Araştırma Makalesi
BibTex RIS Kaynak Göster

The frequency-dependent electrical properties and fabrication of Al/NiO/p-Si Schottky Diode

Yıl 2026, Cilt: 29 Sayı: 4 , 1 - 7 , 21.04.2026

Ömer Sevgili , İkram Orak , Sultan Süleyman Özel , Faruk Özel

https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006
https://izlik.org/JA36PX97DJ

Öz

The fabrication of Al/NiO/p-Si Schottky diode (SD) was formed using a thermal evaporation system. The structural analyze of NiO using an interfacial layer was conducted using a Scanning Electron Microscope (SEM) and the SEM cross-section revealed a thickness of 0.0345 µm for NiO interfacial layer. The capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements of the fabricated SD were performed in the 50 kHz to 5 MHz frequency range and in the -3 V to +3 V range. The Nicollian-Brews method was employed to calculate the series resistance (Rs), while the high-low frequency capacitance method (CHF-CLF) was used to calculate the surface states (Nss). The value of the Nss was determined to be in the order of 1012 eV-1cm-2. These findings suggest that NiO is a promising alternative to conventional insulating layers in electronic devices.

Anahtar Kelimeler

NiO frequency-dependent series resistance surface states

Kaynakça

  • [1] Demirezen S., Çetinkaya H. G., Kara M., Yakuphanoğlu F. ve Altındal Ş., “Synthesis, electrical and photo-sensing characteristics of the Al/(PCBM/NiO: ZnO)/p-Si nanocomposite structures”, Sensors and Actuators A: Physical, 317: 112449, (2021).
  • [2] Jeong S., Kyhm J., Cha S.-K., Hwang D. K., Ju B.-K., Park J.-S., Kang S. J. ve Han I. K., “High-Speed Colloidal Quantum Dot Photodiodes via Accelerating Charge Separation at Metal–Oxide Interface”, Small, 15: 1900008, (2019).
  • [3] Çiçek O., Altındal Ş. ve Azizian-Kalandaragh Y., “A highly sensitive temperature sensor based on Au/Graphene-PVP/n-Si type Schottky diodes and the possible conduction mechanisms in the wide range temperatures”, IEEE Sensors Journal, 20: 14081–14089, (2020).
  • [4] Seven S., Yiğit E., Bayındır S., Akman F., Sevgili Ö., Dayan O. ve Orak İ., “The photodiode performances of NDI-appended ruthenium complexes”, Nano Express, 5: 025002, (2024).
  • [5] Altındal Ş., Sevgili Ö. ve Azizian-Kalandaragh Y., “The structural and electrical properties of the Au/n-Si (MS) diodes with nanocomposites interlayer (Ag-doped ZnO/PVP) by using the simple ultrasound-assisted method”, IEEE Transactions on Electron Devices, 66: 3103–3109, (2019).
  • [6] Alarabi A. A., Çiçek O., Makara H., Ünal F., Zurnacı M. ve Altındal Ş., “Comparison of p-n and p-i-n vertical diodes based on p-PMItz/n-Si, p-PMItz/n-4HSiC and p-PMItz/i-SiO2/n-Si heterojunctions”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 35: 957, (2024).
  • [7] Hossain E., Sk R., Das M., Goura J., Roy S., Ray P. P., Mir M. H., Frontera A. ve Mukhopadhyay S., “Comparison of electrical conductivity and Schottky behavior of 4-[2-(9-anthryl)vinyl]pyridine based two 1D coordination polymers of Zn(II) and Cd(II)”, European Journal of Inorganic Chemistry, 27: e202300736, (2024).
  • [8] Torrisi L., Havranek V., Mackova A., Torrisi A. ve Cutroneo M., “SiC and Si detectors comparison for high carbon energy spectrometry”, Journal of Instrumentation, 19: P07005, (2024).
  • [9] Sevgili Ö., Şafak Asar Y., Altındal Ş., Ulusoy M. ve Azizian-Kalandaragh Y., “On comparison of Au/n-Si (MS) Schottky diodes with and without (Brushite + Monetite: PVC) an interlayer grown by spin coating technique”, Electrical Engineering, (2024).
  • [10] Genç N. ve Durna Pişkin E., “Grafit katot ve karışık metal oksit kaplı Ti anotların kullanıldığı S2O82-, H2O2 ve O3 ile desteklenen elektro-oksidasyon prosesinin optimizasyonu”, Politeknik Dergisi, 27: 1453–1461, (2024).
  • [11] Durmuş H., Şenel R., Taştekin R. A., Gül C. ve Çömez N., “Alüminyum alaşımlarına uygulanan alüminyum oksit takviyeli alüminyum/çinko soğuk sprey kaplamaların morfoloji ve aşınma dayanımına etkisi”, Politeknik Dergisi, 1, (2025).
  • [12] Pepe Y., “NiO kompozit filmlerin geliştirilmiş optik sınırlama davranışı”, Politeknik Dergisi, 28: 979–985, (2025).
  • [13] Sarcan F., Doğan U., Althumali A., Vasili H. B., Lari L., Kerrigan A., Kuruoğlu F., Lazarov V. K. ve Erol A., “A novel NiO-based p-i-n ultraviolet photodiode”, Journal of Alloys and Compounds, 934: 167806, (2023).
  • [14] Nagy B., Al-Rawhani M. A., Cheah B. C., Barrett M. P. ve Cumming D. R. S., “Immunoassay multiplexing on a complementary metal oxide semiconductor photodiode array”, ACS Sensors, 3: 953–959, (2018).
  • [15] Politzer P. ve Weinstein H., “Some relations between electronic distribution and electronegativity”, Journal of Chemical Physics, 71: 4218–4220, (1979).
  • [16] Hublikar L. V., Ganachari S. V., Shilar F. A. ve Raghavendra N., “Recent advances in transition metal oxide nanomaterials for solar cell applications: A status review and technology perspectives”, Materials Research Bulletin, 187: 113351, (2025).
  • [17] Taşçıoğlu İ., Soylu M., Altındal Ş., Al-Ghamdi A. A. ve Yakuphanoglu F., “Effects of interface states and series resistance on electrical properties of Al/nanostructure CdO/p-GaAs diode”, Journal of Alloys and Compounds, 541: 462–467, (2012).
  • [18] Jang B., Kim T., Lee S., Lee W.-Y. ve Jang J., “Schottky nature of Au/SnO2 ultrathin film diode fabricated using sol–gel process”, IEEE Electron Device Letters, 39: 1732–1735, (2018).
  • [19] Hossain M. A., Zhang T., Zakaria Y., Lambert D., Burr P. A., Rashkeev S. N., Abdallah A. ve Hoex B., “Doped nickel oxide carrier-selective contact for silicon solar cells”, IEEE Journal of Photovoltaics, 11: 1176–1187, (2021).
  • [20] Liu S., Liu R., Chen Y., Ho S., Kim J. H. ve So F., “Nickel oxide hole injection/transport layers for efficient solution-processed organic light-emitting diodes”, Chemistry of Materials, 26: 4528–4534, (2014).
  • [21] Park H., Chaurasiya R., Jeong B. H., Sakthivel P. ve Park H. J., “Nickel oxide for perovskite photovoltaic cells”, Advanced Photonics Research, 2: 2000178, (2021).
  • [22] Marnadu R., Venkatesan S., Alkallas F. H., Ben Gouider Trabelsi A., Shkir M. ve AlFaify S., “Facile synthesis and characterization of metal ions (Ce, Cu, Gd, Mn and Y) doped nickel oxide nanostructures for spintronic and photodiode applications”, Physica Scripta, 97: 095804, (2022).
  • [23] Narmada A., Ponnusamy K., Mohan L., Subramanian S. ve Raj M. C. J., “Jet nebuliser spray pyrolysed indium oxide and nickel doped indium oxide thin films for photodiode application”, Optik (Stuttgart), 202: 163701, (2020).
  • [24] Nakagomi S., “Ultraviolet photodetector based on a beta-gallium oxide/nickel oxide/beta-gallium oxide heterojunction structure”, Sensors, 23, (2023).
  • [25] Cai X., Hu T., Hou H., Zhu P., Liu R., Peng J., Luo W. ve Yu H., “A review for nickel oxide hole transport layer and its application in halide perovskite solar cells”, Materials Today Sustainability, 23: 100438, (2023).
  • [26] Enns Y., Timoshnev S., Kazakin A., Shubina K., Uvarov A., Vorobyev A., Nikitina E., Mizerov A., Andreeva V., Fedorenko E., Koroleva A. ve Zhizhin E., “Characterization of the p-NiO/n-GaN heterojunction and development of ultraviolet photodiode”, Materials Science in Semiconductor Processing, 181: 108624, (2024).
  • [27] Gozeh B. A., Karabulut A., Ismael C. B., Saleh S. I. ve Yakuphanoglu F., “Zn-doped CdO effects on the optical, electrical and photoresponse properties of heterojunctions-based photodiodes”, Journal of Alloys and Compounds, 872: 159624, (2021).
  • [28] Güneş O., Sarılmaz A., Baş S. Z., Özmen M., Özel F. ve Ersöz M., “Electrochemical detection of epinephrine based on a screen-printed electrode modified with NiO–ERGO nanocomposite film”, Electroanalysis, 33: 2460–2468, (2021).
  • [29] Afandiyeva İ. M., Dökme İ., Altındal Ş., Bülbül M. M. ve Tataroğlu A., “Frequency and voltage effects on the dielectric properties and electrical conductivity of Al–TiW–Pd2Si/n-Si structures”, Microelectronic Engineering, 85: 247–252, (2008).
  • [30] Moloi S. J. ve Bodunrin J. O., “Characterisation of interface states of Al/p-Si Schottky diode by current–voltage and capacitance–voltage–frequency measurements”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 34: 1712, (2023).
  • [31] Gupta R. K., Hendi A. A., Cavas M., Al-Ghamdi A. A., Al-Hartomy O. A., Aloraini R. H., El-Tantawy F. ve Yakuphanoglu F., “Improvement of photoresponse properties of NiO/p-Si photodiodes by copper dopant”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 56: 288–295, (2014).
  • [32] Nicollian E. H. ve Brews J. R., Metal Oxide Semiconductor (MOS) Physics and Technology, John Wiley & Sons, New York, (1982).
  • [33] Sze S. M., Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, (1981).
  • [34] Sevgili Ö., Orak İ. ve Tıraş K. S., “The examination of the electrical properties of Al/Mg2Si/p-Si Schottky diodes with an ecofriendly interfacial layer depending on temperature and frequency”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 144: 115380, (2022).
  • [35] Ulusoy M., Altındal Ş., Azizian-Kalandaragh Y., Özçelik S. ve Mirzaei-Kalar Z., “The electrical characteristic of an MIS structure with biocompatible minerals doped (Brushite+Monetite: PVC) interface layer”, Microelectronic Engineering, 258: 111768, (2022).
  • [36] Manjunath V., Rajagopal Reddy V., Sekhar Reddy P. R., Janardhanam V. ve Choi C. J., “Electrical and frequency-dependent properties of Au/Sm2O3/n-GaN MIS junction with a high-k rare-earth Sm2O3 as interlayer”, Current Applied Physics, 17: 980–988, (2017).
  • [37] Sevgili Ö., “The investigation of the electrical characteristics and photo-response properties of the Al/(CMAT)/p-Si structures”, Solid State Sciences, 117: 106635, (2021).
  • [38] Rhoderick E. H. ve Williams R. H., Metal-Semiconductor Contacts, Clarendon Press, Oxford, (1988).
  • [39] Demirezen S., Sönmez Z., Aydemir U. ve Altındal Ş., “Effect of series resistance and interface states on the I–V, C–V and G/ω–V characteristics in Au/Bi-doped polyvinyl alcohol (PVA)/n-Si Schottky barrier diodes at room temperature”, Current Applied Physics, 12: 266–272, (2012).
  • [40] Castagné R. ve Vapaille A., “Description of the SiO2–Si interface properties by means of very low frequency MOS capacitance measurements”, Surface Science, 28: 157–193, (1971).
  • [41] Alptekin S. ve Altındal Ş., “Electrical characteristics of Au/PVP/n-Si structures using admittance measurements between 1 and 500 kHz”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 31: 13337–13343, (2020).
  • [42] Çetinkaya H. G., Bengi S., Sevgili Ö. ve Altındal Ş., “The capacitance/conductance and surface state intensity characteristics of the Al/(CMAT)/p-Si structures”, Physica Scripta, 99: 025955, (2024).
  • [43] Erbilen Tanrıkulu E. ve Taşçıoğlu İ., “Variation of the surface states and series resistance depending on voltage, and their effects on the electrical features of a Schottky structure with CdZnO interface”, Journal of Electronic Materials, 52: 2432–2440, (2023).
  • [44] Hameed S., Berkün Ö. ve Altındal Yerişkin S., “On the voltage dependent series resistance, interface traps, and conduction mechanisms in the Al/(Ti-doped DLC)/p-Si/Au Schottky barrier diodes (SBDs)”, Gazi University Journal of Science Part A: Engineering and Innovation, 11: 235–244, (2024).
  • [45] Tataroğlu A., Al-Ghamdi A. A., El-Tantawy F., Farooq W. A. ve Yakuphanoğlu F., “Analysis of interface states of FeO–Al2O3 spinel composite film/p-Si diode by conductance technique”, Applied Physics A, 122: 220, (2016).
  • [46] Kaya S. ve Yılmaz E., “A comprehensive study on the frequency-dependent electrical characteristics of Sm2O3 MOS capacitors”, IEEE Transactions on Electron Devices, 62: 980–987, (2015).
  • [47] Çaldıran Z., Taşyürek L. B. ve Nuhoğlu Y., “The effect of different frequencies and illuminations on the electrical behavior of MoO3/Si heterojunctions”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 32: 27950–27961, (2021).

Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu

Yıl 2026, Cilt: 29 Sayı: 4 , 1 - 7 , 21.04.2026

Ömer Sevgili , İkram Orak , Sultan Süleyman Özel , Faruk Özel

https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006
https://izlik.org/JA36PX97DJ

Öz

Al/NiO/p-Si Schottky diyot (SD) üretimi bir termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşturulmuştur. Bir arayüzey tabakası olarak kullanılan NiO’in yapısal analizi Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) kullanılarak gerçekleştirilmiş ve SEM yan kesit görüntüsünden NiO arayüzey tabakasının kalınlığı 0,0345 µm olarak bulunmuştur. Al/NiO/p-Si SD’nin elektriksel özelliklerini frekansa bağlı karakterize etmek amacıyla C-V ve G/-V ölçümleri 50-5000 kHz frekans aralığında ve -3 V ile +3 V aralığında gerçekleştirilmiştir. Seri direnci (Rs) hesaplamak için Nicollian-Brews yöntemi kullanılırken, arayüzey durumlarını (Nss) hesaplamak için yüksek-düşük frekans kapasitans yöntemi (CHF-CLF) kullanılmıştır. Nss değerinin 1012 eV-1cm-2 mertebesinde olduğu belirlenmiştir. Bu bulgular, NiO'nun elektronik cihazlardaki geleneksel yalıtkan katmanlara umut verici bir alternatif olduğunu göstermektedir.

Anahtar Kelimeler

NiO frekansa bağlılık seri direnç arayüzey durumları

Kaynakça

  • [1] Demirezen S., Çetinkaya H. G., Kara M., Yakuphanoğlu F. ve Altındal Ş., “Synthesis, electrical and photo-sensing characteristics of the Al/(PCBM/NiO: ZnO)/p-Si nanocomposite structures”, Sensors and Actuators A: Physical, 317: 112449, (2021).
  • [2] Jeong S., Kyhm J., Cha S.-K., Hwang D. K., Ju B.-K., Park J.-S., Kang S. J. ve Han I. K., “High-Speed Colloidal Quantum Dot Photodiodes via Accelerating Charge Separation at Metal–Oxide Interface”, Small, 15: 1900008, (2019).
  • [3] Çiçek O., Altındal Ş. ve Azizian-Kalandaragh Y., “A highly sensitive temperature sensor based on Au/Graphene-PVP/n-Si type Schottky diodes and the possible conduction mechanisms in the wide range temperatures”, IEEE Sensors Journal, 20: 14081–14089, (2020).
  • [4] Seven S., Yiğit E., Bayındır S., Akman F., Sevgili Ö., Dayan O. ve Orak İ., “The photodiode performances of NDI-appended ruthenium complexes”, Nano Express, 5: 025002, (2024).
  • [5] Altındal Ş., Sevgili Ö. ve Azizian-Kalandaragh Y., “The structural and electrical properties of the Au/n-Si (MS) diodes with nanocomposites interlayer (Ag-doped ZnO/PVP) by using the simple ultrasound-assisted method”, IEEE Transactions on Electron Devices, 66: 3103–3109, (2019).
  • [6] Alarabi A. A., Çiçek O., Makara H., Ünal F., Zurnacı M. ve Altındal Ş., “Comparison of p-n and p-i-n vertical diodes based on p-PMItz/n-Si, p-PMItz/n-4HSiC and p-PMItz/i-SiO2/n-Si heterojunctions”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 35: 957, (2024).
  • [7] Hossain E., Sk R., Das M., Goura J., Roy S., Ray P. P., Mir M. H., Frontera A. ve Mukhopadhyay S., “Comparison of electrical conductivity and Schottky behavior of 4-[2-(9-anthryl)vinyl]pyridine based two 1D coordination polymers of Zn(II) and Cd(II)”, European Journal of Inorganic Chemistry, 27: e202300736, (2024).
  • [8] Torrisi L., Havranek V., Mackova A., Torrisi A. ve Cutroneo M., “SiC and Si detectors comparison for high carbon energy spectrometry”, Journal of Instrumentation, 19: P07005, (2024).
  • [9] Sevgili Ö., Şafak Asar Y., Altındal Ş., Ulusoy M. ve Azizian-Kalandaragh Y., “On comparison of Au/n-Si (MS) Schottky diodes with and without (Brushite + Monetite: PVC) an interlayer grown by spin coating technique”, Electrical Engineering, (2024).
  • [10] Genç N. ve Durna Pişkin E., “Grafit katot ve karışık metal oksit kaplı Ti anotların kullanıldığı S2O82-, H2O2 ve O3 ile desteklenen elektro-oksidasyon prosesinin optimizasyonu”, Politeknik Dergisi, 27: 1453–1461, (2024).
  • [11] Durmuş H., Şenel R., Taştekin R. A., Gül C. ve Çömez N., “Alüminyum alaşımlarına uygulanan alüminyum oksit takviyeli alüminyum/çinko soğuk sprey kaplamaların morfoloji ve aşınma dayanımına etkisi”, Politeknik Dergisi, 1, (2025).
  • [12] Pepe Y., “NiO kompozit filmlerin geliştirilmiş optik sınırlama davranışı”, Politeknik Dergisi, 28: 979–985, (2025).
  • [13] Sarcan F., Doğan U., Althumali A., Vasili H. B., Lari L., Kerrigan A., Kuruoğlu F., Lazarov V. K. ve Erol A., “A novel NiO-based p-i-n ultraviolet photodiode”, Journal of Alloys and Compounds, 934: 167806, (2023).
  • [14] Nagy B., Al-Rawhani M. A., Cheah B. C., Barrett M. P. ve Cumming D. R. S., “Immunoassay multiplexing on a complementary metal oxide semiconductor photodiode array”, ACS Sensors, 3: 953–959, (2018).
  • [15] Politzer P. ve Weinstein H., “Some relations between electronic distribution and electronegativity”, Journal of Chemical Physics, 71: 4218–4220, (1979).
  • [16] Hublikar L. V., Ganachari S. V., Shilar F. A. ve Raghavendra N., “Recent advances in transition metal oxide nanomaterials for solar cell applications: A status review and technology perspectives”, Materials Research Bulletin, 187: 113351, (2025).
  • [17] Taşçıoğlu İ., Soylu M., Altındal Ş., Al-Ghamdi A. A. ve Yakuphanoglu F., “Effects of interface states and series resistance on electrical properties of Al/nanostructure CdO/p-GaAs diode”, Journal of Alloys and Compounds, 541: 462–467, (2012).
  • [18] Jang B., Kim T., Lee S., Lee W.-Y. ve Jang J., “Schottky nature of Au/SnO2 ultrathin film diode fabricated using sol–gel process”, IEEE Electron Device Letters, 39: 1732–1735, (2018).
  • [19] Hossain M. A., Zhang T., Zakaria Y., Lambert D., Burr P. A., Rashkeev S. N., Abdallah A. ve Hoex B., “Doped nickel oxide carrier-selective contact for silicon solar cells”, IEEE Journal of Photovoltaics, 11: 1176–1187, (2021).
  • [20] Liu S., Liu R., Chen Y., Ho S., Kim J. H. ve So F., “Nickel oxide hole injection/transport layers for efficient solution-processed organic light-emitting diodes”, Chemistry of Materials, 26: 4528–4534, (2014).
  • [21] Park H., Chaurasiya R., Jeong B. H., Sakthivel P. ve Park H. J., “Nickel oxide for perovskite photovoltaic cells”, Advanced Photonics Research, 2: 2000178, (2021).
  • [22] Marnadu R., Venkatesan S., Alkallas F. H., Ben Gouider Trabelsi A., Shkir M. ve AlFaify S., “Facile synthesis and characterization of metal ions (Ce, Cu, Gd, Mn and Y) doped nickel oxide nanostructures for spintronic and photodiode applications”, Physica Scripta, 97: 095804, (2022).
  • [23] Narmada A., Ponnusamy K., Mohan L., Subramanian S. ve Raj M. C. J., “Jet nebuliser spray pyrolysed indium oxide and nickel doped indium oxide thin films for photodiode application”, Optik (Stuttgart), 202: 163701, (2020).
  • [24] Nakagomi S., “Ultraviolet photodetector based on a beta-gallium oxide/nickel oxide/beta-gallium oxide heterojunction structure”, Sensors, 23, (2023).
  • [25] Cai X., Hu T., Hou H., Zhu P., Liu R., Peng J., Luo W. ve Yu H., “A review for nickel oxide hole transport layer and its application in halide perovskite solar cells”, Materials Today Sustainability, 23: 100438, (2023).
  • [26] Enns Y., Timoshnev S., Kazakin A., Shubina K., Uvarov A., Vorobyev A., Nikitina E., Mizerov A., Andreeva V., Fedorenko E., Koroleva A. ve Zhizhin E., “Characterization of the p-NiO/n-GaN heterojunction and development of ultraviolet photodiode”, Materials Science in Semiconductor Processing, 181: 108624, (2024).
  • [27] Gozeh B. A., Karabulut A., Ismael C. B., Saleh S. I. ve Yakuphanoglu F., “Zn-doped CdO effects on the optical, electrical and photoresponse properties of heterojunctions-based photodiodes”, Journal of Alloys and Compounds, 872: 159624, (2021).
  • [28] Güneş O., Sarılmaz A., Baş S. Z., Özmen M., Özel F. ve Ersöz M., “Electrochemical detection of epinephrine based on a screen-printed electrode modified with NiO–ERGO nanocomposite film”, Electroanalysis, 33: 2460–2468, (2021).
  • [29] Afandiyeva İ. M., Dökme İ., Altındal Ş., Bülbül M. M. ve Tataroğlu A., “Frequency and voltage effects on the dielectric properties and electrical conductivity of Al–TiW–Pd2Si/n-Si structures”, Microelectronic Engineering, 85: 247–252, (2008).
  • [30] Moloi S. J. ve Bodunrin J. O., “Characterisation of interface states of Al/p-Si Schottky diode by current–voltage and capacitance–voltage–frequency measurements”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 34: 1712, (2023).
  • [31] Gupta R. K., Hendi A. A., Cavas M., Al-Ghamdi A. A., Al-Hartomy O. A., Aloraini R. H., El-Tantawy F. ve Yakuphanoglu F., “Improvement of photoresponse properties of NiO/p-Si photodiodes by copper dopant”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 56: 288–295, (2014).
  • [32] Nicollian E. H. ve Brews J. R., Metal Oxide Semiconductor (MOS) Physics and Technology, John Wiley & Sons, New York, (1982).
  • [33] Sze S. M., Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, (1981).
  • [34] Sevgili Ö., Orak İ. ve Tıraş K. S., “The examination of the electrical properties of Al/Mg2Si/p-Si Schottky diodes with an ecofriendly interfacial layer depending on temperature and frequency”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 144: 115380, (2022).
  • [35] Ulusoy M., Altındal Ş., Azizian-Kalandaragh Y., Özçelik S. ve Mirzaei-Kalar Z., “The electrical characteristic of an MIS structure with biocompatible minerals doped (Brushite+Monetite: PVC) interface layer”, Microelectronic Engineering, 258: 111768, (2022).
  • [36] Manjunath V., Rajagopal Reddy V., Sekhar Reddy P. R., Janardhanam V. ve Choi C. J., “Electrical and frequency-dependent properties of Au/Sm2O3/n-GaN MIS junction with a high-k rare-earth Sm2O3 as interlayer”, Current Applied Physics, 17: 980–988, (2017).
  • [37] Sevgili Ö., “The investigation of the electrical characteristics and photo-response properties of the Al/(CMAT)/p-Si structures”, Solid State Sciences, 117: 106635, (2021).
  • [38] Rhoderick E. H. ve Williams R. H., Metal-Semiconductor Contacts, Clarendon Press, Oxford, (1988).
  • [39] Demirezen S., Sönmez Z., Aydemir U. ve Altındal Ş., “Effect of series resistance and interface states on the I–V, C–V and G/ω–V characteristics in Au/Bi-doped polyvinyl alcohol (PVA)/n-Si Schottky barrier diodes at room temperature”, Current Applied Physics, 12: 266–272, (2012).
  • [40] Castagné R. ve Vapaille A., “Description of the SiO2–Si interface properties by means of very low frequency MOS capacitance measurements”, Surface Science, 28: 157–193, (1971).
  • [41] Alptekin S. ve Altındal Ş., “Electrical characteristics of Au/PVP/n-Si structures using admittance measurements between 1 and 500 kHz”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 31: 13337–13343, (2020).
  • [42] Çetinkaya H. G., Bengi S., Sevgili Ö. ve Altındal Ş., “The capacitance/conductance and surface state intensity characteristics of the Al/(CMAT)/p-Si structures”, Physica Scripta, 99: 025955, (2024).
  • [43] Erbilen Tanrıkulu E. ve Taşçıoğlu İ., “Variation of the surface states and series resistance depending on voltage, and their effects on the electrical features of a Schottky structure with CdZnO interface”, Journal of Electronic Materials, 52: 2432–2440, (2023).
  • [44] Hameed S., Berkün Ö. ve Altındal Yerişkin S., “On the voltage dependent series resistance, interface traps, and conduction mechanisms in the Al/(Ti-doped DLC)/p-Si/Au Schottky barrier diodes (SBDs)”, Gazi University Journal of Science Part A: Engineering and Innovation, 11: 235–244, (2024).
  • [45] Tataroğlu A., Al-Ghamdi A. A., El-Tantawy F., Farooq W. A. ve Yakuphanoğlu F., “Analysis of interface states of FeO–Al2O3 spinel composite film/p-Si diode by conductance technique”, Applied Physics A, 122: 220, (2016).
  • [46] Kaya S. ve Yılmaz E., “A comprehensive study on the frequency-dependent electrical characteristics of Sm2O3 MOS capacitors”, IEEE Transactions on Electron Devices, 62: 980–987, (2015).
  • [47] Çaldıran Z., Taşyürek L. B. ve Nuhoğlu Y., “The effect of different frequencies and illuminations on the electrical behavior of MoO3/Si heterojunctions”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 32: 27950–27961, (2021).
Toplam 47 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Birincil Dil Türkçe
Konular Malzeme Fiziği
Bölüm Araştırma Makalesi
Yazarlar

Ömer Sevgili 0000-0003-1740-1444

İkram Orak 0000-0003-2318-9718

Sultan Süleyman Özel 0000-0002-3935-9649

Faruk Özel 0000-0002-3689-0469

Gönderilme Tarihi 23 Ocak 2025
Kabul Tarihi 21 Ekim 2025
Erken Görünüm Tarihi 29 Ekim 2025
Yayımlanma Tarihi 21 Nisan 2026
DOI https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006
IZ https://izlik.org/JA36PX97DJ
Yayımlandığı Sayı Yıl 2026 Cilt: 29 Sayı: 4

Kaynak Göster

APA Sevgili, Ö., Orak, İ., Özel, S. S., & Özel, F. (2026). Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi, 29(4), 1-7. https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006
AMA 1.Sevgili Ö, Orak İ, Özel SS, Özel F. Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi. 2026;29(4):1-7. doi:10.2339/politeknik.1626006
Chicago Sevgili, Ömer, İkram Orak, Sultan Süleyman Özel, ve Faruk Özel. 2026. “Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu”. Politeknik Dergisi 29 (4): 1-7. https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006.
EndNote Sevgili Ö, Orak İ, Özel SS, Özel F (01 Nisan 2026) Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi 29 4 1–7.
IEEE [1]Ö. Sevgili, İ. Orak, S. S. Özel, ve F. Özel, “Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu”, Politeknik Dergisi, c. 29, sy 4, ss. 1–7, Nis. 2026, doi: 10.2339/politeknik.1626006.
ISNAD Sevgili, Ömer - Orak, İkram - Özel, Sultan Süleyman - Özel, Faruk. “Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu”. Politeknik Dergisi 29/4 (01 Nisan 2026): 1-7. https://doi.org/10.2339/politeknik.1626006.
JAMA 1.Sevgili Ö, Orak İ, Özel SS, Özel F. Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi. 2026;29:1–7.
MLA Sevgili, Ömer, vd. “Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu”. Politeknik Dergisi, c. 29, sy 4, Nisan 2026, ss. 1-7, doi:10.2339/politeknik.1626006.
Vancouver 1.Ömer Sevgili, İkram Orak, Sultan Süleyman Özel, Faruk Özel. Al/NiO/p-Si Schottky Diyotun frekansa bağlı elektriksel özellikleri ve fabrikasyonu. Politeknik Dergisi. 01 Nisan 2026;29(4):1-7. doi:10.2339/politeknik.1626006

Amaç ve Kapsam

 Temel mühendislik alanlarındaki hem deneysel hem de kuramsal çalışmaların yer aldığı dergimiz, mühendisliğin hızla gelişen alanlarına ilişkin makalelerin yayınına öncelik tanır ve disiplinlerarası yöntem ve teknolojiler üzerine yoğunlaşmayı,mühendislik bilimlerindeki en güncel bilimsel ve teknolojik gelişmeleri araştırmacılara, mühendislere ve ilgili kitlelere ulaştırmayı hedefler. Dergiye gönderilen bilimsel çalışmaların yayımlanmış veya sözlü veya poster sunum olarak başka yerde yayın için değerlendirme aşamasında bulunmaması gereklidir.


“Politeknik Dergisi" temel mühendislik konularını kapsayan bir dergidir. Dergi ulusal ve uluslararası düzeyde bilim, teknoloji ve mühendislik alanlarında orijinal bir araştırmayı bulgu ve sonuçlarıyla yansıtan ve bilime katkısı olan araştırma makalelerini veya yeterli sayıda bilimsel makaleyi tarayıp, konuyu bugünkü bilgi ve teknoloji düzeyinde özetleyen, değerlendirme yapan ve bulguları karşılaştırarak yorumlayan tarama makalelerini kabul etmektedir.

Dergimize makale gönderen ve/veya dergimizde hakemlik yapan /yapacak olan tüm kullanıcıların kurumsal e-posta hesapları ile sisteme kayıt olmaları gerekmektedir (yahoo.com, hotmail.com, gmail.com vb. uzantılı e-posta hesapları kullanılmamalıdır).

Dergimize ait herhangi bir ŞABLON formatı  bulunmamaktadır. İlk gönderi için makalelerin aşağıdaki kurallara göre hazırlanması gerekmektedir. 

Gazi Üniversitesi Politeknik Dergisi, Fen ve Mühendislik alanlarında çalışan bilim insanları arasındaki bilimsel iletişimi oluşturmak amacıyla, bilimsel özgün makaleleri Türkçe veya İngilizce olarak kabul etmektedir.

Araştırma Makalesi: Orijinal bir araştırmayı bulgu ve sonuçlarıyla yansıtan çalışmalar,

Tarama Makalesi: Yeterli sayıda bilimsel makaleyi tarayıp, konuyu günümüzün bilgi ve teknoloji düzeyinde özetleyen, değerlendirme yapan ve bu bulguları karşılaştırarak yorumlayan yazılar,

Teknik Not: Yapılan bir araştırmanın önemli bulgularını açıklayan yeni bir yöntem veya teknik tanımlayan yazılar. 

Bütün yazıların Telif Hakkı Devir Formu, makalenin bütün yazarları tarafından doldurulup editörlüğe iletilmelidir. Telif Hakkı Devir Formu göndermeyen yazarların yayınları işleme konulmaz. Yayınlanmasına karar verilen makaleler üzerine yazarlar tarafından sonradan hiçbir eklenti yapılamaz.

Her makale en az iki hakeme gönderilerek şekil ve içerik bakımından incelenir. Dergide yayınlanabilecek nitelikteki olduğu belirlenen makalelerin dizgisi yapılarak yayına hazır hale getirilir.

SUNUŞ

İlk gönderi esnasında, makalenin yazar(lar)ı tarafından benzerlik taraması yapılarak benzerlik oranını gösteren raporun makale ile birlikte yüklenmesi gerekmektedir. Detaylı bilgi için tıklayınız.

Her makalede yapılan çalışmanın özetlendiği bir Özet Sayfası bulunmalıdır. (Bu sayfa makalenin ilk sayfası olacak şekilde makalenizi tek dosya halinde gönderiniz). Özet sayfasına ait şablon dosyaya ulaşmak için tıklayınız.

1. METİN : Times New Roman yazı karakterinde ve 12 pt olacak şekilde yazılmalı, kaynaklar ve şekiller dahil tarama yazıları dışında 20 sayfayı geçmemelidir. Yazarlar makalelerinin ne türde bir yazı olduğunu belirtmelidirler.

2. BAŞLIK : Eserin başlığı, ilk harfleri büyük olacak şekilde Türkçe ve İngilizce olarak yazılmalı, başlık metne uygun, kısa ve açık olmalıdır.

Metin içerisindeki 1. derece başlıkların tamamı büyük harfle, 2. derece başlıkların tüm kelimelerinin ilk harfleri büyük harfle ve 3. ve daha alt başlıklar için başlığın yalnızca ilk kelimesi büyük harfle olacak şekilde yazılmalıdır (Metin içerisinde kullanılan başlıkların ve alt başlıkların tümünün İngilizceleri parantez içerisinde belirtilmelidir. Yazım dili İngilizce olan makalelerde, parantez içerisinde herhangi bir şey belirtilmemelidir. Tüm metin İngilizce olmalıdır)

3. ÖZET : 200 kelimeyi geçmeyecek şekilde Türkçe ve İngilizce yazılmalıdır. İngilizce özetin başına eserin başlığı da ingilizce olarak yazılmalıdır.

4. ANAHTAR KELİMELER : En az 3 en fazla 5 adet Türkçe/ İngilizce olarak verilmelidir.

5. METİN : Genel olarak giriş, yöntem, bulgular, sonuç ve tartışmaya ilişkin kısımları kapsar.

6. KAYNAKLAR : Metinde parantez içerisindeki [1], [2] vb. rakamlarla numaralandırılmalı ve metin sonunda da eser içinde veriliş sırasına göre yazılmalıdır.

Kaynak bir makale ise: Yazarın soyadı adının baş harfi, tırnak içerisinde makalenin tam başlığı, derginin adı (varsa uluslararası kısaltmaları), cilt no: makalenin başlangıç ve bitiş sayfa no, (yıl)

Örnek: Sözen A., Özbaş E., Menlik T., Çakır M. T., Gürü M. and Boran K., ''Improving the thermal performance of diffusion absorption refrigeration system with alumina nanofluids'', International Journal of Refrigeration, 44: 73-80, (2014)

Kaynak bir kitap ise: Yazarın soyadı adının başharfi, tırnak içerisinde kitabın adı, cilt no, varsa editörü, yayınevinin adı, yayın no, yayınlandığı yer, (yıl).

Kaynak kitaptan bir bölüm ise: Bölüm yazarının soyadı adının başharfi, tırnak içerisinde bölümün adı, bölümün alındığı kitabın adı, yayınevinin adı, yayınlandığı yer, (yıl).

Kaynak basılmış tez ise: Yazarın soyadı adının baş harfi, tırnak içerisinde tezin adı, cinsi (yüksek lisans, doktora), sunulduğu üniversite ve enstitüsü, (yıl).

Kaynak kongreden alınmış tebliğ ise: Yazarın soyadı adının baş harfi, tırnak içerisinde tebliğin adı, kongrenin adı, yapıldığı yer, tebliğin başlangıç ve bitiş sayfa no, (yıl).

Kaynak bir standart ise: Standardın numarası, tırnak içerisinde standardın adı, (yıl).

7. ÇİZELGE VE ŞEKİLLER: Çizelge içermeyen bütün görüntüler (fotoğraf, çizim, diyagram, grafik, harita vs.) şekil olarak isimlendirilmelidir. Her bir çizelge ve şekil, metin içinde gireceği yere yerleştirilmelidir. Bütün şekiller metin içinde ardışık olarak numaralandırılmalıdır (Metin içerisinde kullanılan Çizelge ve Şekillerin tümünün ingilizceleri parantez içerisinde belirtilmelidir. Yazım dili İngilizce olan makalelerde, parantez içerisinde herhangi bir şey belirtilmemelidir. Tüm metin İngilizce olmaldır).

8. FORMÜLLER VE BİRİMLER: Metin içerisindeki tüm formüller equation formatında yazılmalıdır. Formüllere (1), (2) şeklinde sıra numarası verilmelidir. Tüm birimler SI birim sisteminde olmalıdır.

9. SİMGELER VE KISALTMALAR : Metin sonunda kaynaklardan önce verilebilir.

10. TEŞEKKÜR : Eğer kişi veya kurumlara teşekkür yapılacaksa bu kısımda yazılmalı ve kaynaklardan önce verilmelidir.

11. ETİK BEYANI : Dergimizde yayımlanacak makalelerde etik kurul izini ve/veya yasal/özel izin alınmasının gerekip gerekmediği belirtilmiş olmalıdır. Eğer bu izinlerin alınması gerekli ise, izinin hangi kurumdan, hangi tarihte ve hangi karar veya sayı numarası ile alındığı açıkça sunulmalıdır. Ayrıca çalışma insan ve hayvan deneklerinin kullanımını gerektiriyor ise çalışmanın uluslararası deklarasyon, kılavuz vb. uygun gerçekleştirildiği beyan edilmelidir. İzin alınmasının gerekmediği durumlar için TEŞEKKÜR bölümünden sonra aşağıdaki metin eklenmelidir.  

        Türkçe dilindeki makaleler için:
        ETİK STANDARTLARIN BEYANI
        Bu makalenin yazar(lar)ı çalışmalarında kullandıkları materyal ve yöntemlerin etik kurul izni ve/veya yasal-özel bir izin gerektirmediğini beyan ederler.


        İngilizce dilindeki makaleler için:
        DECLARATION OF ETHICAL STANDARDS
        The author(s) of this article declare that the materials and methods used in this study do not require ethical committee permission and/or legal-special permission.

12. YAZAR KATKILARININ BEYANI: Bu bölümde makalede adı geçen her bir araştırmacının makaleye olan katkısı belirtilmelidir.

13. ÇIKAR ÇATIŞMASININ BEYANI: Makale yazarları arasındaki çıkar çatışması durumu belirtilmelidir. Herhangi bir çıkar çatışması yoksa "Bu çalışmada herhangi bir çıkar çatışması yoktur" ibaresi yazılmalıdır.

YAYIN ETİĞİ BİLDİRİMİ
Yayın etiği, en iyi uygulama kılavuzlarını sağlamak ve bu nedenle derginin editörleri, yazarları ve hakemler tarafından uyulması açısından çok önemlidir. Politeknik Dergisi, COPE'nin Davranış Kuralları ve Dergi Editörleri İçin En İyi Uygulama Kılavuz İlkeleri (https://publicationethics.org/resources/code-conduct) tarafından açıklanan ilkelere uygundur ve sadece şeffaflık ilkeleri değil, aynı zamanda en iyi bilimsel uygulama Yayın Etik Kurulu (COPE) tarafından belirlenen kurallara uygun olan makaleleri yayınlar.

Baş Editör ve Alan Editörlerinin Görevleri
Tarafsızlık
Derginin baş editörü ve bölüm editörleri, dergiye gönderilen makalelerin hangisinin yayınlanması gerektiğine karar vermekten sorumludur. Bu süreçte yazarlar ırk, etnik köken, cinsiyet, din ve vatandaşlıklarına göre editörler tarafından ayırt edilmez. Editörlerin yayınlanacak bir makaleyi kabul etme, gözden geçirme veya reddetme kararları, yalnızca makalenin önemi, özgünlüğü ve açıklığına ve ayrıca makalede yapılan çalışmanın derginin kapsamına uygunluğuna dayanmaktadır.
Gizlilik
Baş editör ve bölüm editörleri, gönderilen bir makale hakkında herhangi bir bilgiyi başkasıyla paylaşmamalıdır. Ayrıca ilgili yazar, hakemler / muhtemel hakemler ve yayıncı personel tarafından açıklanmamalıdır. Editörler, yazarlar tarafından sunulan tüm materyallerin inceleme sürecinde gizli kalmasını sağlayacaktır.
Çıkar Çatışması ve Açıklama
Gönderilmiş bir makalede açıklanan yayınlanmamış materyaller, yazarın yazılı izni olmadan hiçbir hakemin kendi çalışmalarında kullanılmamalıdır. Hakem değerlendirmesi sürecinden elde edilen münhasır bilgi veya görüşler gizli tutulmalı ve kişisel çıkarlar için kullanılmamalıdır. Hakemler, rekabetçi, işbirlikçi veya makalelere bağlı yazarlar, şirketler veya kurumlardan herhangi biriyle olan diğer ilişkilerden / bağlantılardan kaynaklanan çıkar çatışmalarına sahip oldukları yazıları dikkate almamalıdır.
Akran inceleme süreci
Baş editör / bölüm editörleri, dergi sistemine gönderilen her bir yazı için çift kör bir akran inceleme sürecinin etkin bir şekilde yapılmasını sağlamalıdır.
Etik olmayan davranışların yönetimi
Editörler, yayıncılarla birlikte, gönderilen bir makale veya yayınlanan bir makale hakkında etik şikâyetler sunulduğunda rasyonel olarak duyarlı önlemler almalıdır.

Yazar(lar)ın Görevleri
Makalenin Yazarı
Tasarım, yorumlama ve uygulama dâhil olmak üzere bildirilen çalışmaya önemli bir katkı sağlayanlara daraltılmalıdır. Gönderilen yazıya önemli katkılarda bulunan tüm yazarlar ortak yazar olarak listelenmelidir.

Özgünlük ve intihal
Gönderdikleri makalenin içeriğinden, dilinden ve özgünlüğünden yazarlar sorumludur. Yazarlar, orijinal eserlerini tamamen oluşturduğunu ve yazarlar çalışmayı ve / veya diğer yazarların sözlerini kullanmışlarsa, bunun uygun bir şekilde alıntılandığını veya alıntı yapıldığını temin etmelidir. İntihal, bir başkasının makalesini yazarın kendi makalesi olarak göstermek, bir başkasının makalesinin önemli kısımlarını (atıfta bulunmadan) kopyalamak veya başka bir deyişle, başkaları tarafından yapılan araştırmaların sonuçlarını almaktan farklı biçimlerdedir. Tüm formlarındaki intihal, etik olmayan yayıncılık davranışını içerir ve kabul edilemez. Hakemlere bir makale gönderilmeden önce, intihal araştırması için iThenticate aracılığıyla benzerlik açısından kontrol edilir.

Fon kaynaklarının tanınması
Makalede bildirilen araştırma için tüm finansman kaynakları, referanslar öncesinde makalenin sonunda ayrıntılı olarak belirtilmelidir.

İfşa ve çıkar çatışmaları
Tüm yazarlar makalelerinde, makalelerinin bulgularını veya yorumunu etkilemek için yorumlanabilecek herhangi bir maddi veya diğer maddi çıkar çatışmasını açıklamalıdır. Proje için tüm finansal destek kaynakları da açıklanmalıdır. Açıklanan potansiyel çıkar çatışmaları örnekleri arasında istihdam, danışmanlıklar, hisse senedi mülkiyeti, onur, ücretli uzman tanıklığı, patent başvuruları / kayıtları ve hibeler veya diğer fonlar yer almaktadır. Potansiyel çıkar çatışmaları mümkün olan en erken aşamada bildirilmelidir.

Raporlama standartları
Makalenin yazarları, yapılan çalışmanın doğru bir açıklamasını ve önemi ile ilgili objektif bir tartışma sunmalıdır. Temel veriler, metinde doğru olarak verilmelidir. Bir makale, diğer araştırmacıların çalışmayı tekrar etmelerine izin vermek için yeterli ayrıntıyı ve referansları içermelidir. Zor veya bilerek kesin olmayan ifadeler etik olmayan davranışlar oluşturur ve kabul edilemez. İnceleme ve profesyonel yayın makaleleri de kesin olmalı, özgün ve objektif olmalı ve editoryal düşünce çalışmaları açıkça ifade edilmelidir.

Veri erişimi ve saklama
Yazarlardan editoryal inceleme süreci için bir makaleyle bağlantılı ham verileri sağlamaları istenebilir ve herhangi bir durumda, yayınlandıktan sonra belirli bir süre için bu verileri saklamaları gerekebilir.

Çoklu, gereksiz veya eşzamanlı yayın
Gönderilen makaleler başka herhangi bir dergiye gönderilmemiş olmalıdır. Aynı makaleyi aynı anda birden fazla dergiye göndermek etik olmayan yayıncılık davranışını içerir. Yazarlar ayrıca makalenin daha önce başka bir yerde yayınlanmadığından da emin olmalıdır.

Yayınlanmış çalışmalarda ana hatalar
Bir yazar yayınlanmış eserinde önemli bir hata veya yanlışlıkla karşılaştığında, dergi editörünü veya yayıncısına bu durumu derhal bildirmek ve makaleyi geri çekmek veya düzeltmek için editörle işbirliği yapmak yükümlülüğündedir.

Hakemlerin Görevleri
Hakemler, makale le ilgili görüşlerini tamamlayarak yorumlarını kendisine tanımlanan zaman içerisinde göndermelidir. Eğer makale, hakemin ilgi alanına uygun değilse, makale editöre geri gönderilmelidir, böylece diğer hakemler zaman kaybetmeden atanabilirler.

Katkı
Hakemler, hakemli bir dergi olan derginin kalitesine katkıda bulunan ana üyelerdir. Alınan makaleyi incelemesi için kalifiye olmayan hakemler derhal editöre bildirmeli ve bu makaleyi incelemeyi reddetmelidir.

Gizlilik
İnceleme için gönderilen yazılar gizli belgeler olarak değerlendirilmelidir. Editör tarafından yetkilendirilmedikçe başkalarıyla gösterilmemeli veya tartışılmamalıdır.

Nesnellik standartları
Yorumlar objektif olarak gerçekleştirilmelidir. Yazarın kişisel eleştirisi uygun değildir. Hakemler açıkça destekleyici argümanlarla görüşlerini ifade etmelidir.

Kaynakların tanınması
Hakemler, yazarlar tarafından alıntılanmayan yayınlanmış çalışmaları tanımlamalıdır. Bir gözlem, türetme veya argümanın daha önce bildirildiği herhangi bir ifadeye ilgili atıfta bulunulmalıdır. Bir gözden geçiren aynı zamanda editörün dikkatini, ele alınan yazı ile kişisel bilgileri olan yayınlanmış diğer herhangi bir makale arasında hayati bir benzerlik ya da çakışma olduğuna dikkat etmelidir.

İfşa ve çıkar çatışması
Hakemler, rekabetçi, işbirlikçi veya yazılarla bağlantılı yazarlar, şirketler veya kurumlarla yapılan diğer ilişkilerden / bağlantılardan kaynaklanan çıkar çatışmalarına sahip oldukları makaleleri dikkate almamalıdır.

DERGİ POLİTİKASI
Makale Değerlendirme Süreci
Hakem Davetinin Geçerlilik Süresi : 30 gün
Hakem Daveti İçin Verilen Ekstra Süre : 15 gün
Hakemin Makaleyi Değerlendirme Süresi : 21 gün
Yazarın Düzeltmelerini Gerçekleştirmesi İçin Verilen Süre : 30 gün
Makale Değerlendirmesi İçin Hakeme Verilen Ekstra Süre : 7 gün

Ücret Politikası
Dergimize gönderilen makalelerin değerlendirilmesi/basılması gibi süreçlerde yazarlardan herhangi bir ücret talep edilmemektedir. 

Makale Geri Çekme Süreci
Yayımlanmış bir makalenin geri çekilmesi işlemi ilgili makalenin tüm yazarlarının ortak talebine istinaden yapılmaktadır. Geri çekilen makaleye ait bilgiler yazar(lar)ın editörlüğümüze başvurduğu tarihten sonra yayımlanacak ilk sayımızda GERİ ÇEKME(RETRACTION) başlığı altında bildirilir. 

Politeknik Dergisi makale gönderimi veya basım aşamasında herhangi bir ücret talep etmemektedir.

Atıf Dizinleri

Google Scholar
TR Dizin
Emerging Sources Citation Index (ESCI)
Thomson Reuters / Clarivate Analytics
EBSCO
SOBIAD

Genel Yayın Yönetmeni

Musa ATAR

Baş Editör

Adnan Sözen
Adnan SÖZEN

  
Enerji Sistemleri Mühendisliği, Enerji

Editörler

Murat Tolga ÖZKAN
Serhat KARYEYEN

Editör Yardımcıları

Fatih Emre BORAN
Volkan YILMAZ

Editör Asistanı

Erdem ÇİFTÇİ

Editörler Kurulu

Hülya DURMUŞ
Hüseyin PEKER
İhsan TOKTAŞ
Zafer AYAZ
Nihat OZTURK
O. Ayhan ERDEM
Figen BALO
Mustafa ÖZER
Orhan KAPLAN
Mustafa Bahadır ÖZDEMİR
Hacı Bayram KARADAĞ
İsmail AYDIN
İhsan KORKUT
Halil DEMİR
Melih OKUR
Ahmet GÜRAL
Kasım SERBEST
Murat YÜCEL
Emine Özge KARACA
Cemil ÇETİNKAYA
Volkan YILMAZ
Fatih Emre BORAN

Yayın Danışma Kurulu

Mehmet ESEN
İlker USTA
Ulvi ŞEKER
Murat HOŞÖZ
Hüseyin Rıza BÖRKLÜ
Mustafa AKTAŞ
Mehmet DEMİRTAŞ
Günnur KOCAR
Engin ÖZDEMİR
Ayhan ÖZÇİFÇİ
H. Serdar YÜCESU
Tayfun MENLİK
Metin GÜRÜ
Sare SAHİL
Erol KURT
Ramazan BAYINDIR
Ebru AKPINAR
Ramazan YILMAZ
Prof. Dr. Yasin VAROL
Nadire Şule ATILGAN
Ramazan KÖSE
Erol ARCAKLIOĞLU
Metin İPEK
Dilek KUMLUTAŞ
İshak KARAKAYA
Jamal KHATİB
Musa ATAR

Teknik Sorumlu

Şulenur ASAL
İrem KARAASLAN
Coşkun YÜKSEL

Yayın Etiği Kurulu

Murat Tolga ÖZKAN
Erdem ÇİFTÇİ
Serhat KARYEYEN
 
TARANDIĞIMIZ DİZİNLER (ABSTRACTING / INDEXING)
181341319013191 13189 13187 13188 18016 

download Bu eser Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş 4.0 Uluslararası ile lisanslanmıştır.