Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu
Öz
Al/NiO/p-Si Schottky diyot (SD) üretimi bir termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşturulmuştur. Bir arayüzey tabakası olarak kullanılan NiO’in yapısal analizi Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) kullanılarak gerçekleştirilmiş ve SEM yan kesit görüntüsünden NiO arayüzey tabakasının kalınlığı 0,0345 µm olarak bulunmuştur. Al/NiO/p-Si SD’nin elektriksel özelliklerini frekansa bağlı karakterize etmek amacıyla C-V ve G/-V ölçümleri 50-5000 kHz frekans aralığında ve -3 V ile +3 V aralığında gerçekleştirilmiştir. Seri direnci (Rs) hesaplamak için Nicollian-Brews yöntemi kullanılırken, arayüzey durumlarını (Nss) hesaplamak için yüksek-düşük frekans kapasitans yöntemi (CHF-CLF) kullanılmıştır. Nss değerinin 1012 eV-1cm-2 mertebesinde olduğu belirlenmiştir. Bu bulgular, NiO'nun elektronik cihazlardaki geleneksel yalıtkan katmanlara umut verici bir alternatif olduğunu göstermektedir.
Anahtar Kelimeler
Kaynakça
- [1] Demirezen S., Çetinkaya H. G., Kara M., Yakuphanoğlu F. ve Altındal Ş., “Synthesis, electrical and photo-sensing characteristics of the Al/(PCBM/NiO: ZnO)/p-Si nanocomposite structures”, Sensors and Actuators A: Physical, 317: 112449, (2021).
- [2] Jeong S., Kyhm J., Cha S.-K., Hwang D. K., Ju B.-K., Park J.-S., Kang S. J. ve Han I. K., “High-Speed Colloidal Quantum Dot Photodiodes via Accelerating Charge Separation at Metal–Oxide Interface”, Small, 15: 1900008, (2019).
- [3] Çiçek O., Altındal Ş. ve Azizian-Kalandaragh Y., “A highly sensitive temperature sensor based on Au/Graphene-PVP/n-Si type Schottky diodes and the possible conduction mechanisms in the wide range temperatures”, IEEE Sensors Journal, 20: 14081–14089, (2020).
- [4] Seven S., Yiğit E., Bayındır S., Akman F., Sevgili Ö., Dayan O. ve Orak İ., “The photodiode performances of NDI-appended ruthenium complexes”, Nano Express, 5: 025002, (2024).
- [5] Altındal Ş., Sevgili Ö. ve Azizian-Kalandaragh Y., “The structural and electrical properties of the Au/n-Si (MS) diodes with nanocomposites interlayer (Ag-doped ZnO/PVP) by using the simple ultrasound-assisted method”, IEEE Transactions on Electron Devices, 66: 3103–3109, (2019).
- [6] Alarabi A. A., Çiçek O., Makara H., Ünal F., Zurnacı M. ve Altındal Ş., “Comparison of p-n and p-i-n vertical diodes based on p-PMItz/n-Si, p-PMItz/n-4HSiC and p-PMItz/i-SiO2/n-Si heterojunctions”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 35: 957, (2024).
- [7] Hossain E., Sk R., Das M., Goura J., Roy S., Ray P. P., Mir M. H., Frontera A. ve Mukhopadhyay S., “Comparison of electrical conductivity and Schottky behavior of 4-[2-(9-anthryl)vinyl]pyridine based two 1D coordination polymers of Zn(II) and Cd(II)”, European Journal of Inorganic Chemistry, 27: e202300736, (2024).
- [8] Torrisi L., Havranek V., Mackova A., Torrisi A. ve Cutroneo M., “SiC and Si detectors comparison for high carbon energy spectrometry”, Journal of Instrumentation, 19: P07005, (2024).
Ayrıntılar
Birincil Dil
Türkçe
Konular
Malzeme Fiziği
Bölüm
Araştırma Makalesi
Yazarlar
Ömer Sevgili
*
0000-0003-1740-1444
Türkiye
İkram Orak
0000-0003-2318-9718
Türkiye
Faruk Özel
0000-0002-3689-0469
Türkiye
Erken Görünüm Tarihi
29 Ekim 2025
Yayımlanma Tarihi
21 Nisan 2026
Gönderilme Tarihi
23 Ocak 2025
Kabul Tarihi
21 Ekim 2025
Yayımlandığı Sayı
Yıl 2026 Cilt: 29 Sayı: 4