Anodizasyon Akım Yoğunluğunun Lüminesans Bozunum Zaman Sabitine Etkisi

Yıl 2005, Cilt: 9 Sayı: 2, 0 - 0, 26.03.2005

E. Kayahan

Öz

Bıı çalışmada farklı anodizasyon akım yoğımluklarmda üretilmiş Ut'ızenckli silisyuınun (PS) havada sürekli UV ışığı (254 nm) aydınlanması altinda zamana bağlı fotolüminesans (PL) spektrum bozunumu ineelenmiştir Sürekli UV aydınlatılmasında yuksek akım yoğun lıığunda üretilen numunelerin (10 ve 30 mA. cın ) Pl spektrum siddeti azaldığı ve spektrum tepesinin mavi kaydığı gözlenmiştir Ay.rıca bu numuneler için PL şiddet bozunumunun iki zaman sabitli exponansiyel bii vaklaşıma uy duğu ve 3 mA. cm 2akım yoğunluğunda üretilen numune için ise PL şiddet bozunumunun sabit bir fonksionla ifade edilebileceği tespit edilmiştir Artan aktın yoğunluğu ile PL spektrum siddeti artar ve spektrum tepe noktası 12 nin civarında duşıık enerji yönünde yer değiştirir UV ışığı (366 11111) altında bekletilen numunelerin lTlR spektruııılarındaki Si—Hx bağlarına ait soğurma pilderinde (2060— 2150 c111 ) azalma. Si— O Si gerilme (1000 1200 cm )ve Si» l-l defonnasyon bağlarına (830 cm") ait soğurma pilderinde artma gözlenmiştir. PL bozunumundu yüzey kimyasal yapısı etkili rol oynamaktadır

Anahtar Kelimeler

Gözenekli silisyum. FHR. fotolttminesans. PL bozunumu

Kaynakça

• Canham. L. T., App. Phys. Lett. 57 (1990) 1046.
• Cullis, A. G.,. Canlıam, L. T. and Calcott PD. J. Appl J.. Phys. 82 (1997)909.
• Vasquez RP, Fathauer R. W., George. T.. Ksendzov, A. and Lin, Appl T. L, Phys. Lett. 60 (1992)1004.
• Brandt, M.S._. Fuchs HD.. Stutzmann M., Weber J., M. Cardona, Solid State Commun. 81 (1992) 307.
• Bhave T. M., lnlullavarad S. S., Bhoraskar S.V.. Hegde S.G.. Kanjila D. 1, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B 156(1999)121—124.
• Sharma, SN. , Bancrjce R.. Baı'ua A.K., Current Applied Physics, 3 (2003) 269274.
• Lakshmikumar. ST., Singh PK. _. Current Applied Physics, 3 (2003)185—189.
• Tischler, M.A., Collins R.T._. Stathis J.H. and et al., Appl. Phys. Lett. , 60(5)(1991)639.
• Tsai C., and Kinosky D. S., Appl. Phys. Lett., 60(1992)1700.
• Tsybeskov, L. and Fauchet PM. Appl. Phys. Lett. 64(15) (1994)1983—1985. silicon, Editors; Z.—Chuan Feng and Tsu R., Word Scientific, (1994), p261, Singapore.
• Polupan G.P., T.V. Torchynska, J.P. Gomez and et ai. J. of electron spectroscopy and related phenomena, 114—1 16 (2001) 235-241.
• Maruyama T., Ohtani 65(11)(1994)1346—1348.
• Sperveslage, G.. Grobe, J. and Benninghoven, A.. Presenius J.Anal. Chem, 361 (1998)554—557.
• Chang, S.S., Sakai, A. and Hummel, R.E., Materials Science and Engineering, B64 (1999) 118—122.
• Torchynska, T.V.. Korsunska, NE, Dzhumaev, E.R. and et al.. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 61 (1999) 937—941. (4) (1994)484-486.
• Masato, Ohmukai. Masaki Taniguchi, Yasuo Tsutsumi. Materials Science and Engineering, B86 (200026—28.
• Singh P. K. and Lakshmjkumar ST., Semicond. Sci. Technolo. 17(2002)l 123—1127.
• Shan. Li Q. and Chuan Pang R.. Porous silicon. Editors; Z.-Chuan Feng and Tsu R., Word Scientific. (1994), p243. Singapore.