 977–989, Ara. 2018, doi: 10.2339/politeknik.426648.
ISNAD
Tan, Serhat Orkun. “Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması”. Politeknik Dergisi 21/4 (01 Aralık 2018): 977-989. https://doi.org/10.2339/politeknik.426648.
JAMA
1.Tan SO. Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması. Politeknik Dergisi. 2018;21:977–989.
MLA
Tan, Serhat Orkun. “Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması”. Politeknik Dergisi, c. 21, sy 4, Aralık 2018, ss. 977-89, doi:10.2339/politeknik.426648.
Vancouver
1.Serhat Orkun Tan. Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması. Politeknik Dergisi. 01 Aralık 2018;21(4):977-89. doi:10.2339/politeknik.426648

Cited By

 
TARANDIĞIMIZ DİZİNLER (ABSTRACTING / INDEXING)
181341319013191 13189 13187 13188 18016 

download Bu eser Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş 4.0 Uluslararası ile lisanslanmıştır.