Ag/Azure A /n-Si Schottky Diyodun elektriksel ve fotovoltaik özelliklerinin araştırılması
Öz
Bu çalışmada; Ag/Azure A/n-Si/Al Schottky diyodların oda sıcaklığında karanlıkta ve solar simülatörde elektriksel ve fotovoltaik özellikleri araştırıldı. Hesaplamaların sonucunda karanlıkta idealite faktörü ve engel yüksekliği I-V ölçümlerinden 1,79, 0,79 eV olarak elde edildi. Fotovoltaik parametreler 100 mW/cm2 ışınım altında Voc =162 mV, Isc = 1,47 10-6 µA, fill faktörü (FF) % 30 ve verim (η) % 4,09 olarak hesaplanmıştır. Sonuçlardan görüleceği üzere imal edilen diyodun fotovoltaik özelliği olmakla beraber verimleri düşük çıkmıştır. Ayrıca I-V ölçümlerinden elde edilen sonuçlara bakıldığında diyodun iyi bir doğrultma özelliğine sahip olduğu söylenebilir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- [1] Sze S.M., Physics of semiconductor devices, 2nd ed. New York Wiley. 1981.
- [2] Rhoderick E.H. and William, R.H., Metal-Semiconductor Contacts, 2nd ed. Clarendon, Oxford. 1988.
- [3] Yakuphanoglu F., Interface control and photovoltaic properties of n-type silicon/metal junction by organic dye, J. Alloys Comp. 494 (2), 451–455, 2010.
- [4] Gokcen M., Alli A., Investigation of electrical and photovoltaic properties of Au/poly(propylene glycol)-b-polystyrene/n-Si diode at various illumination intensities, Philosophical Magazine, 94 (9), 925-932, 2014.
- [5] Orak I., Turut A. And Toprak M., The comparison of electrical characterizations and photovoltaic performance of Al/p-Si and Al/azure C/p-Si junctions devices, Synthetic Metals, 200, 66-73, 2015.
- [6] Ozaydin C., Akkilic K., Ilhan S., Ruzgar S., Gullu O., Temel H., Characterization of an Au/n-Si photovoltaic structure with an organic thin film, Materials Science in Semiconductor Processing, 16 (4), 1125-1130, 2013.
- [7] Çetinkaya H.G., Tecimer H., Uslu H., Altindal S., Photovoltaic characteristics of Au/PVA (Bi-doped)/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs) at various temperatures, Curr. Appl. Phys., 13, 1150-1156, 2013.
- [8] Kılıcoglu T., Aydın M. E. and Ocak Y. S., The determination of the interface state density distribution of the Al/methyl red/p-Si Schottky barrier diode by using a capacitance method, Phy. B. Cond. Matter 388 (1), 244–248, 2007.
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
-
Bölüm
Araştırma Makalesi
Yayımlanma Tarihi
5 Ekim 2017
Gönderilme Tarihi
5 Ekim 2017
Kabul Tarihi
-
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2017 Cilt: 6 Sayı: 1