BibTex RIS Kaynak Göster

Yüksek Sıcaklıklarda Ag/n-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi

Yıl 2015, Cilt: 18 Sayı: 2, 93 - 97, 01.06.2015

Öz

Ag/n-GaP Schottky diyotları vakumda metal buharlaştırma metodu ile üretildi. Farklı sıcaklıklarda akım-gerilim(I-V) ölçümleri yapılarak elektronik parametreleri sıcaklığa bağlı olarak belirlendi. İdealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri ileri beslem I-V metodu ve Cheung fonksiyonlarından hesaplandı. Ag/n-GaP Schottky diyotunun engel yüksekliğinin sıcaklık artarken arttığı ve idealite faktörünün ise sıcaklık artarken azaldığı belirlendi. 298 K sıcaklıkta, diyotun idealite faktörü 2,01, engel yüksekliği 0,424 eV ve seri direnci ise 4,284 kΩ bulundu.

Investigation of Electronic Parameters of Ag/N-Gap Schottky Barrier Diode

Yıl 2015, Cilt: 18 Sayı: 2, 93 - 97, 01.06.2015

Öz

An Ag/n-GaP Schottky barrier diode was fabricated in vacuum with metal evaporating method. The electronic parameters were investigated by current-voltage (I-V) measurements at different temperatures. The electronic parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance were determined from forward bias I-V measurement method and Cheung’s functions at different temperatures. Results indicate that the barrier height of Ag/n-GaP diode increased with increase in temperature, while the ideality factor decreased. İdeality factor, barrier height and series resistance values aredetermined 2.01, 0.424 eV and 4.284 kΩ at 298 K, respectively

Toplam 0 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Diğer ID JA22PP36ND
Bölüm Araştırma Makalesi
Yazarlar

Fethi Dağdelen Bu kişi benim

Metin Özer Bu kişi benim

Yayımlanma Tarihi 1 Haziran 2015
Gönderilme Tarihi 1 Haziran 2015
Yayımlandığı Sayı Yıl 2015 Cilt: 18 Sayı: 2

Kaynak Göster

APA Dağdelen, F., & Özer, M. (2015). Yüksek Sıcaklıklarda Ag/n-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi, 18(2), 93-97.
AMA Dağdelen F, Özer M. Yüksek Sıcaklıklarda Ag/n-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi. Haziran 2015;18(2):93-97.
Chicago Dağdelen, Fethi, ve Metin Özer. “Yüksek Sıcaklıklarda Ag/N-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi”. Politeknik Dergisi 18, sy. 2 (Haziran 2015): 93-97.
EndNote Dağdelen F, Özer M (01 Haziran 2015) Yüksek Sıcaklıklarda Ag/n-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi 18 2 93–97.
IEEE F. Dağdelen ve M. Özer, “Yüksek Sıcaklıklarda Ag/n-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi”, Politeknik Dergisi, c. 18, sy. 2, ss. 93–97, 2015.
ISNAD Dağdelen, Fethi - Özer, Metin. “Yüksek Sıcaklıklarda Ag/N-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi”. Politeknik Dergisi 18/2 (Haziran 2015), 93-97.
JAMA Dağdelen F, Özer M. Yüksek Sıcaklıklarda Ag/n-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi. 2015;18:93–97.
MLA Dağdelen, Fethi ve Metin Özer. “Yüksek Sıcaklıklarda Ag/N-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi”. Politeknik Dergisi, c. 18, sy. 2, 2015, ss. 93-97.
Vancouver Dağdelen F, Özer M. Yüksek Sıcaklıklarda Ag/n-GaP Schottky Diyotunun Elektronik Parametrelerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi. 2015;18(2):93-7.
 
TARANDIĞIMIZ DİZİNLER (ABSTRACTING / INDEXING)
181341319013191 13189 13187 13188 18016 

download Bu eser Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş 4.0 Uluslararası ile lisanslanmıştır.