Metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) tekniği ile büyütülen InGaN/GaN güneş hücrelerinin (SC) yapısal özellikleri yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HR-XRD) yöntemi ile araştırılmıştır. Yapıların a- ve c- örgü parametrelerinin incelenen (hkl) düzlemlere göre küçük farklılıklar gösterdikleri dikkat çekmektedir. a- ve c- örgü parametrelerinin hata yüzdeleri hesaplandı. Tüm numuneler için hata yüzdesinin %2’den küçük olduğu görülmektedir. Üç farklı numune için araştırmalar yapılmıştır. Her üç numunede de büyüme koşullarından kaynaklanan kristal kalitesinde farklılıklar görülür. Aynı zamanda Kristal boyutu, zorlama ve gerilme gibi özellikleri de belirlendi. Gerilmenin belirlenmesinde elastik sabitler, Young modülü ve Poisson oranı olmak üzere farklı yöntemler kullanıldı. Yöntemlerden elde edilen sonuçlar birbirleriyle karşılaştırılmıştır. InGaN’ın termal genleşme katsayıları 100oC sıcaklık farkı (300-400 oC) için (002), (004), (006) ve (121) düzlemleri için hesaplandı. HR-XRD’den elde edilen pik pozisyonlarının veri tabanlarındaki (database) pik pozisyonlarıyla neredeyse aynı olduğu görülmektedir. Hesaplamalardan elde edilen tüm sonuçlar bu çalışmanın bölümlerinde yer alan tablolarda verilmektedir. Bütün bu sonuçların farklı yazarlar tarafından yapılmış önceki eserlere ve gerçek değerlere uygun olduğu görülmektedir.
Structural properties of InGaN/GaN solar cells (SCs)
grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique are
investigated by high resolution X-ray diffraction (HR-XRD) method. It is
noticed that a- and c- lattice parameters of the structures showed small
differences according to examined (hkl) planes. Fault percentage of the a- and
c- lattice parameters are also calculated. It is seen that fault percentage is
smaller than %2 for all samples. Investigations have been made for three
different samples. Differences in crystal quality caused by growth conditions
are seen in all three samples. At the same time, properties such as crystal
size, strain and stress are determined. During determination of stress, two
different methods including elastic constants, Young module and Poisson ratio
are used. Results gained from these two methods are compared with each
other. Thermal expansion coefficients of
InGaN are calculated for (002), (004), (006) and (121) planes for 100 oC
temperature difference (300-400 oC). It is seen that peak positions
gained from HR-XRD are nearly the same with the ones in database. All the
results obtained from calculations are given in tables in the following
sections of this article. It can be seen that all these results are in
accordance with previous works done by different authors and with the real
values.
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Araştırma Makalesi |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 1 Mart 2019 |
Gönderilme Tarihi | 20 Ekim 2017 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2019 Cilt: 22 Sayı: 1 |
Bu eser Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş 4.0 Uluslararası ile lisanslanmıştır.