The Organic Field Effect
Transistor (OFET) with channel length modulation was fabricated by spin coating
method using a Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and the Polystyrene (PS) insulator
on a prepatterned as source-drain Indium thin oxide (ITO) substrate. The
poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) was used
as gate electrode. So, the structure of
OFET device is obtained as ITO/P3HT/PS/PEDOT:PSS. The ITO/PS/PEDOT:PSS
structure was prepared using same method for capacitance measurements of a
polymer insulator. Electrical characterization of OFET devices were held in
total darkness and in air ambient for the purpose of achieving output and
transfer current-voltage (I-V)
characteristics. The main parameters such as the threshold voltage (VTh), field effect mobility (mFET)
and current on/off ratio (Ion/off)
of the OFET devices were extracted from capacitance-frequency (C-f) plot of the ITO/PS/PEDOT:PSS
structure. It was found that fabricated
PS-OFETs exhibit good device performance such as low VTh, remarkable mobility, and Ion/off
values.
P3HT Polymer gate electrode Transparent OFETs Insulators PEDOT:PSS Polystyrene P3HT
Kanal uzunluğu modülasyonlu
Organik Alan Etkili Transistör (OFET), önceden oluşturulmuş indiyum kalay
oksitli (ITO) kaynak-savak alt-tabaka üzerinde Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) ve
Polystyrene (PS) yalıtkan kullanarak spin kaplama yöntemi ile üretildi. Kapı Elektrodu olarak
poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate
(PEDOT:PSS) kullanılmıştır.
Böylece, OFET cihazının yapısı ITO/P3HT/PS/ PEDOT:PSS olarak elde edilmiştir.
ITO/PS/PEDOT:PSS yapısı polimer yalıtkanının kapasitans ölçümleri için aynı
yöntem kullanılarak hazırlanmıştır. OFET cihazlarının elektriksel
karakterizasyonu çıkış ve transfer akım voltaj (I-V) karakteristikleri elde
etmek amacıyla tam karanlıkta ve hava ortamında yapılmıştır. OFET cihazlarının
eşik voltajı (VTh), alan etkili mobilite (mFET) ve akım
açma/kapama oranı (Ion/off) gibi ana parametreler, ITO/PS/PEDOT:PSS yapısının
kapasitans frekansı (C-f) ölçümlerinden elde edildi. Üretilen PS-OFET'lerin düşük
VTh, kaydadeğer mobilite ve akım açık/kapama değerleri gibi
iyi cihaz performansı sergilediği gözlenmiştir.
Polimer kapı elektrodu Şeffaf OFETler Yalıtkanlar PEDOT: PSS Polistiren P3HT
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Konular | Metroloji,Uygulamalı ve Endüstriyel Fizik, Mühendislik, Malzeme Üretim Teknolojileri |
Bölüm | Araştırma Makalesi |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 1 Aralık 2018 |
Gönderilme Tarihi | 13 Ekim 2017 |
Kabul Tarihi | 16 Kasım 2017 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2018 |
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.