Çift parabolik kuşatma altında kuantum sistemi elektronik enerji düzeyleri
Öz
Bu çalışmada çift parabolik kuşatma altındaki GaAs/Ga1-xAlxAs’den oluşan silindirik kuantum telinde taban durumu elektronik enerji düzeyinin tel yarıçapı ve manyetik alana bağlılığı incelendi. Elde edilen veriler parçacık bulunma olasılığı kullanılarak yorumlandı. Sonuçta taban durumu ve uyarılmış enerji düzeylerinin manyetik alana ve yarıçap değerlerine bağlılığının, kare kuyu ve tek parabol potansiyellerinden oldukça farklı olduğu, enerji düzeylerinin bu parametrelere güçlü bir şekilde bağımlı olduğu gözlenmiştir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Wegschneider, W.; Pfeiffer, L.N.; Dignam, M.M., Pinchuk, A.; West, K.W.; McCall, S.L; Hull, R.: “Dimensional Crossover and Confinement-induced Optical Anisotropy in GaAs T-shaped Quantum Wires”, Phys. Rev. Lett., 71 (1993) 4071.
- Akiyama, H.; Someya, T.; Sakaki, H.: “Optical Anisotropy in 5-nm-scale T Shaped Quantum Wires Fabricated by the Cleaved- Edge Overgrowth Metod”, Phys. Rev. B, 53 (1996) R4229-R4232.
- Akiyama, H.; Someya, T.; Sakaki, H.: “Dimensional Crossover and Confinement- Induced Optical Anisotropy in GaAs T-Shaped Quantum Wires”, Phys. Rev. B, 53 (1996) R10520-R10523.
- Poghosyan, B.Z. ; Demirjian, G. H. : “Bindind Energy of Hydrojenic Inpuritites in Quantum Well Wires”, Physica B, 338 (2003) 357 -360.
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
-
Bölüm
-
Yayımlanma Tarihi
25 Kasım 2011
Gönderilme Tarihi
25 Kasım 2011
Kabul Tarihi
-
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2008 Cilt: 20 Sayı: 1