Öz
In this paper,
InGaAsN thin films were deposited by Thermionic Vacuum Arc (TVA) for the first
time. Deposition parameters were determined. These films were grown on
different type substrate material. These are glass, Si and poly Polyethylene
terephthalate (PET) materials. Crystal structures of the produced
samples were investigated by XRD analysis of the produced samples. Atomic
concentrations of the deposited samples were investigated by EDX. The surface properties of the films were
imaged by atomic force microscopy. Band gap values were calculated by optical
method from the absorbance spectra of the UV-Vis spectrophotometer. According
to obtained results, different atomic ratios were detected.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Adamcyk, M., Schmid, J. H., Tiedje, T., Koveshnikov, A., Chahboun, A., Fink, V., & Kavanagh, K. L. (2002), Comparison of strain relaxation in InGaAsN and InGaAs thin films, Applied physics letters, 80(23), 4357-4359. doi: 10.1063/1.1485124
- Dumitras, G. (2003). Optical and Electrical Characterization of InGaAsN used for 1.3 µm lasers (Doctoral dissertation, Universität München).
- Fernández, S., Martínez-Steele, A., Gandía, J. J., & Naranjo, F. B. (2009), Radio frequency sputter deposition of high-quality conductive and transparent ZnO: Al films on polymer substrates for thin film solar cells applications, Thin Solid Films, 517(10), 3152-3156. doi:10.1016/j.tsf.2008.11.097
- Kondow, M., Nakatsuka, S. I., Kitatani, T., Yazawa, Y., & Okai, M. (1996), Room-temperature pulsed operation of GaInNAs laser diodes with excellent high-temperature performance, Japanese journal of applied physics, 35(11R), 5711. doi:10.1143/JJAP.35.5711
- Ong, W. L., Low, Q. X., Huang, W., Van Kan, J. A., & Ho, G. W. (2012), Patterned growth of vertically-aligned ZnO nanorods on a flexible platform for feasible transparent and conformable electronics applications, Journal of Materials Chemistry, 22(17), 8518-8524. doi: 10.1039/C2JM00027J
- Özen, S., Şenay, V., Pat, S., & Korkmaz, Ş. (2015), AlGaAs film growth using thermionic vacuum arc (TVA) and determination of its physical properties, The European Physical Journal Plus, 130(6), 1-6. doi: 10.1140/epjp/i2015-15108-3
- Pat, S., Korkmaz, Ş., Özen, S., & Şenay, V. (2015a), GaN thin film deposition on glass and PET substrates by thermionic vacuum arc (TVA), Materials Chemistry and Physics, 159, 1-5. doi:10.1016/j.matchemphys.2015.03.043
- Pat, S., Özen, S., Şenay, V., Korkmaz, Ş., & Şimşek, V. (2015b), Optical and surface properties of the in doped GaAs layer deposition using thermionic vacuum arc method, Scanning. Accepted paper. doi: 10.1002/sca.21269
- Senay, V., Ozen, S., Pat, S., & Korkmaz, S. (2015a ), Direct and fast growth of a SI: GAAS thin film by mns of thermionic vacuum arc (TVA), In Plasma Sciences (ICOPS), 2015 IEEE International Conference on (pp. 1-1). IEEE. doi: 10.1109/PLASMA.2015.7179798
- Şenay, V., Özen, S., Pat, S., & Korkmaz, Ş. (2015b), Some physical properties of a Si-doped nano-crystalline GaAs thin film grown by thermionic vacuum arc, Vacuum, 119, 228-232. doi:10.1016/j.vacuum.2015.05.030
- Yamaguchi, M., Nishimura, K. I., Sasaki, T., Suzuki, H., Arafune, K., Kojima, N., Araki, K. (2008), Novel materials for high-efficiency III–V multi-junction solar cells, Solar Energy, 82(2), 173-180. doi:10.1016/j.solener.2007.06.011
Öz
Bu çalışmada InGaAsN ince filmler ilk defa farklı
bir teknik olan Termiyonik Vakum Ark (TVA) tekniği ile üretilmiştir. InGaAsN
ince filmler üretilirken TVA üretim parametreleri belirlenmiştir. İnce filmler
üç farklı alt taş üzerine gerçekleştirilmiştir. Bunlar cam, Si ve Polietilen
tereftalat (PET) alt taş malzemedir.
Üretilen ince filmlerin XRD analizleri ile kristal yapıları
aydınlatılmaya çalışılmıştır. Yüzey bileşenleri için EDX analizi
kullanılmıştır. Filmlerin yüzey oluşumları atomik kuvvet mikroskobu ile
görüntülendi. UV-Vis spektrofotometresi ile elde edilen soğurma değerlerinden
ise yapıların yasak enerji aralıkları değerleri incelenmiştir. Sonuçlara göre, farklı alt taşlar üzerine
farklı atomik bileşimler elde edilmiştir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- Adamcyk, M., Schmid, J. H., Tiedje, T., Koveshnikov, A., Chahboun, A., Fink, V., & Kavanagh, K. L. (2002), Comparison of strain relaxation in InGaAsN and InGaAs thin films, Applied physics letters, 80(23), 4357-4359. doi: 10.1063/1.1485124
- Dumitras, G. (2003). Optical and Electrical Characterization of InGaAsN used for 1.3 µm lasers (Doctoral dissertation, Universität München).
- Fernández, S., Martínez-Steele, A., Gandía, J. J., & Naranjo, F. B. (2009), Radio frequency sputter deposition of high-quality conductive and transparent ZnO: Al films on polymer substrates for thin film solar cells applications, Thin Solid Films, 517(10), 3152-3156. doi:10.1016/j.tsf.2008.11.097
- Kondow, M., Nakatsuka, S. I., Kitatani, T., Yazawa, Y., & Okai, M. (1996), Room-temperature pulsed operation of GaInNAs laser diodes with excellent high-temperature performance, Japanese journal of applied physics, 35(11R), 5711. doi:10.1143/JJAP.35.5711
- Ong, W. L., Low, Q. X., Huang, W., Van Kan, J. A., & Ho, G. W. (2012), Patterned growth of vertically-aligned ZnO nanorods on a flexible platform for feasible transparent and conformable electronics applications, Journal of Materials Chemistry, 22(17), 8518-8524. doi: 10.1039/C2JM00027J
- Özen, S., Şenay, V., Pat, S., & Korkmaz, Ş. (2015), AlGaAs film growth using thermionic vacuum arc (TVA) and determination of its physical properties, The European Physical Journal Plus, 130(6), 1-6. doi: 10.1140/epjp/i2015-15108-3
- Pat, S., Korkmaz, Ş., Özen, S., & Şenay, V. (2015a), GaN thin film deposition on glass and PET substrates by thermionic vacuum arc (TVA), Materials Chemistry and Physics, 159, 1-5. doi:10.1016/j.matchemphys.2015.03.043
- Pat, S., Özen, S., Şenay, V., Korkmaz, Ş., & Şimşek, V. (2015b), Optical and surface properties of the in doped GaAs layer deposition using thermionic vacuum arc method, Scanning. Accepted paper. doi: 10.1002/sca.21269
- Senay, V., Ozen, S., Pat, S., & Korkmaz, S. (2015a ), Direct and fast growth of a SI: GAAS thin film by mns of thermionic vacuum arc (TVA), In Plasma Sciences (ICOPS), 2015 IEEE International Conference on (pp. 1-1). IEEE. doi: 10.1109/PLASMA.2015.7179798
- Şenay, V., Özen, S., Pat, S., & Korkmaz, Ş. (2015b), Some physical properties of a Si-doped nano-crystalline GaAs thin film grown by thermionic vacuum arc, Vacuum, 119, 228-232. doi:10.1016/j.vacuum.2015.05.030
- Yamaguchi, M., Nishimura, K. I., Sasaki, T., Suzuki, H., Arafune, K., Kojima, N., Araki, K. (2008), Novel materials for high-efficiency III–V multi-junction solar cells, Solar Energy, 82(2), 173-180. doi:10.1016/j.solener.2007.06.011
Ayrıntılar
| Konular | Mühendislik |
|---|---|
| Bölüm | Araştırma Makaleleri |
| Yazarlar | |
| Yayımlanma Tarihi | 29 Ağustos 2017 |
| Gönderilme Tarihi | 5 Nisan 2016 |
| Kabul Tarihi | 20 Temmuz 2017 |
| Yayımlandığı Sayı | Yıl 2017 |
Kaynak Göster
DUYURU:
30.03.2021- Nisan 2021 (26/1) sayımızdan itibaren TR-Dizin yeni kuralları gereği, dergimizde basılacak makalelerde, ilk gönderim aşamasında Telif Hakkı Formu yanısıra, Çıkar Çatışması Bildirim Formu ve Yazar Katkısı Bildirim Formu da tüm yazarlarca imzalanarak gönderilmelidir. Yayınlanacak makalelerde de makale metni içinde "Çıkar Çatışması" ve "Yazar Katkısı" bölümleri yer alacaktır. İlk gönderim aşamasında doldurulması gereken yeni formlara "Yazım Kuralları" ve "Makale Gönderim Süreci" sayfalarımızdan ulaşılabilir. (Değerlendirme süreci bu tarihten önce tamamlanıp basımı bekleyen makalelerin yanısıra değerlendirme süreci devam eden makaleler için, yazarlar tarafından ilgili formlar doldurularak sisteme yüklenmelidir). Makale şablonları da, bu değişiklik doğrultusunda güncellenmiştir. Tüm yazarlarımıza önemle duyurulur.
Bursa Uludağ Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi Dekanlığı, Görükle Kampüsü, Nilüfer, 16059 Bursa. Tel: (224) 294 1907, Faks: (224) 294 1903, e-posta: mmfd@uludag.edu.tr