Having a high quality transparent
conductive electrode is one of the critical parameters for high efficient
Si-based photovoltaic device. Indium tin oxide (ITO), used for this purpose,
also behaves as an anti-reflective coating. In this study, it was shown that
the density modulated ITO thin films obtained by the combination of the low
pressure sputter (LPS) and high pressure sputter (HIPS) layers behave
anti-reflective coating as improve the transmission. The density modulated thin
film whose upper layer was grown by HIPS has shown a more porous morphology and
lower transmission for all thickness values. Besides, it was also observed that
the omnidirectional reflection is lower. Additionally, the more homogenous
property of the synthesized silicon nanostructures on HIPS-ITO is another
beneficial finding. Thus, HIPS has claimed that it is a simple yet effective
way of producing more efficient ITO layer
Indium Tin Oxide (ITO) Density Modulated Thin Film Optical Properties High Pressure Sputter (HIPS) Silicon Nanostructure
Verimli
bir Si-tabanlı güneş hücresi için yüksek geçirgenliğe sahip saydam iletken
elektrot kullanmak önemli bir ayrıntıdır. Bu amaçla kullanılan indiyum kalay
oksit (İTO) aynı zamanda yansıma önleyici kaplama görevini
de yerine getirir. Bu çalışmada, alçak basınç püskürtme (ABP) ve yüksek basınç
püskürtme (YBP) yöntemleri ile üretilen farklı malzeme yoğunluklarına sahip iki
katmanın bir araya getirilmesi ile oluşturulan yoğunluk modülasyonlu İTO ince filmlerin yansıma önleyici olarak davrandığı ve geçirgenliği
düşürdüğü gösterilmiştir. YBP ile elde edilen İTO ince filmin üst tabaka olarak kullanıldığı durumda morfolojisinin
daha pürüzlü hale geldiği ve her kalınlık değeri için geçirgenliğin daha yüksek
olduğu gözlemlenmiştir. Buna bağlı olarak, bu numunelerde çok yönlü yansımanın
daha düşük olduğu gösterilmiştir. YBP-İTO katmanın üzerine sentezlenen nanoyapıların oldukça homojen olması
ayrıca bir avantajdır. Sonuç olarak, YBP yöntemi daha kullanışlı bir İTO katmanı üretimi için basit ama etkili bir yöntem olduğunu
ispatlamıştır.
İndiyum Kalay Oksit (İTO) Yoğunluk Modülasyonlu İnce Film Optik Özellik Yüksek Basınç Püskürtme (YBP) Silisyum Nanoyapı
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Bölüm | Araştırma Makaleleri |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 30 Ekim 2019 |
Gönderilme Tarihi | 26 Ağustos 2019 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2019 Cilt: 45 Sayı: 2 |
Dergi Sahibi: Selçuk Üniversitesi Fen Fakültesi Adına Rektör Prof. Dr. Metin AKSOY
Selçuk Üniversitesi Fen Fakültesi Fen Dergisi temel bilimlerde ve diğer uygulamalı bilimlerde özgün sonuçları olan Türkçe ve İngilizce makaleleri kabul eder. Dergide ayrıca güncel yenilikleri içeren derlemelere de yer verilebilir.
Selçuk Üniversitesi Fen Fakültesi Fen Dergisi;
İlk olarak 1981 yılında S.Ü. Fen-Edebiyat Fakültesi Dergisi olarak yayın hayatına başlamış; 1984 yılına kadar (Sayı 1-4) bu adla yayınlanmıştır.
1984 yılında S.Ü. Fen-Edeb. Fak. Fen Dergisi olarak adı değiştirilmiş 5. sayıdan itibaren bu isimle yayınlanmıştır.
3 Aralık 2008 tarih ve 27073 sayılı Resmi Gazetede yayımlanan 2008/4344 sayılı Bakanlar Kurulu Kararı ile Fen-Edebiyat Fakültesi; Fen Fakültesi ve Edebiyat Fakültesi olarak ayrılınca 2009 yılından itibaren dergi Fen Fakültesi Fen Dergisi olarak çıkmıştır.
2016 yılından itibaren DergiPark’ta taranmaktadır.
Selçuk Üniversitesi Fen Fakültesi Fen Dergisi Creative Commons Atıf 4.0 Uluslararası Lisansı (CC BY-NC 4.0) ile lisanslanmıştır.