InSe ve InSe:Sn Yarıiletkenlerinde Farklı Tavlama Sıcaklıkları ve Süreleri için Lineer Soğurma Katsayılarının Belirlenmesi
Öz
Bu çalışmada Bridgman/Stockbarger metodu ile büyütülmüş InSe ve InSe:Sn yarıiletken kristallerinin farklı tavlama sıcaklıkları ve zamanları için lineer soğurma katsayıları incelenmiştir. Yarıiletkenlerden geçirilen 241Am’in gamma ışınları yüksek çözünürlüklü Si(Li) detektör tarafında detekte edilmiştir ve Enerji ayırımlı X-ışını Floresan Spektrometresi (EDXRFS) kullanılmıştır. InSe ve InSe:Sn yarıiletken kristallerinin lineer soğurma katsayılarının, tavlama süresi ve sıcaklığının artışıyla genelde arttığı gözlenmiştir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Abdinov, A. Sh., Babaeva, R. F., ve Rzaev, R. M., 2012. Electric Field Effect on Photoconductivity Decay in n-InSe Single Crystals. Inorganic Materials, 48(8), 781-785.
- Akça, B., Erzeneoğlu, S. Z., ve Gürbulak, B., 2015. Measurement of γ-ray transmission factors of semiconductor crystals at various annealing temperature and time. Indian Journal of Pure & Applied Physics, 53(1), 49-55.
- Choi, In.H., ve Peter Y. Yu., 2003. Properties of phase-pure InSe films prepared by metalorganic chemical vapor deposition with a single-source precursor. Journal of Applied Physics, 93(8), 4673-4677.
- Darwish, A., A., A., El-Nahass, M., M., ve Bahlol, M., N., 2013. Structural and electrical studies on nanostructured InSe thin films. Applied Surface Science, 2716, 210-216.
- Erzeneoğlu, S., İçelli, O., Gürbulak, B., ve Ateş, A., 2006. Measurement of mass attenuation coefficients for holmium doped and undoped layered semiconductors InSe at different energies and the validity of mixture rule for crystals around the absorption edge. Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer, 102(3), 343-347.
- Imai, K., Suzuki, K., Haga, T., Haegawa, Y., Abe, Y., 1981. Phase diagram of In-Se system and crystal growth of indium monoselenide. Journal of Crystal Growth, 54, 501-506.
- İçelli, O., Erzeneoğlu, S., ve Gürbulak, B., 2005. Mass Attenuation Coefficients for n-type InSe, InSe:Gd, InSe:Ho and InSe:Er Single Crystals. Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer, 90(3-4), 399-407.
- Mooser, E., Ed., 1976. Physics and Chemistry of Material With Layered Structure, (Riedel, Dordrecht,).
- Neamen, D. A., 2003, Semiconductor Physics and Devices Basic Principles, Third Edition, University of New Mexico.
- Olguin, D., Canterero, A., ve Syassen, U.K., 2003. Effect of Pressure on Structural roperties and Energy Band Gaps γ-InSe. Physica Status Solidi B, 235(2), 456-463.