Derleme
BibTex RIS Kaynak Göster

Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi

Yıl 2026, Cilt: 29 Sayı: 4 , 1 - 10 , 21.04.2026

Pelin Doğan Sekreter , Atilla Uygur , Mustafa Alçı

https://doi.org/10.2339/politeknik.1338855
https://izlik.org/JA23JM24LA

Öz

ÖZ Düşük güçlü ve düşük gerilimli sistemler, taşınabilir elektronik cihazlardan otomotiv sektörüne kadar birçok alanda karşımıza çıkmaktadır. Bu nedenle bu konu üzerinde birçok çalışma yapılmaktadır. MOSFET’lerin, veriminin yüksek, anahtarlama hızının yüksek ve boyutlarının küçük olmasından dolayı analog devre tasarımında kullanılan bir yapıdır. Fakat düşük gerilim düşük güçlü sistemlerde eşik geriliminin oransal olarak düşük olmaması karşılaşılan problemlerden biridir. Eşik gerilimi probleminin üstesinden gelmek amacıyla geliştirilen yöntemler bu çalışmada kapsamlı bir literatür çalışması yapılarak incelenmektedir. Geliştirilen yöntemler detaylı olarak incelenmekte ve devre yapılarına sunduğu avantajlar ve dezavantajlar hakkında bilgiler de verilmektedir.

Anahtar Kelimeler

BD-MOS FGMOS QFGMOS DTMOS BD-FGMOS BD-QFGMOS

Kaynakça

  • [1] Rak´us M., Stopjakov´a V., Arbet D., “Design techniques for low-voltage analog integrated circuits” Journal of Electrical Engineering, 68(4): 245–255, (2017).
  • [2] Kuntman H., “Analog MOS Tümdevre Tekniği”, İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik Elektronik Fakültesi, İstanbul. (1997).
  • [3] Razavi B., “Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, International Edition, McGraw-Hill Series, Los Angeles (2011).
  • [4] Sharroush S. M., Abdalla Y. S., Yasser S., Dessouki A. A. and El-Badawy El-Sayed A., “Subthreshold MOSFET Transistor Amplifier Operation” Design and Test Workshop (IDT), (2009 4th International) .
  • [5] Sökmen Ö. G., “Akım ve Voltaj Modlu Aktif Elemanların Düşük Gerilim Düşük Güçlü Olarak Tasarlanması”, Doktora Tezi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri, 15 p. (2018).
  • [6] Rajput S. S., Jamuar S. S., “Low Voltage Analog Circuit Design Techniques”, IEEE Circuits and Systems Magazine, 2(1): 24-42, (2002).
  • [7] Khateb A., Musil V., Prokop R., “Rail-to-Rail Bulk-Driven Amplifier”, Electronics’, 21 – 23, Sozopol, BULGARIA, (2005).
  • [8] Bhat, S., Choudhary S., & Selvakumar J., “Design of Low Voltage CMOS OTA Using Bulk-Driven Technique”, Indian Journal of Science and Technology, 9(19): (2015).
  • [9] Dewaker A., Gupta M., Srivastava R., Ninawe A., “Design of Low-Voltage, Low-Power FGMOS Based Voltage Buffer, Analog Inverter and Winner-Take-All Analog Signal Processing Circuits” Scientific Research Publishing, 7: 1-10, (2016).
  • [10] Arora Y., Aggarwal B., Kaur J., “Low Voltage High Performance Floating Gate and Quasi Floating Gate CDTA”, Journal of Engg. Research ICAPIE Special Issue, 144-152, (2022).
  • [11] Gupta R., Sharma S., Gupta R., “Design of high speed and low power 4-bit comparator using FGMOS”, International Journal of Electronics and Communications, 76: 125-131, (2017).
  • [12] Maryan M. M., Azhari S. J., & Ghanaatian A., “Low power FGMOS-based four-quadrant current multiplier circuits”, Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 95(1): 115–125, (2018).
  • [13] Sökmen Ö.G., Alçı M., “A novel current controlled DVCC design based on FGMOS and filter applications”, IEEE 22nd Signal Processing and Communications Applications Conference, (2014).
  • [14] Nurulain, D., Musa F. A. S., Mohamad Isa M., Ahmad N., & Kasjoo S. R., “Low voltage low power FGMOS based current mirror”, EPJ Web of Conferences, 162, 01048, (2017).
  • [15] Sharma U., Jhamb M., “Efficient Design of FGMOS-Based Low-Power Low-Voltage XOR Gate”, Circuits Systems and Signal Processing, 42:2852–2871, (2023).
  • [16] Rahin A. B., Kadivarian A., Akbar S. N., Rahin V. B., “Tunable Ring Oscillators Based on Hybrid FGMOS/CNTFET Inverters with High Frequency and Low Power”, International Conference on New Researches and Technologies in Electrical Engineering (ICNRTEE), University of Science and Culture (USC), Tehran, Iran, (2023).
  • [17] Joshi S. B., Prajapati J. C., Soni B. H., “Analysis and Study of FGMOS Based CurrentMirror Circuit Using 0.35μm Technology”, International Journal of Engineering and Innovative Technology (IJEIT), 2(10): (2013).
  • [18] Khateb F., Dabbous S. B. A, Vlassis S., “A Survey of Non-conventional Techniques for Low-voltage Low-power Analog Circuit Design”, Radioengineering, 22(2): (2013).
  • [19] Khateb F., Khatib N., Kubanek D., “Low-Voltage Ultra-Low-Power Current ConveyorBased on Quasi-Floating Gate Transistors”, Radioengineering, 21(2): (2012).
  • [20] Shibata T., & Ohmi T., “A functional MOS transistor featuring gate-level weighted sum and threshold operations”, IEEE Transactions on Electron Devices, 39(6): 1444–1455, (1992).
  • [21] Castaldo F. C., Rodrigues P., Cajueiro J. P. and Filho C. A. D. R., “Floating-Gate Analog Memory Cell Programming Environment”, Computer Science, (2004).
  • [22] Prakash B., Bansal U., & Gupta M., “Low-Power High Output Impedance-Improved Bandwidth Current Mirror Using FGMOS and QFGMOS”, Applications of Computing, Automation and Wireless Systems in Electrical Engineering, 997–1006, (2019).
  • [23] Miguel J. M. A., Lopez-Martin A. J., Acosta L., Ramirez-Angulo J., & Carvajal R. G., “Using Floating Gate and Quasi-Floating Gate Techniques for Rail-to-Rail Tunable CMOS Transconductor Design”, IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 58(7): 1604–1614, (2011).
  • [24] Gupta R. and Sharma S., “Voltage controlled resistor using quasi-floating-gate MOSFETs”, Maejo Int. J. Sci. Technol. 7(01): 16-25, (2013).
  • [25] Gupta R., Sharma S., & Jamuar S. S., “A low voltage current mirror based on quasi-floating gate MOSFETs”, 2010 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems, (2010).
  • [26] Aggarwal B., & Gupta A., “QFGMOS and FGMOS based low-voltage high performance MI-OTA”, International Journal of Information Technology, 13(2): 415–422, (2020).
  • [27] Bhardwaj R., Srivastava R., Kandari R., Kumar A., “Comparative Analysis of Wilson Current Mirror utilizing FGMOS and QFGMOS Technique”, IEEE Delhi Section Conference (DELCON), (2022).
  • [28] Özer E., Başak M.E., Kaçar F., “A four-quadrant analog multiplier using DTMOS for low power applications”, International Journal of Electronics, 110(2):, (2022).
  • [29] Yildirim M., “Design of Low-Voltage and Low-Power DTMOS Based Analog Multiplier Utilizing Current Squarer”, International Journal of Electronics Letters, 9(1): 1–13, (2021).
  • [30] Garg S., Niranjan V., “DTMOS Transistor with Self-Cascode Subcircuit for Achieving High Bandwidth in Analog Applications”, International Journal of Computer Applications (0975 – 8887), 127 (11): (2015).
  • [31] Amin N. U., Hakim N., “SOI-DTMOS based Novel Structure: Modeling, LNA Implementation and Comparison”, Electronics and Communications in Japan (IJECT), 4(Spl-2): 9-13, (2013).
  • [32] Mustapa M., Mohd-Yasin F., Khawi M. K., Reaz M. B. I., & Kordesch A., “Low power ROM employing dynamic threshold-voltage MOSFET (DTMOS) technique”, IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, (2008).
  • [33] Dabas A., Kumari S., Gupta M., Yadav R., “Design and analysis of DTMOS based RFC with controlled positive feedback OTA using HSCCM and adaptive biasing technique”, Integration, 90–103, (2023).
  • [34] Uygur A., “DTMOS Kullanan Düşük Gerilimli Analog Devre Tasarımında Yeni Olanaklar”, Doktora Tezi, Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul Teknik Üniversitesi, İstanbul, 32 p. (2013).
  • [35] Uygur A., Kuntman H., “An ultra low-voltage, ultra low-power DTMOS-based CCII design for speech processing filters”, 8th International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ELECO), (2013).
  • [36] Rahin A. B., Ghasemi M. H., Rahin V. B., “DTMOS-Based Low-Voltage and Low-Power Two-Stage OTA”, IEEE 6th Conference on Technology In Electrical and Computer Engineering (ETECH 2021), Tafresh University, Tafresh, Iran, (2022).
  • [37] Dubey T., Bhadauria V., “A low-voltage highly linear OTA using bulk-driven floating gate MOSFETs”, Int. J. Electron. Commun. (AEÜ) 98: 29–37, (2018).
  • [38] Dubey T., & Bhadauria V., “Linearity Improvement of Bulk Driven Floating Gate OTA Using Cross-Bulk and Quasi-Bulk Techniques”, Journal of Circuits, Systems and Computers, (2020).
  • [39] Khateb F., “Bulk-driven floating-gate and bulk-driven quasi-floating-gate techniques for low-voltage low-power analog circuits design”, AEU- International Journal of Electronics and Communications, 68(1): 64–72, (2014).
  • [40] Rana C., Afzal N., Prasad D., “A high performance bulk driven quasi floating gate MOSEFT based current mirror”, Procedia Computer Science 79: 747 – 754, (2016).
  • [41] Kumngern M., & Khateb F., “0.5 V fully differential current conveyor using bulk-driven quasi-floating-gate technique”, IET Circuits, Devices & Systems, 10(1): 78–86, (2016).
  • [42] Raj N., Singh A. K., Gupta A. K, “Low Voltage High Output Impedance Bulk-Driven Quasi-Floating Gate Self-Biased High-Swing Cascode Current Mirror”, Circuits Syst Signal Process 35:2683–2703, (2016).
  • [43] Khateb F., Kulej T., Veldandi H. & Jaikla W., “Multiple-input Bulk-driven Quasi-floating-gate MOS transistor for low-voltage low-power integrated circuits”, AEU- International Journal of Electronics and Communications, (2018).
  • [44] Khateb F., Kulej T., Kumngern M., Jaikla W. & Kumar Ranjan R. “Comparative performance study of multiple-input Bulk-driven and multiple-input Gate-driven Quasi-floating-gate DDCCs”, AEU- International Journal of Electronics and Communications, (2019).
  • [45] Narang N., Aggarwal B., Gupta M., “DTMOS based low voltage high performance FVF-OTA and its application in MISO filter”, International Conference on Advances in Computing, Communications and Informatics (ICACCI), (2016).
  • [46] Ghosh S., Tripathi S., Bhadauria V., “A Low Harmonic High Gain Sub-Threshold Flipped Voltage Follower Based Bulk-driven OTA Suitable for low frequency applications”, International Conference on Communication and Signal Processing (VCAS), (2019).
  • [47] De La Cruz-Blas C.A., Garde M.P., Lopez-Martin A., “Super Class AB Transconductor with Slew-Rate Enhancement using QFG MOS Techniques”, European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD), (2017).

Investigation of Low Voltage Low Power MOSFET Design Methods

Yıl 2026, Cilt: 29 Sayı: 4 , 1 - 10 , 21.04.2026

Pelin Doğan Sekreter , Atilla Uygur , Mustafa Alçı

https://doi.org/10.2339/politeknik.1338855
https://izlik.org/JA23JM24LA

Öz

ABSTRACT Low-power and low-voltage systems are available in a variety of industries, including automotive and portable electronics. Therefore, many studies are carried out on this subject. MOSFETs are a structure used in analog circuit design due to their high efficiency, fast switching and small size. However, one of the problems encountered is that the threshold voltage is not proportionally low in low voltage low power systems. The methods developed to overcome the threshold voltage problem are examined in this article by making a comprehensive literature study. The developed methods are examined in detail and information about the advantages and disadvantages offered to the circuit structures is also given.

Anahtar Kelimeler

BD-MOS FGMOS QFGMOS DTMOS BD-FGMOS BD-QFGMOS

Kaynakça

  • [1] Rak´us M., Stopjakov´a V., Arbet D., “Design techniques for low-voltage analog integrated circuits” Journal of Electrical Engineering, 68(4): 245–255, (2017).
  • [2] Kuntman H., “Analog MOS Tümdevre Tekniği”, İstanbul Teknik Üniversitesi Elektrik Elektronik Fakültesi, İstanbul. (1997).
  • [3] Razavi B., “Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, International Edition, McGraw-Hill Series, Los Angeles (2011).
  • [4] Sharroush S. M., Abdalla Y. S., Yasser S., Dessouki A. A. and El-Badawy El-Sayed A., “Subthreshold MOSFET Transistor Amplifier Operation” Design and Test Workshop (IDT), (2009 4th International) .
  • [5] Sökmen Ö. G., “Akım ve Voltaj Modlu Aktif Elemanların Düşük Gerilim Düşük Güçlü Olarak Tasarlanması”, Doktora Tezi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri, 15 p. (2018).
  • [6] Rajput S. S., Jamuar S. S., “Low Voltage Analog Circuit Design Techniques”, IEEE Circuits and Systems Magazine, 2(1): 24-42, (2002).
  • [7] Khateb A., Musil V., Prokop R., “Rail-to-Rail Bulk-Driven Amplifier”, Electronics’, 21 – 23, Sozopol, BULGARIA, (2005).
  • [8] Bhat, S., Choudhary S., & Selvakumar J., “Design of Low Voltage CMOS OTA Using Bulk-Driven Technique”, Indian Journal of Science and Technology, 9(19): (2015).
  • [9] Dewaker A., Gupta M., Srivastava R., Ninawe A., “Design of Low-Voltage, Low-Power FGMOS Based Voltage Buffer, Analog Inverter and Winner-Take-All Analog Signal Processing Circuits” Scientific Research Publishing, 7: 1-10, (2016).
  • [10] Arora Y., Aggarwal B., Kaur J., “Low Voltage High Performance Floating Gate and Quasi Floating Gate CDTA”, Journal of Engg. Research ICAPIE Special Issue, 144-152, (2022).
  • [11] Gupta R., Sharma S., Gupta R., “Design of high speed and low power 4-bit comparator using FGMOS”, International Journal of Electronics and Communications, 76: 125-131, (2017).
  • [12] Maryan M. M., Azhari S. J., & Ghanaatian A., “Low power FGMOS-based four-quadrant current multiplier circuits”, Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 95(1): 115–125, (2018).
  • [13] Sökmen Ö.G., Alçı M., “A novel current controlled DVCC design based on FGMOS and filter applications”, IEEE 22nd Signal Processing and Communications Applications Conference, (2014).
  • [14] Nurulain, D., Musa F. A. S., Mohamad Isa M., Ahmad N., & Kasjoo S. R., “Low voltage low power FGMOS based current mirror”, EPJ Web of Conferences, 162, 01048, (2017).
  • [15] Sharma U., Jhamb M., “Efficient Design of FGMOS-Based Low-Power Low-Voltage XOR Gate”, Circuits Systems and Signal Processing, 42:2852–2871, (2023).
  • [16] Rahin A. B., Kadivarian A., Akbar S. N., Rahin V. B., “Tunable Ring Oscillators Based on Hybrid FGMOS/CNTFET Inverters with High Frequency and Low Power”, International Conference on New Researches and Technologies in Electrical Engineering (ICNRTEE), University of Science and Culture (USC), Tehran, Iran, (2023).
  • [17] Joshi S. B., Prajapati J. C., Soni B. H., “Analysis and Study of FGMOS Based CurrentMirror Circuit Using 0.35μm Technology”, International Journal of Engineering and Innovative Technology (IJEIT), 2(10): (2013).
  • [18] Khateb F., Dabbous S. B. A, Vlassis S., “A Survey of Non-conventional Techniques for Low-voltage Low-power Analog Circuit Design”, Radioengineering, 22(2): (2013).
  • [19] Khateb F., Khatib N., Kubanek D., “Low-Voltage Ultra-Low-Power Current ConveyorBased on Quasi-Floating Gate Transistors”, Radioengineering, 21(2): (2012).
  • [20] Shibata T., & Ohmi T., “A functional MOS transistor featuring gate-level weighted sum and threshold operations”, IEEE Transactions on Electron Devices, 39(6): 1444–1455, (1992).
  • [21] Castaldo F. C., Rodrigues P., Cajueiro J. P. and Filho C. A. D. R., “Floating-Gate Analog Memory Cell Programming Environment”, Computer Science, (2004).
  • [22] Prakash B., Bansal U., & Gupta M., “Low-Power High Output Impedance-Improved Bandwidth Current Mirror Using FGMOS and QFGMOS”, Applications of Computing, Automation and Wireless Systems in Electrical Engineering, 997–1006, (2019).
  • [23] Miguel J. M. A., Lopez-Martin A. J., Acosta L., Ramirez-Angulo J., & Carvajal R. G., “Using Floating Gate and Quasi-Floating Gate Techniques for Rail-to-Rail Tunable CMOS Transconductor Design”, IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 58(7): 1604–1614, (2011).
  • [24] Gupta R. and Sharma S., “Voltage controlled resistor using quasi-floating-gate MOSFETs”, Maejo Int. J. Sci. Technol. 7(01): 16-25, (2013).
  • [25] Gupta R., Sharma S., & Jamuar S. S., “A low voltage current mirror based on quasi-floating gate MOSFETs”, 2010 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems, (2010).
  • [26] Aggarwal B., & Gupta A., “QFGMOS and FGMOS based low-voltage high performance MI-OTA”, International Journal of Information Technology, 13(2): 415–422, (2020).
  • [27] Bhardwaj R., Srivastava R., Kandari R., Kumar A., “Comparative Analysis of Wilson Current Mirror utilizing FGMOS and QFGMOS Technique”, IEEE Delhi Section Conference (DELCON), (2022).
  • [28] Özer E., Başak M.E., Kaçar F., “A four-quadrant analog multiplier using DTMOS for low power applications”, International Journal of Electronics, 110(2):, (2022).
  • [29] Yildirim M., “Design of Low-Voltage and Low-Power DTMOS Based Analog Multiplier Utilizing Current Squarer”, International Journal of Electronics Letters, 9(1): 1–13, (2021).
  • [30] Garg S., Niranjan V., “DTMOS Transistor with Self-Cascode Subcircuit for Achieving High Bandwidth in Analog Applications”, International Journal of Computer Applications (0975 – 8887), 127 (11): (2015).
  • [31] Amin N. U., Hakim N., “SOI-DTMOS based Novel Structure: Modeling, LNA Implementation and Comparison”, Electronics and Communications in Japan (IJECT), 4(Spl-2): 9-13, (2013).
  • [32] Mustapa M., Mohd-Yasin F., Khawi M. K., Reaz M. B. I., & Kordesch A., “Low power ROM employing dynamic threshold-voltage MOSFET (DTMOS) technique”, IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, (2008).
  • [33] Dabas A., Kumari S., Gupta M., Yadav R., “Design and analysis of DTMOS based RFC with controlled positive feedback OTA using HSCCM and adaptive biasing technique”, Integration, 90–103, (2023).
  • [34] Uygur A., “DTMOS Kullanan Düşük Gerilimli Analog Devre Tasarımında Yeni Olanaklar”, Doktora Tezi, Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul Teknik Üniversitesi, İstanbul, 32 p. (2013).
  • [35] Uygur A., Kuntman H., “An ultra low-voltage, ultra low-power DTMOS-based CCII design for speech processing filters”, 8th International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ELECO), (2013).
  • [36] Rahin A. B., Ghasemi M. H., Rahin V. B., “DTMOS-Based Low-Voltage and Low-Power Two-Stage OTA”, IEEE 6th Conference on Technology In Electrical and Computer Engineering (ETECH 2021), Tafresh University, Tafresh, Iran, (2022).
  • [37] Dubey T., Bhadauria V., “A low-voltage highly linear OTA using bulk-driven floating gate MOSFETs”, Int. J. Electron. Commun. (AEÜ) 98: 29–37, (2018).
  • [38] Dubey T., & Bhadauria V., “Linearity Improvement of Bulk Driven Floating Gate OTA Using Cross-Bulk and Quasi-Bulk Techniques”, Journal of Circuits, Systems and Computers, (2020).
  • [39] Khateb F., “Bulk-driven floating-gate and bulk-driven quasi-floating-gate techniques for low-voltage low-power analog circuits design”, AEU- International Journal of Electronics and Communications, 68(1): 64–72, (2014).
  • [40] Rana C., Afzal N., Prasad D., “A high performance bulk driven quasi floating gate MOSEFT based current mirror”, Procedia Computer Science 79: 747 – 754, (2016).
  • [41] Kumngern M., & Khateb F., “0.5 V fully differential current conveyor using bulk-driven quasi-floating-gate technique”, IET Circuits, Devices & Systems, 10(1): 78–86, (2016).
  • [42] Raj N., Singh A. K., Gupta A. K, “Low Voltage High Output Impedance Bulk-Driven Quasi-Floating Gate Self-Biased High-Swing Cascode Current Mirror”, Circuits Syst Signal Process 35:2683–2703, (2016).
  • [43] Khateb F., Kulej T., Veldandi H. & Jaikla W., “Multiple-input Bulk-driven Quasi-floating-gate MOS transistor for low-voltage low-power integrated circuits”, AEU- International Journal of Electronics and Communications, (2018).
  • [44] Khateb F., Kulej T., Kumngern M., Jaikla W. & Kumar Ranjan R. “Comparative performance study of multiple-input Bulk-driven and multiple-input Gate-driven Quasi-floating-gate DDCCs”, AEU- International Journal of Electronics and Communications, (2019).
  • [45] Narang N., Aggarwal B., Gupta M., “DTMOS based low voltage high performance FVF-OTA and its application in MISO filter”, International Conference on Advances in Computing, Communications and Informatics (ICACCI), (2016).
  • [46] Ghosh S., Tripathi S., Bhadauria V., “A Low Harmonic High Gain Sub-Threshold Flipped Voltage Follower Based Bulk-driven OTA Suitable for low frequency applications”, International Conference on Communication and Signal Processing (VCAS), (2019).
  • [47] De La Cruz-Blas C.A., Garde M.P., Lopez-Martin A., “Super Class AB Transconductor with Slew-Rate Enhancement using QFG MOS Techniques”, European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD), (2017).
Toplam 47 adet kaynakça vardır.

Ayrıntılar

Birincil Dil Türkçe
Konular Elektrik Mühendisliği (Diğer)
Bölüm Derleme
Yazarlar

Pelin Doğan Sekreter 0009-0002-5547-8805

Atilla Uygur 0000-0001-5220-5188

Mustafa Alçı 0000-0001-5478-6908

Gönderilme Tarihi 7 Ağustos 2023
Erken Görünüm Tarihi 19 Nisan 2024
Yayımlanma Tarihi 21 Nisan 2026
DOI https://doi.org/10.2339/politeknik.1338855
IZ https://izlik.org/JA23JM24LA
Yayımlandığı Sayı Yıl 2026 Cilt: 29 Sayı: 4

Kaynak Göster

APA Doğan Sekreter, P., Uygur, A., & Alçı, M. (2026). Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi, 29(4), 1-10. https://doi.org/10.2339/politeknik.1338855
AMA 1.Doğan Sekreter P, Uygur A, Alçı M. Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi. 2026;29(4):1-10. doi:10.2339/politeknik.1338855
Chicago Doğan Sekreter, Pelin, Atilla Uygur, ve Mustafa Alçı. 2026. “Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi”. Politeknik Dergisi 29 (4): 1-10. https://doi.org/10.2339/politeknik.1338855.
EndNote Doğan Sekreter P, Uygur A, Alçı M (01 Nisan 2026) Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi 29 4 1–10.
IEEE [1]P. Doğan Sekreter, A. Uygur, ve M. Alçı, “Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi”, Politeknik Dergisi, c. 29, sy 4, ss. 1–10, Nis. 2026, doi: 10.2339/politeknik.1338855.
ISNAD Doğan Sekreter, Pelin - Uygur, Atilla - Alçı, Mustafa. “Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi”. Politeknik Dergisi 29/4 (01 Nisan 2026): 1-10. https://doi.org/10.2339/politeknik.1338855.
JAMA 1.Doğan Sekreter P, Uygur A, Alçı M. Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi. 2026;29:1–10.
MLA Doğan Sekreter, Pelin, vd. “Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi”. Politeknik Dergisi, c. 29, sy 4, Nisan 2026, ss. 1-10, doi:10.2339/politeknik.1338855.
Vancouver 1.Pelin Doğan Sekreter, Atilla Uygur, Mustafa Alçı. Düşük Gerilim Düşük Güçlü MOSFET Tasarım Yöntemlerinin İncelenmesi. Politeknik Dergisi. 01 Nisan 2026;29(4):1-10. doi:10.2339/politeknik.1338855

Amaç ve Kapsam

 Temel mühendislik alanlarındaki hem deneysel hem de kuramsal çalışmaların yer aldığı dergimiz, mühendisliğin hızla gelişen alanlarına ilişkin makalelerin yayınına öncelik tanır ve disiplinlerarası yöntem ve teknolojiler üzerine yoğunlaşmayı,mühendislik bilimlerindeki en güncel bilimsel ve teknolojik gelişmeleri araştırmacılara, mühendislere ve ilgili kitlelere ulaştırmayı hedefler. Dergiye gönderilen bilimsel çalışmaların yayımlanmış veya sözlü veya poster sunum olarak başka yerde yayın için değerlendirme aşamasında bulunmaması gereklidir.


“Politeknik Dergisi" temel mühendislik konularını kapsayan bir dergidir. Dergi ulusal ve uluslararası düzeyde bilim, teknoloji ve mühendislik alanlarında orijinal bir araştırmayı bulgu ve sonuçlarıyla yansıtan ve bilime katkısı olan araştırma makalelerini veya yeterli sayıda bilimsel makaleyi tarayıp, konuyu bugünkü bilgi ve teknoloji düzeyinde özetleyen, değerlendirme yapan ve bulguları karşılaştırarak yorumlayan tarama makalelerini kabul etmektedir.

Dergimize makale gönderen ve/veya dergimizde hakemlik yapan /yapacak olan tüm kullanıcıların kurumsal e-posta hesapları ile sisteme kayıt olmaları gerekmektedir (yahoo.com, hotmail.com, gmail.com vb. uzantılı e-posta hesapları kullanılmamalıdır).

Dergimize ait herhangi bir ŞABLON formatı  bulunmamaktadır. İlk gönderi için makalelerin aşağıdaki kurallara göre hazırlanması gerekmektedir. 

Gazi Üniversitesi Politeknik Dergisi, Fen ve Mühendislik alanlarında çalışan bilim insanları arasındaki bilimsel iletişimi oluşturmak amacıyla, bilimsel özgün makaleleri Türkçe veya İngilizce olarak kabul etmektedir.

Araştırma Makalesi: Orijinal bir araştırmayı bulgu ve sonuçlarıyla yansıtan çalışmalar,

Tarama Makalesi: Yeterli sayıda bilimsel makaleyi tarayıp, konuyu günümüzün bilgi ve teknoloji düzeyinde özetleyen, değerlendirme yapan ve bu bulguları karşılaştırarak yorumlayan yazılar,

Teknik Not: Yapılan bir araştırmanın önemli bulgularını açıklayan yeni bir yöntem veya teknik tanımlayan yazılar. 

Bütün yazıların Telif Hakkı Devir Formu, makalenin bütün yazarları tarafından doldurulup editörlüğe iletilmelidir. Telif Hakkı Devir Formu göndermeyen yazarların yayınları işleme konulmaz. Yayınlanmasına karar verilen makaleler üzerine yazarlar tarafından sonradan hiçbir eklenti yapılamaz.

Her makale en az iki hakeme gönderilerek şekil ve içerik bakımından incelenir. Dergide yayınlanabilecek nitelikteki olduğu belirlenen makalelerin dizgisi yapılarak yayına hazır hale getirilir.

SUNUŞ

İlk gönderi esnasında, makalenin yazar(lar)ı tarafından benzerlik taraması yapılarak benzerlik oranını gösteren raporun makale ile birlikte yüklenmesi gerekmektedir. Detaylı bilgi için tıklayınız.

Her makalede yapılan çalışmanın özetlendiği bir Özet Sayfası bulunmalıdır. (Bu sayfa makalenin ilk sayfası olacak şekilde makalenizi tek dosya halinde gönderiniz). Özet sayfasına ait şablon dosyaya ulaşmak için tıklayınız.

1. METİN : Times New Roman yazı karakterinde ve 12 pt olacak şekilde yazılmalı, kaynaklar ve şekiller dahil tarama yazıları dışında 20 sayfayı geçmemelidir. Yazarlar makalelerinin ne türde bir yazı olduğunu belirtmelidirler.

2. BAŞLIK : Eserin başlığı, ilk harfleri büyük olacak şekilde Türkçe ve İngilizce olarak yazılmalı, başlık metne uygun, kısa ve açık olmalıdır.

Metin içerisindeki 1. derece başlıkların tamamı büyük harfle, 2. derece başlıkların tüm kelimelerinin ilk harfleri büyük harfle ve 3. ve daha alt başlıklar için başlığın yalnızca ilk kelimesi büyük harfle olacak şekilde yazılmalıdır (Metin içerisinde kullanılan başlıkların ve alt başlıkların tümünün İngilizceleri parantez içerisinde belirtilmelidir. Yazım dili İngilizce olan makalelerde, parantez içerisinde herhangi bir şey belirtilmemelidir. Tüm metin İngilizce olmalıdır)

3. ÖZET : 200 kelimeyi geçmeyecek şekilde Türkçe ve İngilizce yazılmalıdır. İngilizce özetin başına eserin başlığı da ingilizce olarak yazılmalıdır.

4. ANAHTAR KELİMELER : En az 3 en fazla 5 adet Türkçe/ İngilizce olarak verilmelidir.

5. METİN : Genel olarak giriş, yöntem, bulgular, sonuç ve tartışmaya ilişkin kısımları kapsar.

6. KAYNAKLAR : Metinde parantez içerisindeki [1], [2] vb. rakamlarla numaralandırılmalı ve metin sonunda da eser içinde veriliş sırasına göre yazılmalıdır.

Kaynak bir makale ise: Yazarın soyadı adının baş harfi, tırnak içerisinde makalenin tam başlığı, derginin adı (varsa uluslararası kısaltmaları), cilt no: makalenin başlangıç ve bitiş sayfa no, (yıl)

Örnek: Sözen A., Özbaş E., Menlik T., Çakır M. T., Gürü M. and Boran K., ''Improving the thermal performance of diffusion absorption refrigeration system with alumina nanofluids'', International Journal of Refrigeration, 44: 73-80, (2014)

Kaynak bir kitap ise: Yazarın soyadı adının başharfi, tırnak içerisinde kitabın adı, cilt no, varsa editörü, yayınevinin adı, yayın no, yayınlandığı yer, (yıl).

Kaynak kitaptan bir bölüm ise: Bölüm yazarının soyadı adının başharfi, tırnak içerisinde bölümün adı, bölümün alındığı kitabın adı, yayınevinin adı, yayınlandığı yer, (yıl).

Kaynak basılmış tez ise: Yazarın soyadı adının baş harfi, tırnak içerisinde tezin adı, cinsi (yüksek lisans, doktora), sunulduğu üniversite ve enstitüsü, (yıl).

Kaynak kongreden alınmış tebliğ ise: Yazarın soyadı adının baş harfi, tırnak içerisinde tebliğin adı, kongrenin adı, yapıldığı yer, tebliğin başlangıç ve bitiş sayfa no, (yıl).

Kaynak bir standart ise: Standardın numarası, tırnak içerisinde standardın adı, (yıl).

7. ÇİZELGE VE ŞEKİLLER: Çizelge içermeyen bütün görüntüler (fotoğraf, çizim, diyagram, grafik, harita vs.) şekil olarak isimlendirilmelidir. Her bir çizelge ve şekil, metin içinde gireceği yere yerleştirilmelidir. Bütün şekiller metin içinde ardışık olarak numaralandırılmalıdır (Metin içerisinde kullanılan Çizelge ve Şekillerin tümünün ingilizceleri parantez içerisinde belirtilmelidir. Yazım dili İngilizce olan makalelerde, parantez içerisinde herhangi bir şey belirtilmemelidir. Tüm metin İngilizce olmaldır).

8. FORMÜLLER VE BİRİMLER: Metin içerisindeki tüm formüller equation formatında yazılmalıdır. Formüllere (1), (2) şeklinde sıra numarası verilmelidir. Tüm birimler SI birim sisteminde olmalıdır.

9. SİMGELER VE KISALTMALAR : Metin sonunda kaynaklardan önce verilebilir.

10. TEŞEKKÜR : Eğer kişi veya kurumlara teşekkür yapılacaksa bu kısımda yazılmalı ve kaynaklardan önce verilmelidir.

11. ETİK BEYANI : Dergimizde yayımlanacak makalelerde etik kurul izini ve/veya yasal/özel izin alınmasının gerekip gerekmediği belirtilmiş olmalıdır. Eğer bu izinlerin alınması gerekli ise, izinin hangi kurumdan, hangi tarihte ve hangi karar veya sayı numarası ile alındığı açıkça sunulmalıdır. Ayrıca çalışma insan ve hayvan deneklerinin kullanımını gerektiriyor ise çalışmanın uluslararası deklarasyon, kılavuz vb. uygun gerçekleştirildiği beyan edilmelidir. İzin alınmasının gerekmediği durumlar için TEŞEKKÜR bölümünden sonra aşağıdaki metin eklenmelidir.  

        Türkçe dilindeki makaleler için:
        ETİK STANDARTLARIN BEYANI
        Bu makalenin yazar(lar)ı çalışmalarında kullandıkları materyal ve yöntemlerin etik kurul izni ve/veya yasal-özel bir izin gerektirmediğini beyan ederler.


        İngilizce dilindeki makaleler için:
        DECLARATION OF ETHICAL STANDARDS
        The author(s) of this article declare that the materials and methods used in this study do not require ethical committee permission and/or legal-special permission.

12. YAZAR KATKILARININ BEYANI: Bu bölümde makalede adı geçen her bir araştırmacının makaleye olan katkısı belirtilmelidir.

13. ÇIKAR ÇATIŞMASININ BEYANI: Makale yazarları arasındaki çıkar çatışması durumu belirtilmelidir. Herhangi bir çıkar çatışması yoksa "Bu çalışmada herhangi bir çıkar çatışması yoktur" ibaresi yazılmalıdır.

YAYIN ETİĞİ BİLDİRİMİ
Yayın etiği, en iyi uygulama kılavuzlarını sağlamak ve bu nedenle derginin editörleri, yazarları ve hakemler tarafından uyulması açısından çok önemlidir. Politeknik Dergisi, COPE'nin Davranış Kuralları ve Dergi Editörleri İçin En İyi Uygulama Kılavuz İlkeleri (https://publicationethics.org/resources/code-conduct) tarafından açıklanan ilkelere uygundur ve sadece şeffaflık ilkeleri değil, aynı zamanda en iyi bilimsel uygulama Yayın Etik Kurulu (COPE) tarafından belirlenen kurallara uygun olan makaleleri yayınlar.

Baş Editör ve Alan Editörlerinin Görevleri
Tarafsızlık
Derginin baş editörü ve bölüm editörleri, dergiye gönderilen makalelerin hangisinin yayınlanması gerektiğine karar vermekten sorumludur. Bu süreçte yazarlar ırk, etnik köken, cinsiyet, din ve vatandaşlıklarına göre editörler tarafından ayırt edilmez. Editörlerin yayınlanacak bir makaleyi kabul etme, gözden geçirme veya reddetme kararları, yalnızca makalenin önemi, özgünlüğü ve açıklığına ve ayrıca makalede yapılan çalışmanın derginin kapsamına uygunluğuna dayanmaktadır.
Gizlilik
Baş editör ve bölüm editörleri, gönderilen bir makale hakkında herhangi bir bilgiyi başkasıyla paylaşmamalıdır. Ayrıca ilgili yazar, hakemler / muhtemel hakemler ve yayıncı personel tarafından açıklanmamalıdır. Editörler, yazarlar tarafından sunulan tüm materyallerin inceleme sürecinde gizli kalmasını sağlayacaktır.
Çıkar Çatışması ve Açıklama
Gönderilmiş bir makalede açıklanan yayınlanmamış materyaller, yazarın yazılı izni olmadan hiçbir hakemin kendi çalışmalarında kullanılmamalıdır. Hakem değerlendirmesi sürecinden elde edilen münhasır bilgi veya görüşler gizli tutulmalı ve kişisel çıkarlar için kullanılmamalıdır. Hakemler, rekabetçi, işbirlikçi veya makalelere bağlı yazarlar, şirketler veya kurumlardan herhangi biriyle olan diğer ilişkilerden / bağlantılardan kaynaklanan çıkar çatışmalarına sahip oldukları yazıları dikkate almamalıdır.
Akran inceleme süreci
Baş editör / bölüm editörleri, dergi sistemine gönderilen her bir yazı için çift kör bir akran inceleme sürecinin etkin bir şekilde yapılmasını sağlamalıdır.
Etik olmayan davranışların yönetimi
Editörler, yayıncılarla birlikte, gönderilen bir makale veya yayınlanan bir makale hakkında etik şikâyetler sunulduğunda rasyonel olarak duyarlı önlemler almalıdır.

Yazar(lar)ın Görevleri
Makalenin Yazarı
Tasarım, yorumlama ve uygulama dâhil olmak üzere bildirilen çalışmaya önemli bir katkı sağlayanlara daraltılmalıdır. Gönderilen yazıya önemli katkılarda bulunan tüm yazarlar ortak yazar olarak listelenmelidir.

Özgünlük ve intihal
Gönderdikleri makalenin içeriğinden, dilinden ve özgünlüğünden yazarlar sorumludur. Yazarlar, orijinal eserlerini tamamen oluşturduğunu ve yazarlar çalışmayı ve / veya diğer yazarların sözlerini kullanmışlarsa, bunun uygun bir şekilde alıntılandığını veya alıntı yapıldığını temin etmelidir. İntihal, bir başkasının makalesini yazarın kendi makalesi olarak göstermek, bir başkasının makalesinin önemli kısımlarını (atıfta bulunmadan) kopyalamak veya başka bir deyişle, başkaları tarafından yapılan araştırmaların sonuçlarını almaktan farklı biçimlerdedir. Tüm formlarındaki intihal, etik olmayan yayıncılık davranışını içerir ve kabul edilemez. Hakemlere bir makale gönderilmeden önce, intihal araştırması için iThenticate aracılığıyla benzerlik açısından kontrol edilir.

Fon kaynaklarının tanınması
Makalede bildirilen araştırma için tüm finansman kaynakları, referanslar öncesinde makalenin sonunda ayrıntılı olarak belirtilmelidir.

İfşa ve çıkar çatışmaları
Tüm yazarlar makalelerinde, makalelerinin bulgularını veya yorumunu etkilemek için yorumlanabilecek herhangi bir maddi veya diğer maddi çıkar çatışmasını açıklamalıdır. Proje için tüm finansal destek kaynakları da açıklanmalıdır. Açıklanan potansiyel çıkar çatışmaları örnekleri arasında istihdam, danışmanlıklar, hisse senedi mülkiyeti, onur, ücretli uzman tanıklığı, patent başvuruları / kayıtları ve hibeler veya diğer fonlar yer almaktadır. Potansiyel çıkar çatışmaları mümkün olan en erken aşamada bildirilmelidir.

Raporlama standartları
Makalenin yazarları, yapılan çalışmanın doğru bir açıklamasını ve önemi ile ilgili objektif bir tartışma sunmalıdır. Temel veriler, metinde doğru olarak verilmelidir. Bir makale, diğer araştırmacıların çalışmayı tekrar etmelerine izin vermek için yeterli ayrıntıyı ve referansları içermelidir. Zor veya bilerek kesin olmayan ifadeler etik olmayan davranışlar oluşturur ve kabul edilemez. İnceleme ve profesyonel yayın makaleleri de kesin olmalı, özgün ve objektif olmalı ve editoryal düşünce çalışmaları açıkça ifade edilmelidir.

Veri erişimi ve saklama
Yazarlardan editoryal inceleme süreci için bir makaleyle bağlantılı ham verileri sağlamaları istenebilir ve herhangi bir durumda, yayınlandıktan sonra belirli bir süre için bu verileri saklamaları gerekebilir.

Çoklu, gereksiz veya eşzamanlı yayın
Gönderilen makaleler başka herhangi bir dergiye gönderilmemiş olmalıdır. Aynı makaleyi aynı anda birden fazla dergiye göndermek etik olmayan yayıncılık davranışını içerir. Yazarlar ayrıca makalenin daha önce başka bir yerde yayınlanmadığından da emin olmalıdır.

Yayınlanmış çalışmalarda ana hatalar
Bir yazar yayınlanmış eserinde önemli bir hata veya yanlışlıkla karşılaştığında, dergi editörünü veya yayıncısına bu durumu derhal bildirmek ve makaleyi geri çekmek veya düzeltmek için editörle işbirliği yapmak yükümlülüğündedir.

Hakemlerin Görevleri
Hakemler, makale le ilgili görüşlerini tamamlayarak yorumlarını kendisine tanımlanan zaman içerisinde göndermelidir. Eğer makale, hakemin ilgi alanına uygun değilse, makale editöre geri gönderilmelidir, böylece diğer hakemler zaman kaybetmeden atanabilirler.

Katkı
Hakemler, hakemli bir dergi olan derginin kalitesine katkıda bulunan ana üyelerdir. Alınan makaleyi incelemesi için kalifiye olmayan hakemler derhal editöre bildirmeli ve bu makaleyi incelemeyi reddetmelidir.

Gizlilik
İnceleme için gönderilen yazılar gizli belgeler olarak değerlendirilmelidir. Editör tarafından yetkilendirilmedikçe başkalarıyla gösterilmemeli veya tartışılmamalıdır.

Nesnellik standartları
Yorumlar objektif olarak gerçekleştirilmelidir. Yazarın kişisel eleştirisi uygun değildir. Hakemler açıkça destekleyici argümanlarla görüşlerini ifade etmelidir.

Kaynakların tanınması
Hakemler, yazarlar tarafından alıntılanmayan yayınlanmış çalışmaları tanımlamalıdır. Bir gözlem, türetme veya argümanın daha önce bildirildiği herhangi bir ifadeye ilgili atıfta bulunulmalıdır. Bir gözden geçiren aynı zamanda editörün dikkatini, ele alınan yazı ile kişisel bilgileri olan yayınlanmış diğer herhangi bir makale arasında hayati bir benzerlik ya da çakışma olduğuna dikkat etmelidir.

İfşa ve çıkar çatışması
Hakemler, rekabetçi, işbirlikçi veya yazılarla bağlantılı yazarlar, şirketler veya kurumlarla yapılan diğer ilişkilerden / bağlantılardan kaynaklanan çıkar çatışmalarına sahip oldukları makaleleri dikkate almamalıdır.

DERGİ POLİTİKASI
Makale Değerlendirme Süreci
Hakem Davetinin Geçerlilik Süresi : 30 gün
Hakem Daveti İçin Verilen Ekstra Süre : 15 gün
Hakemin Makaleyi Değerlendirme Süresi : 21 gün
Yazarın Düzeltmelerini Gerçekleştirmesi İçin Verilen Süre : 30 gün
Makale Değerlendirmesi İçin Hakeme Verilen Ekstra Süre : 7 gün

Ücret Politikası
Dergimize gönderilen makalelerin değerlendirilmesi/basılması gibi süreçlerde yazarlardan herhangi bir ücret talep edilmemektedir. 

Makale Geri Çekme Süreci
Yayımlanmış bir makalenin geri çekilmesi işlemi ilgili makalenin tüm yazarlarının ortak talebine istinaden yapılmaktadır. Geri çekilen makaleye ait bilgiler yazar(lar)ın editörlüğümüze başvurduğu tarihten sonra yayımlanacak ilk sayımızda GERİ ÇEKME(RETRACTION) başlığı altında bildirilir. 

Politeknik Dergisi makale gönderimi veya basım aşamasında herhangi bir ücret talep etmemektedir.

Atıf Dizinleri

Google Scholar
TR Dizin
Emerging Sources Citation Index (ESCI)
Thomson Reuters / Clarivate Analytics
EBSCO
SOBIAD

Genel Yayın Yönetmeni

Musa ATAR

Baş Editör

Adnan Sözen
Adnan SÖZEN

  
Enerji Sistemleri Mühendisliği, Enerji

Editörler

Murat Tolga ÖZKAN
Serhat KARYEYEN

Editör Yardımcıları

Fatih Emre BORAN
Volkan YILMAZ

Editör Asistanı

Erdem ÇİFTÇİ

Editörler Kurulu

Hülya DURMUŞ
Hüseyin PEKER
İhsan TOKTAŞ
Zafer AYAZ
Nihat OZTURK
O. Ayhan ERDEM
Figen BALO
Mustafa ÖZER
Orhan KAPLAN
Mustafa Bahadır ÖZDEMİR
Hacı Bayram KARADAĞ
İsmail AYDIN
İhsan KORKUT
Halil DEMİR
Melih OKUR
Ahmet GÜRAL
Kasım SERBEST
Murat YÜCEL
Emine Özge KARACA
Cemil ÇETİNKAYA
Volkan YILMAZ
Fatih Emre BORAN

Yayın Danışma Kurulu

Mehmet ESEN
İlker USTA
Ulvi ŞEKER
Murat HOŞÖZ
Hüseyin Rıza BÖRKLÜ
Mustafa AKTAŞ
Mehmet DEMİRTAŞ
Günnur KOCAR
Engin ÖZDEMİR
Ayhan ÖZÇİFÇİ
H. Serdar YÜCESU
Tayfun MENLİK
Metin GÜRÜ
Sare SAHİL
Erol KURT
Ramazan BAYINDIR
Ebru AKPINAR
Ramazan YILMAZ
Prof. Dr. Yasin VAROL
Nadire Şule ATILGAN
Ramazan KÖSE
Erol ARCAKLIOĞLU
Metin İPEK
Dilek KUMLUTAŞ
İshak KARAKAYA
Jamal KHATİB
Musa ATAR

Teknik Sorumlu

Şulenur ASAL
İrem KARAASLAN
Coşkun YÜKSEL

Yayın Etiği Kurulu

Murat Tolga ÖZKAN
Erdem ÇİFTÇİ
Serhat KARYEYEN
 
TARANDIĞIMIZ DİZİNLER (ABSTRACTING / INDEXING)
181341319013191 13189 13187 13188 18016 

download Bu eser Creative Commons Atıf-AynıLisanslaPaylaş 4.0 Uluslararası ile lisanslanmıştır.