Araştırma Makalesi

545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi

Cilt: 6 Sayı: 1 31 Ocak 2019
PDF İndir
EN TR

545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi

Öz

Bu çalışmada RF enerji hasatlama teknolojilerinde kullanılan doğrultucu topolojilerinden Dickson gerilim çoklayıcı devresi tasarlanmıştır.  Bu tasarımların farklı frekans ve yük değerlerinde verim analizi incelenmiştir.  Tek katmanlı ve çift katmanlı doğrultucu devresinin tasarımı ve simülasyonları için Advanced Design System (ADS) kullanılmıştır. Tasarım mikroşerit hatlar kullanılarak yapılmıştır. Doğrultucu katmanında HSMS-285C Schottky diyodu kullanılmıştır. Tek ve iki katmanlı Dickson gerilim çoklayıcı ile giriş gücü -10 dBm ile 20 dBm arasında ayarlanarak beş farklı frekans (545MHz, 900MHz, 1800MHz, 2.45GHz ve 5.8GHz) değerinde doğrultucu verimi, çıkış gerilimleri ve devrenin sürüldüğü yük değerleri incelenmiştir. Tek katmanlı doğrultucuda, 545MHz’de %36, iki katmanlı devrede ise %32 verim gözlenmiştir.

Anahtar Kelimeler

Kaynakça

  1. [1] S. Mekid, A. Qureshi, and U. Baroudi, "Energy Harvesting from Ambient Radio Frequency: Is it Worth it?," Arabian Journal for Science and Engineering, vol. 42, pp. 2673-2683, 2017.
  2. [2] L.-G. Tran, H.-K. Cha, and W.-T. Park, "RF power harvesting: a review on designing methodologies and applications," Micro and Nano Systems Letters, vol. 5, p. 14, 2017.
  3. [3] N.-D. Au and C. Seo, "A Novel Design of an RF-DC Converter for a Low–Input Power Receiver," Journal of Electromagnetic Engineering and Science, vol. 17, pp. 191-196, 2017.
  4. [4] M. Hata, "Empirical formula for propagation loss in land mobile radio services," IEEE transactions on Vehicular Technology, vol. 29, pp. 317-325, 1980.
  5. [5] S. Radiom, G. Vandenbosch, and G. Gielen, "Impact of antenna type and scaling on scavenged voltage in passive RFID tags," in Antenna Technology: Small Antennas and Novel Metamaterials, 2008. iWAT 2008. International Workshop on, 2008, pp. 442-445.
  6. [6] G. Gosset and D. Flandre, "Fully-automated and portable design methodology for optimal sizing of energy-efficient CMOS voltage rectifiers," IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems, vol. 1, pp. 141-149, 2011.
  7. [7] H. Zhang and X. Zhu, "A broadband high efficiency rectifier for ambient RF energy harvesting," in Microwave Symposium (IMS), 2014 IEEE MTT-S International, 2014, pp. 1-3.

Ayrıntılar

Birincil Dil

Türkçe

Konular

Mühendislik

Bölüm

Araştırma Makalesi

Yayımlanma Tarihi

31 Ocak 2019

Gönderilme Tarihi

19 Temmuz 2018

Kabul Tarihi

3 Ekim 2018

Yayımlandığı Sayı

Yıl 2019 Cilt: 6 Sayı: 1

Kaynak Göster

APA
Gözel, M., Kasar, Ö., & Kahriman, M. (2019). 545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi. El-Cezeri, 6(1), 24-30. https://doi.org/10.31202/ecjse.446070
AMA
1.Gözel M, Kasar Ö, Kahriman M. 545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi. ECJSE. 2019;6(1):24-30. doi:10.31202/ecjse.446070
Chicago
Gözel, Mahmut, Ömer Kasar, ve Mesud Kahriman. 2019. “545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi”. El-Cezeri 6 (1): 24-30. https://doi.org/10.31202/ecjse.446070.
EndNote
Gözel M, Kasar Ö, Kahriman M (01 Ocak 2019) 545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi. El-Cezeri 6 1 24–30.
IEEE
[1]M. Gözel, Ö. Kasar, ve M. Kahriman, “545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi”, ECJSE, c. 6, sy 1, ss. 24–30, Oca. 2019, doi: 10.31202/ecjse.446070.
ISNAD
Gözel, Mahmut - Kasar, Ömer - Kahriman, Mesud. “545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi”. El-Cezeri 6/1 (01 Ocak 2019): 24-30. https://doi.org/10.31202/ecjse.446070.
JAMA
1.Gözel M, Kasar Ö, Kahriman M. 545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi. ECJSE. 2019;6:24–30.
MLA
Gözel, Mahmut, vd. “545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi”. El-Cezeri, c. 6, sy 1, Ocak 2019, ss. 24-30, doi:10.31202/ecjse.446070.
Vancouver
1.Mahmut Gözel, Ömer Kasar, Mesud Kahriman. 545 MHz ile 5800 MHz Arası GSM ve ISM Bantlarda, HSMS 285c Diyodu Kullanılarak Yapılan Dickson Doğrultucu Devresinde Tek/Çift Katmanlı Yapının, RF-DC Güç Dönüştürme Verimine Etkisinin İncelenmesi. ECJSE. 01 Ocak 2019;6(1):24-30. doi:10.31202/ecjse.446070

Cited By