Annealing Effects on the Photoluminescence and Optical Properties of In-Doped CdS Films

Yıl 2013, Cilt: 17 Sayı: 3, 55 - 58, 11.07.2014

Seniye Karakaya Ömer Özbaş

Öz

Among the II–IV semiconductor compounds, CdS (band gap 2.43 eV) have large applications as photoconductors, in semiconductor lasers, nonlinear optical devices and photovoltaic solar cells. In this work; In-doped CdS (CdS:In) films were fabricated on glass substrates by ultrasonic spray pyrolysis (USP) method. The obtained samples were annealed in air at 450 °C for two different times as 1 and 2 hours. Effects of annealing on the surface and optical properties of CdS:In films were investigated by atomic force microscopy (AFM), optical transmittance and the room temperature photoluminescence (PL) spectroscopy. Thicknesses of the films, refractive indices and extinction coefficient values were determined by spectroscopic ellipsometry technique using Cauchy–Urbach model. The optical transmittance spectra showed that the annealing process improves the optical transmittance in the visible region.

Anahtar Kelimeler

In doped CdS, Photolüminescence Spectrum, AFM

In katkılı CdS Filmlerinin Fotolüminesans ve Optiksel Özellikleri Üzerine Tavlamanın Etkileri

Öz

II-VI yarıiletken bileşikler arasında, CdS (band aralığı 2.43 eV) fotoiletkenler, yarıiletken lazerler, nonlinear optik cihazlar ve fotovoltaik güneş pilleri gibi geniş uygulama alanlarına sahiptir. Bu çalışmada, In katkılı CdS (CdS:In) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniğiyle cam tabanlar üzerine üretilmiştir. Elde edilen numuneler 450 °C’de iki farklı sürede tavlanmıştır. CdS:In
filmlerinin yüzeysel ve optik özellikleri üzerine tavlamanın etkileri atomik kuvvet mikroskobu, optik geçirgenlik ve oda sıcaklığında fotolüminesans spektroskobisi alınarak incelenmiştir. Filmlerin kalınlıkları, kırılma indisi ve sönüm katsayısı değerleri Cauchy–Urbach modeli kullanılarak spektroskopik elipsometre tekniği kullanılarak belirlenmiştir. Optik geçirgenlik spektrumu tavlama işleminin görünür bölgede optik geçirgenliği arttırdığını göstermiştir. 

Anahtar Kelimeler

In katkılı CdS, Fotolüminesans Spektrum, AKM

Kaynakça

• Kaur, J., Paudya, D.K., Chopra, K.L. 1980. J. Electrochem. Soc., 127, 943.
• Martinuzzi, S. 1982. Sol. Cells 5, 243.
• Ashour, A. 2003. Turk J Phys. 27, 551.
• Ximello-Quiebrasa, J. N., Contreras-Puentea, G., Aguilar-Hernandez, J., Santana-Rodriguez G., Arias- Carbajal Readigos, A. 2004. Sol. Energy Mater. & Solar Cells 82, 263.
• Sivasubramanian, V., Arora, A.K., Premila, M., Sundar, C.S., Sastry, V.S. 2006. Physica E 31, 93.
• Uda, H., Yonezawa, H., Ohtsubo, Y., Kosaka, M., Sonomura, H. 2003. Sol. Energy Mater. & Solar Cells 75, 2
• Ullrich, B., Sakai, H., Segawa, Y. 2001. Thin Solid Films 385, 220.
• Thambidurai,M.,Muthukumarasamy,N.,Velauthapillai, D.,Murugan,N.,Agilan,S.,Vasantha,S.,Balasundaraprab hu, R., 2011.Influence of the Cd/S Molar Ratio on the Optical and Structural Properties of Nanocrystalline
• CdS Thin Films. Int. J. of Materials Res., 584. Sankapal, B.R., Mane, R.S., Lokhande, C. 2000. Mater. Res. Bull. 35, 177.
• Ravichandran, K., Philominathan, P. 2008. Sol. Energy 82, 1062.
• Ravichandran, K., Senthamilselvi V. 2013. Effect of indium doping level on certain physical properties of
• CdS filmsdeposited using an improved SILAR technique Applied Surface Science 270, 439– 444. Ahmad F. R., Yakimov A., Davis R. J., Her J., Cournoyer J. R., Ayensu N. M. 2013. Effect of thermal annealing on the properties of cadmium sulfide deposited via chemical bath deposition. Thin Solid Films 535, 166– 1