Araştırma Makalesi
BibTex RIS Kaynak Göster
Yıl 2019, Cilt: 24 Sayı: 1, 265 - 276, 30.04.2019
https://doi.org/10.17482/uumfd.380688

Öz

Kaynakça

  • 1. Cheung, S.K., Cheung, N.W. (1986) Extraction of Schottky diode parameters from forward current voltage characteristics, Applied Physics Letters, 49, 85-87 doi.org/10.1063/1.97359
  • 2. Cullity, B.D. (1978) Elements of X-Ray Diffraction, Addison-Wesley, Reading, MA
  • 3. Gonzalez, A.P.P., Lora, H.G.C., Carreno, L.D.L., Martinez, H.M., Salcedo, N.J.T. (2014) Physical properties of ZnSe thin films deposited on glass and silicon substrates, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 75, 713-725. doi:10.1016/j.jpcs.2014.01.012
  • 4. Güzeldir, B., Sağlam, M., Ateş, A. (2010) Analysis of the electrical characteristics of Zn/ZnSe/n-Si/Au–Sb structure fabricated using SILAR method as a function of temperature, Journal of Alloys and Compounds, 506, 388-394. doi:10.1016/j.jallcom.2010.07.013
  • 5. Milnes, A.G., Feucht, D. L. (1972) Heterojunctions and Metal- Semiconductor Junctions, Academic Press, New York and London.
  • 6. Rhoderick, E.H., Williams, R.H. (1988) Metal-Semiconductor Contacts, 2.nd eddition, Oxford, London
  • 7. Orosel, D., Leynaud, O., Balog, P., Jansen, M. (2004) Pressure–temperature phase diagram of SeO2. Characterization of new phases, Journal of Solid State Chemistry, 177, 1631–1638, doi:10.1016/j.jssc.2003.12.028
  • 8. Park, G.D., Lee, J.H., Kang, Y.C. (2016) Superior Na-ion storage properties of high aspect ratio SnSe nanoplates prepared by a spray pyrolysis process, Nanoscale, 8, 11889-11896, doi:10.1039/C6NR01152G
  • 9. Salih, A.T., Najim, A.A., Muhi, M.A.H., Gbashi, K.R. (2017) Single-material multilayer ZnS as anti-reflective coating for solar cell applications, Optics Communications, 388, 84-89 doi:10.1016/j.optcom.2016.12.035
  • 10. Sze, S.M. (1981) Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, New York
  • 11. Yokoyama, M., Chen, N.T., Ueng, H.Y. (2000) Growth and characterization of ZnSe on Si by atomic layer epitaxy, Journal of Crystal Growth, 212, 97-102 doi:10.1016/S0022-0248(00)00004-X
  • 12. Yudar, H.H., Pat, S., Korkmaz, Ş., Özen, S., Şenay, V. (2017) Zn/ZnSe thin films deposition by RF magnetron sputtering, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 28, 2833-2837 doi:10.1007/s10854-016-5866-6
  • 13. Kaplan, H.K., Akay, S.K., Ahmetoğlu, M. (2018) Photoelectrical properties of fabricated ZnS/Si heterojunction device using thermionic vacuum arc method, Superlattices and Microstructures, 120, 402-409 doi:10.1016/j.spmi.2018.05.055

ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

Yıl 2019, Cilt: 24 Sayı: 1, 265 - 276, 30.04.2019
https://doi.org/10.17482/uumfd.380688

Öz

ZnSe/Si
Hetero eklem yapı, n-tipi silisyum (Si) alttaş üzerine çinko selenit (ZnSe)
ince filmin termal buharlaştırma tekniği kullanılarak kaplanmasıyla
üretilmiştir. Üretilen filmin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri, x-ışınları
kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve UV-vis spektrofotometre yardımıyla
incelenmiştir. XRD ve SEM analizleri ZnSe ince filmin Si alttaş üzerini
kaplayacak şekilde ve poli kristal yapıda olduğunu göstermektedir. ZnSe ince
filmin yüzeyi üzerinde 5 farklı bölgede gerçekleştirilen EDX analizine göre
yapının %51 Zn ve %49 Se elemental bileşim dağılımına sahip olduğu sonucuna varılmıştır.  ZnSe ince film kalınlığı 200 nm olarak
ölçüldü. Yasak enerji bant aralığı yaklaşıkça 2,86 eV olarak hesaplandı. Üretilen
yapının elektriksel parametreleri hem standart yöntem hem de Cheung-Cheung
yöntemiyle elde edildi. Bariyer yüksekliği 0,74 eV, idealite faktörü 1,26 ve
seri direnç 5,1 kΩ olarak belirlendi. Ayrıca, hetero eklem yapının dalga boyuna
bağlı foto tepki ölçümleri gerçekleştirildi. 

Kaynakça

  • 1. Cheung, S.K., Cheung, N.W. (1986) Extraction of Schottky diode parameters from forward current voltage characteristics, Applied Physics Letters, 49, 85-87 doi.org/10.1063/1.97359
  • 2. Cullity, B.D. (1978) Elements of X-Ray Diffraction, Addison-Wesley, Reading, MA
  • 3. Gonzalez, A.P.P., Lora, H.G.C., Carreno, L.D.L., Martinez, H.M., Salcedo, N.J.T. (2014) Physical properties of ZnSe thin films deposited on glass and silicon substrates, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 75, 713-725. doi:10.1016/j.jpcs.2014.01.012
  • 4. Güzeldir, B., Sağlam, M., Ateş, A. (2010) Analysis of the electrical characteristics of Zn/ZnSe/n-Si/Au–Sb structure fabricated using SILAR method as a function of temperature, Journal of Alloys and Compounds, 506, 388-394. doi:10.1016/j.jallcom.2010.07.013
  • 5. Milnes, A.G., Feucht, D. L. (1972) Heterojunctions and Metal- Semiconductor Junctions, Academic Press, New York and London.
  • 6. Rhoderick, E.H., Williams, R.H. (1988) Metal-Semiconductor Contacts, 2.nd eddition, Oxford, London
  • 7. Orosel, D., Leynaud, O., Balog, P., Jansen, M. (2004) Pressure–temperature phase diagram of SeO2. Characterization of new phases, Journal of Solid State Chemistry, 177, 1631–1638, doi:10.1016/j.jssc.2003.12.028
  • 8. Park, G.D., Lee, J.H., Kang, Y.C. (2016) Superior Na-ion storage properties of high aspect ratio SnSe nanoplates prepared by a spray pyrolysis process, Nanoscale, 8, 11889-11896, doi:10.1039/C6NR01152G
  • 9. Salih, A.T., Najim, A.A., Muhi, M.A.H., Gbashi, K.R. (2017) Single-material multilayer ZnS as anti-reflective coating for solar cell applications, Optics Communications, 388, 84-89 doi:10.1016/j.optcom.2016.12.035
  • 10. Sze, S.M. (1981) Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, New York
  • 11. Yokoyama, M., Chen, N.T., Ueng, H.Y. (2000) Growth and characterization of ZnSe on Si by atomic layer epitaxy, Journal of Crystal Growth, 212, 97-102 doi:10.1016/S0022-0248(00)00004-X
  • 12. Yudar, H.H., Pat, S., Korkmaz, Ş., Özen, S., Şenay, V. (2017) Zn/ZnSe thin films deposition by RF magnetron sputtering, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 28, 2833-2837 doi:10.1007/s10854-016-5866-6
  • 13. Kaplan, H.K., Akay, S.K., Ahmetoğlu, M. (2018) Photoelectrical properties of fabricated ZnS/Si heterojunction device using thermionic vacuum arc method, Superlattices and Microstructures, 120, 402-409 doi:10.1016/j.spmi.2018.05.055
Toplam 13 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Birincil Dil Türkçe
Konular Mühendislik
Bölüm Araştırma Makaleleri
Yazarlar

Hüseyin Kaan Kaplan

Sertan Kemal Akay 0000-0002-7597-1528

Yayımlanma Tarihi 30 Nisan 2019
Gönderilme Tarihi 18 Ocak 2018
Kabul Tarihi 18 Mart 2019
Yayımlandığı Sayı Yıl 2019 Cilt: 24 Sayı: 1

Kaynak Göster

APA Kaplan, H. K., & Akay, S. K. (2019). ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ. Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 24(1), 265-276. https://doi.org/10.17482/uumfd.380688
AMA Kaplan HK, Akay SK. ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ. UUJFE. Nisan 2019;24(1):265-276. doi:10.17482/uumfd.380688
Chicago Kaplan, Hüseyin Kaan, ve Sertan Kemal Akay. “ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ”. Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi 24, sy. 1 (Nisan 2019): 265-76. https://doi.org/10.17482/uumfd.380688.
EndNote Kaplan HK, Akay SK (01 Nisan 2019) ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ. Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi 24 1 265–276.
IEEE H. K. Kaplan ve S. K. Akay, “ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ”, UUJFE, c. 24, sy. 1, ss. 265–276, 2019, doi: 10.17482/uumfd.380688.
ISNAD Kaplan, Hüseyin Kaan - Akay, Sertan Kemal. “ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ”. Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi 24/1 (Nisan 2019), 265-276. https://doi.org/10.17482/uumfd.380688.
JAMA Kaplan HK, Akay SK. ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ. UUJFE. 2019;24:265–276.
MLA Kaplan, Hüseyin Kaan ve Sertan Kemal Akay. “ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ”. Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, c. 24, sy. 1, 2019, ss. 265-76, doi:10.17482/uumfd.380688.
Vancouver Kaplan HK, Akay SK. ZnSe/Si HETEROEKLEM YAPININ FOTOELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ. UUJFE. 2019;24(1):265-76.

DUYURU:

30.03.2021- Nisan 2021 (26/1) sayımızdan itibaren TR-Dizin yeni kuralları gereği, dergimizde basılacak makalelerde, ilk gönderim aşamasında Telif Hakkı Formu yanısıra, Çıkar Çatışması Bildirim Formu ve Yazar Katkısı Bildirim Formu da tüm yazarlarca imzalanarak gönderilmelidir. Yayınlanacak makalelerde de makale metni içinde "Çıkar Çatışması" ve "Yazar Katkısı" bölümleri yer alacaktır. İlk gönderim aşamasında doldurulması gereken yeni formlara "Yazım Kuralları" ve "Makale Gönderim Süreci" sayfalarımızdan ulaşılabilir. (Değerlendirme süreci bu tarihten önce tamamlanıp basımı bekleyen makalelerin yanısıra değerlendirme süreci devam eden makaleler için, yazarlar tarafından ilgili formlar doldurularak sisteme yüklenmelidir).  Makale şablonları da, bu değişiklik doğrultusunda güncellenmiştir. Tüm yazarlarımıza önemle duyurulur.

Bursa Uludağ Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi Dekanlığı, Görükle Kampüsü, Nilüfer, 16059 Bursa. Tel: (224) 294 1907, Faks: (224) 294 1903, e-posta: mmfd@uludag.edu.tr