Araştırma Makalesi

Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu

Cilt: 29 Sayı: 4 21 Nisan 2026
PDF İndir
EN TR

Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu

Öz

Al/NiO/p-Si Schottky diyot (SD) üretimi bir termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşturulmuştur. Bir arayüzey tabakası olarak kullanılan NiO’in yapısal analizi Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) kullanılarak gerçekleştirilmiş ve SEM yan kesit görüntüsünden NiO arayüzey tabakasının kalınlığı 0,0345 µm olarak bulunmuştur. Al/NiO/p-Si SD’nin elektriksel özelliklerini frekansa bağlı karakterize etmek amacıyla C-V ve G/-V ölçümleri 50-5000 kHz frekans aralığında ve -3 V ile +3 V aralığında gerçekleştirilmiştir. Seri direnci (Rs) hesaplamak için Nicollian-Brews yöntemi kullanılırken, arayüzey durumlarını (Nss) hesaplamak için yüksek-düşük frekans kapasitans yöntemi (CHF-CLF) kullanılmıştır. Nss değerinin 1012 eV-1cm-2 mertebesinde olduğu belirlenmiştir. Bu bulgular, NiO'nun elektronik cihazlardaki geleneksel yalıtkan katmanlara umut verici bir alternatif olduğunu göstermektedir.

Anahtar Kelimeler

Kaynakça

  1. [1] Demirezen S., Çetinkaya H. G., Kara M., Yakuphanoğlu F. ve Altındal Ş., “Synthesis, electrical and photo-sensing characteristics of the Al/(PCBM/NiO: ZnO)/p-Si nanocomposite structures”, Sensors and Actuators A: Physical, 317: 112449, (2021).
  2. [2] Jeong S., Kyhm J., Cha S.-K., Hwang D. K., Ju B.-K., Park J.-S., Kang S. J. ve Han I. K., “High-Speed Colloidal Quantum Dot Photodiodes via Accelerating Charge Separation at Metal–Oxide Interface”, Small, 15: 1900008, (2019).
  3. [3] Çiçek O., Altındal Ş. ve Azizian-Kalandaragh Y., “A highly sensitive temperature sensor based on Au/Graphene-PVP/n-Si type Schottky diodes and the possible conduction mechanisms in the wide range temperatures”, IEEE Sensors Journal, 20: 14081–14089, (2020).
  4. [4] Seven S., Yiğit E., Bayındır S., Akman F., Sevgili Ö., Dayan O. ve Orak İ., “The photodiode performances of NDI-appended ruthenium complexes”, Nano Express, 5: 025002, (2024).
  5. [5] Altındal Ş., Sevgili Ö. ve Azizian-Kalandaragh Y., “The structural and electrical properties of the Au/n-Si (MS) diodes with nanocomposites interlayer (Ag-doped ZnO/PVP) by using the simple ultrasound-assisted method”, IEEE Transactions on Electron Devices, 66: 3103–3109, (2019).
  6. [6] Alarabi A. A., Çiçek O., Makara H., Ünal F., Zurnacı M. ve Altındal Ş., “Comparison of p-n and p-i-n vertical diodes based on p-PMItz/n-Si, p-PMItz/n-4HSiC and p-PMItz/i-SiO2/n-Si heterojunctions”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 35: 957, (2024).
  7. [7] Hossain E., Sk R., Das M., Goura J., Roy S., Ray P. P., Mir M. H., Frontera A. ve Mukhopadhyay S., “Comparison of electrical conductivity and Schottky behavior of 4-[2-(9-anthryl)vinyl]pyridine based two 1D coordination polymers of Zn(II) and Cd(II)”, European Journal of Inorganic Chemistry, 27: e202300736, (2024).
  8. [8] Torrisi L., Havranek V., Mackova A., Torrisi A. ve Cutroneo M., “SiC and Si detectors comparison for high carbon energy spectrometry”, Journal of Instrumentation, 19: P07005, (2024).

Ayrıntılar

Birincil Dil

Türkçe

Konular

Malzeme Fiziği

Bölüm

Araştırma Makalesi

Erken Görünüm Tarihi

29 Ekim 2025

Yayımlanma Tarihi

21 Nisan 2026

Gönderilme Tarihi

23 Ocak 2025

Kabul Tarihi

21 Ekim 2025

Yayımlandığı Sayı

Yıl 2026 Cilt: 29 Sayı: 4

Kaynak Göster

APA
Sevgili, Ö., Orak, İ., Özel, S. S., & Özel, F. (2026). Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi, 29(4), 1-7. https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006
AMA
1.Sevgili Ö, Orak İ, Özel SS, Özel F. Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi. 2026;29(4):1-7. doi:10.2339/politeknik.1626006
Chicago
Sevgili, Ömer, İkram Orak, Sultan Süleyman Özel, ve Faruk Özel. 2026. “Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu”. Politeknik Dergisi 29 (4): 1-7. https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006.
EndNote
Sevgili Ö, Orak İ, Özel SS, Özel F (01 Nisan 2026) Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi 29 4 1–7.
IEEE
[1]Ö. Sevgili, İ. Orak, S. S. Özel, ve F. Özel, “Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu”, Politeknik Dergisi, c. 29, sy 4, ss. 1–7, Nis. 2026, doi: 10.2339/politeknik.1626006.
ISNAD
Sevgili, Ömer - Orak, İkram - Özel, Sultan Süleyman - Özel, Faruk. “Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu”. Politeknik Dergisi 29/4 (01 Nisan 2026): 1-7. https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006.
JAMA
1.Sevgili Ö, Orak İ, Özel SS, Özel F. Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi. 2026;29:1–7.
MLA
Sevgili, Ömer, vd. “Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu”. Politeknik Dergisi, c. 29, sy 4, Nisan 2026, ss. 1-7, doi:10.2339/politeknik.1626006.
Vancouver
1.Ömer Sevgili, İkram Orak, Sultan Süleyman Özel, Faruk Özel. Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi. 01 Nisan 2026;29(4):1-7. doi:10.2339/politeknik.1626006
 
TARANDIĞIMIZ DİZİNLER (ABSTRACTING / INDEXING)
181341319013191 13189 13187 13188 18016 

download Bu eser Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş 4.0 Uluslararası ile lisanslanmıştır.