Yapılan
bu çalışmada, CMOS eşik gerilimine göre çalışan darlington cmos inverter devresi
ile paralel analog-sayısal dönüştürücü(A/D) yapısı tasarlanmıştır. Böylece bu yapıda nicemleme gerilimlerini elde
etmek için kullanılan direnç bölme dizisine ihtiyaç kalmamıştır. Darlington
yapısı, genellikle bipolar transistor için kullanılan bir yapı iken burada cmos
yapısı için önerilmiştir. Bu sayede kullanılan inverter devresinin kazancı
artırılmıştır. Önerilen 4-bit paralel
A/S dönüştürücü için besleme gerilimi +1.8V, sistemin saat frekansı 10GHz, analog giriş
işaretinin frekansı 100MHz alındığında elde edilen simülasyon sonuçlarına göre
güç tüketimi 96.6mW, INL hatası (0/-1.24)LSB, DNL hatası ise (-0.71/+0.82)LSB
olarak ölçülmüştür. Bütün simülasyon sonuçları şematik devre üzerinden
alınmıştır.
Darlington CMOS İnverter Analog Sayısal Dönüştürücü CMOS A/S Dönüştürücü Paralel A/S Dönüştürücü
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Tasarım ve Teknoloji |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 30 Mart 2018 |
Gönderilme Tarihi | 26 Kasım 2017 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2018 Cilt: 6 Sayı: 1 |