Katmanlar arasında sıkıştırılmış
kendinden oluşumlu InAs kuantum noktalar n- üzeri p-GaAs tek eklem güneş
hücresinin taban kısmına yakın bir bölgesinde sentezlenmiştir. Güneş hücresi
yapısı p-tipi GaAs alttaş üzerine epi-katman olarak moleküler demet epitaksi
yöntemiyle büyütülmüştür. Kuantum nokta içeren katmanlar, 15 tekrar olarak 25
nm kalınlığındaki GaAs örtü-katmanları arasına 2,7 tek-katman (ML) InAs
büyütülerek oluşturulmuştur. 490 oC’de büyütülen InAs/GaAs ara-bant
katmanlar dışında güneş hücresi yapısı 580 oC’de büyütülmüştür.
Karşılaştırma yapabilmek adına ayrıca InAs kuantum nokta içermeyen bir referans
örneği de büyütülmüştür. Büyütülen güneş hücresi yapıları aygıt haline
getirilmiş ve opto-elektronik verimliliklerinin belirlenebilmesi için AM 1.5G
güneş spektrumu altında ölçümler yapılmıştır. InAs kuantum noktaların, güneş
hücresinin optik performansının üzerindeki etkisinin incelenebilmesi için,
sonuçları destekleyici nitelikte, fotolüminesans ölçümleri de
gerçekleştirilmiştir. Akım-gerilim ölçümlerinden elde edilen güneş hücresi
parametreleri, kuantum noktalı ara-bant güneş hücresinin veriminin referans
örneğine göre daha iyi olduğunu ortaya koymuştur. Güneş hücrelerinin şant
direncinin aynı çıkması, hücreler arasındaki verimlilik farkının aygıt üretim
sürecine değil, aygıtın içsel özelliklerine bağlı olduğunu göstermektedir.
Konular | Mühendislik |
---|---|
Bölüm | Araştırma Makalesi |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 15 Eylül 2017 |
Gönderilme Tarihi | 22 Eylül 2017 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2017 Cilt: 20 Sayı: 3 |
Bu eser Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş 4.0 Uluslararası ile lisanslanmıştır.