Bu çalısmada, CuNi alasımının moleküler dinamik simulasyonu, Sutton-Chen (SC) potansiyeli kullanılarak incelendi. Bu potansiyel Cu, Ni ve CuNi in deneysel bilgilerinin fonksiyon parametrelerine fit edilmesiyle elde edildi. CuNi alasımının kristalizasyon sürecini atomik olarak tanımlamak için, gömülmüs atom yöntemini esas alan sabit basınç, sabit sıcaklık (NPT) moleküler dinamik simulasyonu uygulandı. Sıvı fazda iken 4x1011 K/s sogutma hızında sogutulan CuNi alasımının yapısı ve kristallesme olusum yetenegi radyal dagılım fonksiyonuyla incelendi. Simulasyon, üç temel dogrultu boyunca periyodik sınır sartlarını saglayan kübik bir hücrede 1024 atom içeren sistemle gerçeklestirildi. Hareket denklemleri Verlet algoritması kullanılarak sayısal olarak çözüldü. Sogutma deneyi için sıvı hal baslangıcı, katının sıvı sıcaklıgına ısıtılmasıyla elde edildi. Sistem 1300-1550K sıvılasma bölgesi üzerindeki sıcaklıkta eritildi ve homojenize edildi ve hızla oda sıcaklıgına sogutuldu.
Moleküler Dinamik Simulasyon Gömülmüş Atom Yöntemi Sutton-Chen Potansiyeli CuNi Alaşımı
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Bölüm | TEMEL BİLİMLER |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 9 Nisan 2009 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2007 Cilt: 11 Sayı: 2 |
e-ISSN :1308-6529
Linking ISSN (ISSN-L): 1300-7688
Dergide yayımlanan tüm makalelere ücretiz olarak erişilebilinir ve Creative Commons CC BY-NC Atıf-GayriTicari lisansı ile açık erişime sunulur. Tüm yazarlar ve diğer dergi kullanıcıları bu durumu kabul etmiş sayılırlar. CC BY-NC lisansı hakkında detaylı bilgiye erişmek için tıklayınız.