In this work, the modeling for the capacitance of a vertical parallel silicon solar cell has been carried
out with an analytical approach. A theory on the determination of the diffusion coeffcient of the excess minority
carriers of a silicon solar cell is presented. Based on the continuity equation, excess minority carrier’s density,
photocurrent density and photovoltage have been determined. Also, this study allows us to determine the influences
of incidence angles on the photocurrent density, the photovoltage and the diffusion capacitance (open and short
circuit). The objective of this work is to show the effects of incidence angles on the solar cell capacitance with these
electrical parameters.
Diffusion capacitance incidence angle vertical parallel silicon solar cell
Bu çalışmada, analitik yaklaşımla dikey paralel silisyum güneş pili kapasitansı için modelleme yapıldı.
Silisyum güneş Pilinin aşırı azınlık taşıyıcıları difüzyon katsayısının belirlenmesi ile ilgili bir teori sunuldu.
Süreklilik denklemine bağlı olarak aşırı azınlık taşıyıcıların yoğunluğu, foto akım yoğunluğu ve foto gerilim
belirlendi. Ayrıca, bu çalışma foto akım yoğunluğu, foto gerilim ve difüzyon kapasitansına (açık ve kısa devre)
geliş açısının etkilerini belirlememize olanak sağlar. Bu çalışmanın amacı, bu elektriksel parametreler ile güneş
pili kapasitansına geliş açısının etkisini göstermektir.
Difüzyon kapasitansı dikey paralel silisyum güneş pili geliş açısı
Birincil Dil | İngilizce |
---|---|
Bölüm | Elektrik Elektronik Mühendisliği / Electrical Electronic Engineering |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 31 Mart 2017 |
Gönderilme Tarihi | 28 Mart 2016 |
Kabul Tarihi | 24 Temmuz 2016 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2017 Cilt: 7 Sayı: 1 |